一种基于包络跟踪技术的5G GaAs射频功率放大器制造技术

本发明专利技术提供一种基于包络跟踪技术的5G GaAs射频功率放大器，包括射频输入端与射频输出端，射频输入端连接有延时调节电路，延时调节电路的另一端连接有Q1‑Q3共射极晶体管，Q1‑Q3共射极晶体管的集电极连接有包络跟踪器，包络跟踪器另一端连接有包络检波电路，包络检波电路的另一端与射频输入端相连，本发明专利技术通过在5G GaAs射频功率放大器的Q1‑Q3共射极晶体管的集电极加入包络跟踪器和包络检波电路，以及在Q1‑Q3共射极晶体管的基极加入延时调节电路，有效地对不同射频输入功率精细化的调节集电极供电电压，从而显著地提高了5G GaAs射频功率放大器的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种基于包络跟踪技术的5GGaAs射频功率放大器
本专利技术涉及通信
，尤其涉及一种基于包络跟踪技术的5GGaAs射频功率放大器。
技术介绍
对于无线通信装置，如由电池提供能量的蜂窝移动电话和寻呼机等便携式手持小型设备，电池的供电时间短已成为影响该类通信装置的使用的重要因素，今年智能手机正式进入全面屏时代，明年5G也将开始商用，同时，越来越大的屏幕尺寸和越来越多的需要显示屏常亮应用正给移动设备的电池续航时间带来越来越大的压力，电池供电时间短主要是因为该类无线通信装置中射频功率放大器的工作效率低，其在放大信号时消耗掉电源提供的大量功率，另外，在使用通信设备接收信息时，若设备中的射频功率放大器线性度较差，则会使所接收到的信号波形发生幅度与相位上的失真，影响信息的准确传输。现有的提高射频射频功率放大器效率的方法主要有LINC、EE&R、Doherty、APT等，LINC技术是把一个调幅调相信号分解成两个恒包络的调相信号，然后使其分别通过两个特性相同的功放，最后将两路信号合成初始变包络信号输出，EE&R技术的基本原理是：中频输入信号通过包络检测器和限幅器，得到幅度和相位形式的输入信号，恒包络的输入信号经混频器变频后成为射频信号，送入非线性射频功放输出，分离后得到的中频包络信号对供给的电压信号进行调制，然后用所得的调制信号来控制射频功率放大器，Doherty结构由主功放和辅助功放2个功放组成，主功放工作在B类或者AB类，辅助功放工作在C类，两个功放不是轮流工作，而是主功放一直工作，辅助功放到设定的峰值才工作，Doherty功放虽然具有很高的效率，但其线性度较差，APT即平均功率跟踪技术，通过追踪平均功率给射频功率放大器提供较低的电压来实现效率的提高，但是由于3G/4G/5G是调幅的技术，信号的幅度不是固定的值，用一个电压来追踪信号的平均功率，必然使电压满足高功率的线性要求，对于相对较小的功率，这个电压给的有多余的，多余的部分就会浪费掉，因此，解决上述问题就显的十分必要了。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种基于包络跟踪技术的5GGaAs射频功率放大器，解决了无线设备的射频功率放大器工作效率差的问题，本专利技术为解决技术问题而采用如下技术方案：包括射频输入端与射频输出端，射频输入端连接有延时调节电路，延时调节电路的另一端连接有Q1-Q3共射极晶体管，Q1-Q3共射极晶体管包括Q1共射极晶体管、Q2共射极晶体管、Q3共射极晶体管，Q1共射极晶体管、Q2共射极晶体管、Q3共射极晶体管从左向右依次串联，Q1共射极晶体管、Q2共射极晶体管、Q3共射极晶体管的集电极相连形成Q1-Q3共射极晶体管的集电极，延时调节电路与Q1共射极晶体管的基极相连，Q1共射极晶体管的基极为Q1-Q3共射极晶体管的基极，Q1-Q3共射极晶体管的集电极连接有包络跟踪器，包络跟踪器另一端连接有包络检波电路，包络检波电路的另一端与射频输入端相连，Q3共射极晶体管的集电极与射频输出端相连，Q1共射极晶体管、Q2共射极晶体管、Q3共射极晶体管的发射极共同接地。进一步改进在于：所述包络跟踪器与包络检波电路用于为Q1-Q3共射极晶体管的集电极提供电压。进一步改进在于：所述延时调节电路用于对Q1-Q3共射极晶体管集电极电压的延迟进行补偿。本专利技术的有益效果是：通过在Q1-Q3共射极晶体管的集电极加入包络跟踪器和包络检波电路，在Q1-Q3共射极晶体管的基极加入延时调节电路，通过包络跟踪器和包络检波电路给Q1-Q3共射极晶体管的集电极提供合适的供电电压，通过延时调节电路使得Q1-Q3共射极晶体管集电极供电电压和射频输入信号在时间上一致，从而显著地提高射频功率放大器的效率。附图说明图1是本专利技术的结构示意图。其中：1-射频输入端，2-射频输出端，3-延时调节电路，4-Q1-Q3共射极晶体管，5-Q1共射极晶体管，6-Q2共射极晶体管，7-Q3共射极晶体管，8-包络跟踪器，9-包络检波电路。具体实施方式为了加深对本专利技术的理解，下面将结合实施例对本专利技术做进一步详述，本实施例仅用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术保护范围的限定。如图1示，本实施例提供了一种基于包络跟踪技术的5GGaAs射频功率放大器，包括射频输入端1与射频输出端2，射频输入端1连接有延时调节电路3，延时调节电路3的另一端连接有Q1-Q3共射极晶体管4，Q1-Q3共射极晶体管4包括Q1共射极晶体管5、Q2共射极晶体管6、Q3共射极晶体管7，Q1共射极晶体管5、Q2共射极晶体管6、Q3共射极晶体管7从左向右依次串联，Q1共射极晶体管5、Q2共射极晶体管6、Q3共射极晶体管7的集电极相连形成Q1-Q3共射极晶体管4的集电极，延时调节电路3用于对Q1-Q3共射极晶体管4集电极电压的延迟进行补偿，Q1-Q3共射极晶体管4的集电极连接有包络跟踪器8，包络跟踪器8另一端连接有包络检波电路9，包络检波电路9的另一端与射频输入端1相连，包络跟踪器8与包络检波电路9用于为Q1-Q3共射极晶体管4的集电极提供电压，Q3共射极晶体管7的集电极与射频输出端2相连，Q1共射极晶体管5、Q2共射极晶体管6、Q3共射极晶体管7的发射极共同把接地，当射频输入端1输出的射频耦合信号输入到包络检波电路9时，包络检波电路9根据射频输入信号得到射频输入信号的包络信号，并将得到的包络信号提供给包络跟踪器8，包络跟踪器8分析包络信号并通过一定的规则对输出电压进行调整，然后将调整后的电压输出到Q1-Q3共射极晶体管的集电极，从而有效的提高了5GGaAs射频功率放大器的效率；同时，射频输入信号通过延时调节电路3，对包络检波电路9和包络跟踪器8引起的Q1-Q3共射极晶体管集电极供电电压的延迟进行补偿，使得5GGaAs射频功率放大器的Q1-Q3共射极晶体管集电极供电电压和射频输入信号在时间上一致。本专利技术通过在5GGaAs射频功率放大器的Q1-Q3共射极晶体管的集电极加入包络跟踪器和包络检波电路，以及在Q1-Q3共射极晶体管的基极加入延时调节电路，有效地对不同射频输入功率精细化的调节集电极供电电压，从而显著地提高了5GGaAs射频功率放大器的效率。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于包络跟踪技术的5G GaAs射频功率放大器，包括射频输入端（1）与射频输出端（2），其特征在于：所述射频输入端（1）连接有延时调节电路（3），所述延时调节电路（3）的另一端连接有Q1‑Q3共射极晶体管（4），所述Q1‑Q3共射极晶体管（4）包括Q1共射极晶体管（5）、Q2共射极晶体管（6）、Q3共射极晶体管（7），所述Q1共射极晶体管（5）、Q2共射极晶体管（6）、Q3共射极晶体管（7）从左向右依次串联，所述Q1共射极晶体管（5）、Q2共射极晶体管（6）、Q3共射极晶体管（7）的集电极相连形成Q1‑Q3共射极晶体管（4）的集电极，所述Q1‑Q3共射极晶体管（4）的集电极连接有包络跟踪器（8），所述包络跟踪器（8）另一端连接有包络检波电路（9），所述包络检波电路（9）的另一端与射频输入端（1）相连，所述Q3共射极晶体管（7）的集电极与射频输出端（2）相连，所述Q1共射极晶体管（5）、Q2共射极晶体管（6）、Q3共射极晶体管（7）的发射极共同接地。

【技术特征摘要】
1.一种基于包络跟踪技术的5GGaAs射频功率放大器，包括射频输入端（1）与射频输出端（2），其特征在于：所述射频输入端（1）连接有延时调节电路（3），所述延时调节电路（3）的另一端连接有Q1-Q3共射极晶体管（4），所述Q1-Q3共射极晶体管（4）包括Q1共射极晶体管（5）、Q2共射极晶体管（6）、Q3共射极晶体管（7），所述Q1共射极晶体管（5）、Q2共射极晶体管（6）、Q3共射极晶体管（7）从左向右依次串联，所述Q1共射极晶体管（5）、Q2共射极晶体管（6）、Q3共射极晶体管（7）的集电极相连形成Q1-Q3共射极晶体管（4）的集电极，所述Q1-Q3共射极晶体管（4）的集电极连接有包络跟踪器（...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪洋，陈杰，梁绪亮，
申请(专利权)人：汪洋，
类型：发明
国别省市：安徽,34