包括管芯的低剖面玻璃基无源(PoG)器件制造技术

一种器件，该器件包括：单个基板层；该单个基板层上方的多个互连，该多个互连被配置成作为至少一个无源组件来操作；耦合至该单个基板层和该多个互连的第一管芯；以及至少部分地封装第一管芯和配置成作为至少一个无源组件来操作的该多个互连的封装层。在一些实现中，该单个基板层、第一管芯和封装层包括约225微米(μm)或更小的总体厚度。在一些实现中，该单个基板层包括约75微米(μm)或更小的厚度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括管芯的低剖面玻璃基无源(PoG)器件相关申请的交叉引用本申请要求于2016年8月31日在美国专利商标局提交的非临时申请No.15/253,782的优先权和权益，其全部内容通过援引纳入于此。背景公开领域各种特征一般涉及玻璃基无源(PoG器件)，尤其涉及包括管芯的低剖面玻璃基无源(PoG)器件。
技术介绍
图1解说了安装在印刷电路板(PCB)100上方的玻璃基无源(PoG)器件102和管芯104。PoG器件102通过多个焊球124耦合至PCB100。管芯104通过多个焊球144耦合至PCB100。PoG器件102包括玻璃基板120和无源组件122。无源组件122位于玻璃基板120上方。管芯104与PoG器件102共面。图1的配置的一个缺点是管芯104和PoG器件102占据PCB100上的大量空间。另外，PoG器件102具有相对较厚的玻璃基板120，这使得PoG器件102相对较厚。玻璃基板120需要较厚，以便为PoG器件102提供结构刚性。通常，玻璃基板120具有约250微米(μm)或更大的厚度。比这更薄的任何东西将增加PoG翘曲。由此，图1的配置具有相对较大的整体形状因子。因此，存在对于更薄的PoG器件的持续需求，其不易翘曲，同时还提供更高密度的封装。概述各种特征一般涉及玻璃基无源(PoG)器件，尤其涉及包括管芯的低剖面玻璃基无源(PoG)器件。一示例提供了一种器件，该器件包括：单个基板层；该单个基板层上方的多个互连，该多个互连被配置成作为至少一个无源组件来操作；耦合至该单个基板层和该多个互连的第一管芯；以及至少部分地封装第一管芯和配置成作为至少一个无源组件来操作的该多个互连的封装层。另一示例提供了一种装备，其包括：单个基板层、位于该单个基板层上方的用于无源功能性的装置、耦合至该单个基板层和用于无源功能性的装置的第一管芯、以及至少部分地封装第一管芯和用于无源功能性的装置的封装层。又一示例提供了一种用于制造器件的方法。该方法提供单个基板层。该方法在该单个基板层上方形成多个互连，其中，形成该多个互连形成了被配置成作为至少一个无源组件来操作的互连。该方法将第一管芯耦合至该单个基板层和该多个互连。该方法形成封装层，该封装层至少部分地封装第一管芯和配置成作为至少一个无源组件来操作的该多个互连。附图在结合附图理解下面阐述的详细描述时，各种特征、本质和优点会变得明显，在附图中，相同的附图标记始终作相应标识。图1解说了耦合至印刷电路板(PCB)的玻璃基无源(PoG)和管芯的剖面视图。图2解说了包括无源组件和管芯的器件的剖面视图。图3解说了跨包括无源组件和管芯的器件的横截面的平面图。图4解说了跨包括无源组件和管芯的器件的不同横截面的平面图。图5解说了跨包括无源组件和管芯的另一器件的横截面的平面图。图6解说了包括无源组件和管芯的另一器件的剖面视图。图7(其包括图7A-7B)解说了用于制造包括无源组件和管芯的器件的工序的示例。图8解说了用于制造包括无源组件和管芯的器件的示例性方法的流程图。图9解说了可包括本文描述的各种集成器件、集成器件封装、半导体器件、管芯、集成电路和/或封装的各种电子设备。详细描述在以下描述中，给出了具体细节以提供对本公开的各个方面的透彻理解。然而，本领域普通技术人员将理解，没有这些具体细节也可以实践这些方面。例如，电路可能用框图示出以避免使这些方面湮没在不必要的细节中。在其他实例中，公知的电路、结构和技术可能不被详细示出以免湮没本公开的这些方面。概览一些特征涉及一种器件，该器件包括：单个基板层；该单个基板层上方的多个互连，该多个互连被配置成作为至少一个无源组件来操作(例如，用于无源功能性的装置)；耦合至该单个基板层和该多个互连的第一管芯；以及至少部分地封装第一管芯和配置成作为至少一个无源组件来操作的该多个互连的封装层。在一些实现中，单个基板层、第一管芯和封装层包括约225微米(μm)或更小的总体厚度。在一些实现中，单个基板层包括约75微米(μm)或更小的厚度。在一些实现中，器件的高度可以沿器件的Z方向来定义，其在本公开的附图中示出。在一些实现中，器件的Z方向可以沿该器件的顶部与底部之间的轴线来定义。术语“顶”和“底”可被任意地指派，然而，作为一示例，器件的顶部可以是包括封装层的部分，而器件的底部可以是包括重分布部分或多个焊球的部分。在一些实现中，器件的顶部可以是器件的背侧，而器件的底部可以是器件的前侧。器件的前侧可以是器件的有效侧。顶部可以是相对于较低部分的较高部分。底部可以是相对于较高部分的较低部分。顶部和底部的进一步示例将在以下进一步描述。器件的X-Y方向可指代器件的横向方向和/或版图。X-Y方向的示例在本公开的附图中示出和/或在以下进一步描述。在本公开的许多附图中，跨X-Z横截面或X-Z平面示出器件及其相应组件。然而，在一些实现中，可跨Y-Z横截面或Y-Z平面表示器件及其代表性组件。在一些实现中，互连是器件或封装中允许或促成两个点、元件和/或组件之间的电连接的元件或组件。在一些实现中，互连可包括迹线、通孔、焊盘、柱、重分布金属层、和/或凸块下金属化(UBM)层。在一些实现中，互连是可被配置成为信号(例如，数据信号、接地信号、功率信号)提供电路径的导电材料。互连可以是电路的一部分。互连可包括不止一个元件或组件。包括管芯的示例性玻璃基无源(PoG)图2解说了包括无源组件和管芯的器件200。器件200可以是玻璃基无源(PoG)器件。器件200通过多个焊料互连222耦合至印刷电路板(PCB)100。图2的器件200解说了包括至少一个管芯的低剖面器件的示例。在一些实现中，器件200是具有约225微米(μm)或更小的总体厚度的低剖面器件。器件200包括基板202、多个互连204、第一管芯206、第二管芯208、封装层210和多个基板互连220。多个互连204形成在基板202的表面上方。多个互连204可以被配置成作为一个或多个无源组件(例如，用于无源功能性的装置、电感器)来操作。例如，来自多个互连204的一个或多个第一互连可以被配置成作为第一电感器来操作，并且来自多个互连204的一个或多个第二互连可以被配置成作为第二电感器来操作。在图3-5中进一步描述和解说电感器的示例。基板202是单个基板层或单个基板面板。基板202可包括玻璃(例如，玻璃块)或硅(例如，硅块)。然而，基板202可以包括其他材料。基板202(例如，单个基板层、单个基板面板)不同于包括若干层的基板(例如，包括若干介电层的层压基板)。因此，单个基板层或单个基板面板不包括由若干介电层(例如，两个或更多个介电层)彼此叠置形成的层压基板。应注意，单个基板层可包括若干材料。然而，单个基板层或单个基板面板中的材料不是通过在彼此上方沉积若干层而形成的。在一些实现中，基板202具有约75微米(μm)或更小的厚度。在一些实现中，基板202具有约50-75微米(μm)的厚度。通常，玻璃基无源(PoG)器件将具有比75微米厚得多的基板，因为需要厚基板来为PoG器件提供结构刚性。然而，在本公开中，由于存在封装层210，基板202可具有约75微米(μm)或更小的厚度，由此提供低剖面器件。在一些实现中，基板202与封装层210的组合有助于为器件200提供结构刚本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种器件，包括：单个基板层；所述单个基板层上方的多个互连，所述多个互连被配置成作为至少一个无源组件来操作；耦合至所述单个基板层和所述多个互连的第一管芯；以及封装层，所述封装层至少部分地封装所述第一管芯和配置成作为至少一个无源组件来操作的所述多个互连。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.31 US 15/253,7821.一种器件，包括：单个基板层；所述单个基板层上方的多个互连，所述多个互连被配置成作为至少一个无源组件来操作；耦合至所述单个基板层和所述多个互连的第一管芯；以及封装层，所述封装层至少部分地封装所述第一管芯和配置成作为至少一个无源组件来操作的所述多个互连。2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述单个基板层、所述第一管芯和所述封装层包括约225微米(μm)或更小的总体厚度。3.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述单个基板层包括约50-75微米(μm)的厚度。4.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述封装层包括约100微米(μm)或更小的厚度。5.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述单个基板层包括单层玻璃或单层硅。6.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件进一步包括基本上穿过所述单个基板层的腔。7.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述至少一个无源组件包括电感器。8.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件进一步包括耦合至所述单个基板层和所述多个互连的第二管芯。9.如权利要求8所述的器件，其特征在于，所述多个互连被配置成作为第一电感器和第二电感器来操作，所述第一电感器耦合至所述第一管芯，且所述第二电感器耦合至所述第二管芯。10.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件被纳入到从包括以下各项的组中选择的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、物联网(IoT)设备、膝上型计算机、服务器、以及机动车中的设备。11.一种装备，包括：单个基板层；位于所述单个基板层上方的用于无源功能性的装置；耦合至所述单个基板层和所述用于无源功能性的装置的第一管芯；以及封装层，所述封装层至少部分地封装所述第一管芯和所述用于无源功能性的装置。12.如权利要求11所述的装备，其特征在于，所述单个基板层、所述第一管芯和所述封装层包括约225微米(μm)或更小的总体厚度。13.如权利要求11所述的装备，其特征在于，所述单个基板层包括约50-75微米(μm)的厚度。14.如权利要求11所述的装备，其特征在于，所述封装层包括约100微米(μm)或更小的厚度。15.如权利要求11所述的装备，其特征在于，所述单个基板层包括单层玻璃或单层硅。16.如权利要求11所述的装备，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·维纶茨，N·S·慕达卡特，C·尹，D·伯蒂，S·顾，J·金，C·左，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US