一种带过流保护的多开关同步隔离驱动电路制造技术

本发明专利技术提供一种带过流保护的多开关同步隔离驱动电路，用于同步驱动多个半导体开关管，包括：控制电路，用于产生和输出模拟信号；原边驱动电路，与控制电路电连接，用于将模拟信号转化为双极型脉冲信号；磁隔离变压器，具有与原边驱动电路电连接的原边绕组、多个隔离地串联于原边绕组的穿心磁环以及缠绕于穿心磁环上的副边绕组，用于传输双极型脉冲信号；以及副边驱动控制电路，与磁隔离变压器的副边绕组电连接，用于接收双极型脉冲信号并生成隔离驱动信号，其中，原边驱动电路用于产生脉宽、相位以及频率均可调的双极型脉冲信号，副边驱动控制电路包括驱动模块和过流保护模块。

【技术实现步骤摘要】
一种带过流保护的多开关同步隔离驱动电路
本专利技术属于脉冲功率
，具体涉及一种带过流保护的多开关同步隔离驱动电路。
技术介绍
IGBT具有驱动功率小，导通压降低，电流容量大，耐压高等优点，是目前主流的半导体开关器件。但是单个开关管的通流和耐压能力仍有限，在需要高电压或大电流的情况下，通常将多个IGBT或MOSFET开关管串联或并联使用，因此需要对多个开关管进行同步驱动。然而不同开关管的工作电位不同，所以也需要对开关管的驱动信号进行隔离。常见的隔离驱动方案有磁隔离驱动、光纤或光耦隔离驱动。光纤成本太高且光纤接收器需隔离供电，一般较少采用。光耦耐压通常只有几千伏，不能满足高压电源的要求。而在常见的磁隔离驱动技术中，往往受到磁芯饱和的限制，驱动信号脉宽受到极大影响，其次无法输出负电压使开关管处于可靠关断状态，抗干扰能力降低。本专利技术采取的驱动电路拓扑可使脉宽不受磁芯饱和的限制，开关管承受负压关断。由于驱动功率全部由磁芯原边电路提供，所以磁芯副边不需要驱动芯片以及供电源。应用实践表明，过电流是电路中经常发生的故障，也是损坏IGBT等功率半导体开关的主要原因之一。以IGBT为例：目前常本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带过流保护的多开关同步隔离驱动电路，用于同步驱动多个半导体开关管，其特征在于，包括：控制电路，用于产生和输出模拟信号；原边驱动电路，与所述控制电路电连接，用于将所述模拟信号转化为双极型脉冲信号；磁隔离变压器，具有与所述原边驱动电路电连接的原边绕组、多个隔离地串联于所述原边绕组的穿心磁环以及缠绕于所述穿心磁环上的副边绕组，用于传输所述双极型脉冲信号；以及副边驱动控制电路，与所述磁隔离变压器的副边绕组电连接，用于接收所述双极型脉冲信号并生成隔离驱动信号，其中，所述原边驱动电路用于产生脉宽、相位以及频率均可调的所述双极型脉冲信号，所述副边驱动控制电路包括驱动模块和过流保护模块。

【技术特征摘要】
1.一种带过流保护的多开关同步隔离驱动电路，用于同步驱动多个半导体开关管，其特征在于，包括：控制电路，用于产生和输出模拟信号；原边驱动电路，与所述控制电路电连接，用于将所述模拟信号转化为双极型脉冲信号；磁隔离变压器，具有与所述原边驱动电路电连接的原边绕组、多个隔离地串联于所述原边绕组的穿心磁环以及缠绕于所述穿心磁环上的副边绕组，用于传输所述双极型脉冲信号；以及副边驱动控制电路，与所述磁隔离变压器的副边绕组电连接，用于接收所述双极型脉冲信号并生成隔离驱动信号，其中，所述原边驱动电路用于产生脉宽、相位以及频率均可调的所述双极型脉冲信号，所述副边驱动控制电路包括驱动模块和过流保护模块。2.根据权利要求1所述的带过流保护的多开关同步隔离驱动电路，其特征在于：其中，所述驱动模块包括源极与所述副边绕组的第一端连接且门极与所述副边绕组的第二端连接的第一MOS管Q1、源极与所述副边绕组的第二端连接且门极与所述副边绕组的第一端连接的的第二MOS管Q2以及与所述第一MOS管Q1连接的储能电容Cq。3.根据权利要求2所述的带过流保护的多开关同步隔离驱动电路，其特征在于：其中，所述第一MOS管Q1上设有二极...

【专利技术属性】
技术研发人员：饶俊峰，吴改生，姜松，李孜，曾彤，
申请(专利权)人：上海理工大学，
类型：发明
国别省市：上海,31