新型石榴石型化合物、含有该化合物的烧结体以及溅射靶制造技术

一种石榴石型化合物，以通式(I)表示，Ln3In2Ga3‑XAlXO12 (I)(式中，Ln表示选自La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu的一种以上的金属元素。X为0≤X＜3)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】新型石榴石型化合物、含有该化合物的烧结体以及溅射靶
本专利技术涉及新型石榴石型化合物、含有该化合物的烧结体以及溅射靶。
技术介绍
由于薄膜晶体管(TFT)所使用的无定形(非晶质)氧化物半导体与通用的无定形硅(a-Si)相比具有高载流子迁移率，光学带隙较大，能够在低温下成膜，因此期望将其应用于要求大型、高成像清晰度、高速驱动的下一代的显示器或者耐热性低的树脂基板等。在形成上述氧化物半导体(膜)时，优选采用对溅射靶进行溅射的溅射法。这是由于利用溅射法形成的薄膜与利用离子电镀法或真空蒸镀法、电子束蒸镀法形成的薄膜相比，膜面方向(膜面内)上的成分组成或膜厚等的面内均匀性优良，能够形成与溅射靶成分组成相同的薄膜。专利文献1中记载了以A3B2C3O12表示的石榴石型化合物的制造方法。此外，在专利文献1中，例示了含有氧化铟的Y3In2Ga3O12化合物。在专利文献2中，记载了一种溅射靶，该溅射靶是将含有氧化铟、氧化钇、以及氧化铝或氧化镓的原料进行烧结而得到的、含有A3B5O12型石榴石结构的化合物。记载了该靶由于包含石榴石结构，电阻变小，溅射中的异常放电变少。此外，还有关于向高迁移率的TFT元件进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种石榴石型化合物，其特征在于，以通式(I)表示，Ln3In2Ga3‑XAlXO12   (I)式中，Ln表示选自La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu的一种以上的金属元素，X为0≤X＜3。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.31 JP 2016-169427;2016.10.04 JP 2016-196251.一种石榴石型化合物，其特征在于，以通式(I)表示，Ln3In2Ga3-XAlXO12(I)式中，Ln表示选自La、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu的一种以上的金属元素，X为0≤X＜3。2.如权利要求1所述的石榴石型化合物，其特征在于，Ln包含Nd或者Sm、或者Ln同时包含Nd与Sm。3.一种氧化物烧结体，其特征在于，包含以通式(I)表示的石榴石相，Ln3In2Ga3-XAlXO12(I)，式中，Ln表示选自...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上一吉，笘井重和，柴田雅敏，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP