OLED基板的制作方法及OLED基板技术

本发明专利技术提供一种OLED基板的制作方法及OLED基板。该OLED基板的制作方法通过在TFT层上形成一层电极薄膜层，首先对该电极薄膜层进行湿蚀刻，降低所述电极薄膜层的表面粗糙度，再对所述电极薄膜层进行图案化处理得到像素电极，提高像素电极的平整度，减少尖端放电，降低OLED失效的可能性，提高OLED的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
OLED基板的制作方法及OLED基板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED基板的制作方法及OLED基板。
技术介绍
有机发光二极管显示装置(OrganicLightEmittingDisplay，OLED)具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、近180°视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。OLED器件通常包括：基板、设于基板上的阳极、设于阳极上的空穴注入层、设于空穴注入层上的空穴传输层、设于空穴传输层上的发光材料层、设于发光材料层上的电子传输层、设于电子传输层上的电子注入层、及设于电子注入层上的阴极。OLED器件的发光原理为半导体材料和有机发光材料在电场驱动下，通过载流子注入和复合导致发光。具体的，OLED器件通常采用氧化铟锡(ITO)电极和金属电极分别作为器件的阳极和阴极，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，电子和空穴分别经过电子传输层和空穴传输层迁移到发光材料层，并在发光材料层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。OLED按照驱动方式可以分为无源矩阵型OLED(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型OLED(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。OLED器件失效的原因有多种，其中一种是OLED基板的平整度不好，使OLED基板上有异常凸起物，这些异常凸起物容易造成尖端放电而导致OLED器件漏电或短路，因而产生不发光的区域，同时因该处高电流密度产生的焦耳热易导致有机材料变性、有机材料层界面混合及界面脱落而产生暗点。例如，常见的白光OLED的驱动电压V约为12.5V，阳极与阴极之间的膜层厚度d＝2500A＝2.5X10-7m，则OLED器件内的电压密度ξ＝V/d＝5X107V/m。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种OLED基板的制作方法，可以提高像素电极的平整度，减少尖端放电，降低OLED失效的可能性，提高OLED的可靠性。本专利技术的目的还在于提供一种OLED基板，像素电极的平整度高，减少尖端放电，OLED可靠性高。为实现上述目的，本专利技术提供了一种OLED基板的制作方法，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成TFT层；步骤S2、在所述TFT层上形成一层电极薄膜层，对所述电极薄膜层进行湿蚀刻以降低所述电极薄膜层的表面粗糙度；步骤S3、对所述电极薄膜层进行图案化处理得到像素电极。所述步骤S2中，采用盐酸、氢氟酸或氢氧化钾溶液对所述电极薄膜层进行湿蚀刻。所述步骤S2中，在对所述电极薄膜层进行湿蚀刻之前，所述电极薄膜层的厚度大于所述像素电极的厚度。所述电极薄膜层的厚度与所述像素电极的厚度之差为10-500A。所述TFT层包括设于所述衬底基板上的栅极、覆盖所述衬底基板及栅极的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的有源层、设于所述有源层上并分别与所述有源层两端连接的源极和漏极以及覆盖所述栅极绝缘层、有源层、源极和漏极上的钝化层。所述像素电极通过一贯穿钝化层的过孔与漏极接触。所述电极薄膜层的材料为ITO和Ag中的一种或两种的组合。所述步骤S2中，对所述电极薄膜层进行湿蚀刻而减少的厚度为10-500A。本专利技术还提供一种OLED基板，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的TFT层以及设于所述TFT层上的像素电极；通过在所述TFT层上形成一层电极薄膜层，对所述电极薄膜层进行湿蚀刻以降低所述电极薄膜层的表面粗糙度，再对所述电极薄膜层进行图案化处理得到所述像素电极。所述TFT层包括设于所述衬底基板上的栅极、覆盖所述衬底基板及栅极的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的有源层、设于所述有源层上并分别与所述有源层两端连接的源极和漏极以及覆盖所述栅极绝缘层、有源层、源极和漏极上的钝化层；所述像素电极通过一贯穿钝化层的过孔与漏极接触；所述电极薄膜层的材料为ITO和Ag中的一种或两种的组合。本专利技术的有益效果：本专利技术的OLED基板的制作方法通过在TFT层上形成一层电极薄膜层，首先对该电极薄膜层进行湿蚀刻，降低所述电极薄膜层的表面粗糙度，再对所述电极薄膜层进行图案化处理得到像素电极，提高像素电极的平整度，减少尖端放电，降低OLED失效的可能性，提高OLED的可靠性。本专利技术的OLED基板，像素电极的平整度高，减少尖端放电，降低OLED失效的可能性，OLED的可靠性高。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为本专利技术的OLED基板的制作方法的流程图；图2为本专利技术的OLED基板的制作方法步骤S1的示意图；图3为本专利技术的OLED基板的制作方法步骤S2的示意图；图4为本专利技术的OLED基板的制作方法步骤S3的示意图暨本专利技术的OLED基板的示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图1，本专利技术提供一种OLED基板的制作方法，包括如下步骤：步骤S1、请参阅图2，提供衬底基板10，在所述衬底基板10上形成TFT层20；步骤S2、请参阅图3，在所述TFT层20上形成一层电极薄膜层30，对所述电极薄膜层30进行湿蚀刻以降低所述电极薄膜层30的表面粗糙度；步骤S3、请参阅图4，对所述电极薄膜层30进行图案化处理得到像素电极40。需要说明的是，本专利技术通过在TFT层20上形成一层电极薄膜层30，首先对该电极薄膜层30进行湿蚀刻，降低所述电极薄膜层30的表面粗糙度，再对所述电极薄膜层30进行图案化处理得到像素电极40，提高像素电极40的平整度，减少尖端放电，降低OLED失效的可能性，提高OLED的可靠性。具体的，所述步骤S2中，采用盐酸(HCL)、氢氟酸(HF)或氢氧化钾(KOH)溶液对所述电极薄膜层30进行湿蚀刻。具体的，所述步骤S2中，在对所述电极薄膜层30进行湿蚀刻之前，所述电极薄膜层30的厚度大于所述像素电极40的厚度。也就是本专利技术适当增加了电极薄膜层30的厚度，保证对电极薄膜层30进行湿蚀刻，降低所述电极薄膜层30的表面粗糙度之后而不会使电极薄膜层30断开。进一步的，所述电极薄膜层30的厚度与所述像素电极40的厚度之差为10-500A，当然也可以根据实际膜层与处理方法进行调整，并保障在膜层结晶厚度以下。具体的，所述TFT层20包括设于所述衬底基板10上的栅极21、覆盖所述衬底基板10及栅极21的栅极绝缘层22、设于所述栅极绝缘层22上的有源层23、设于所述有源层23上并分别与所述有源层23两端连接的源极24和漏极25以及覆盖所述栅极绝缘层22、有源层23、源极24和漏极25上的钝化层26。具体的，所述像素电极40通过一贯穿钝化层26的过孔261与漏极25接触。具体的，所述电极薄膜层30的材料为ITO(氧化铟锡)和Ag(银)中的一种或两种的组合。具体的，所述步骤S2中，对所述电极薄膜层30进行湿蚀刻而减少本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成TFT层(20)；步骤S2、在所述TFT层(20)上形成一层电极薄膜层(30)，对所述电极薄膜层(30)进行湿蚀刻以降低所述电极薄膜层(30)的表面粗糙度；步骤S3、对所述电极薄膜层(30)进行图案化处理得到像素电极(40)。

【技术特征摘要】
1.一种OLED基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成TFT层(20)；步骤S2、在所述TFT层(20)上形成一层电极薄膜层(30)，对所述电极薄膜层(30)进行湿蚀刻以降低所述电极薄膜层(30)的表面粗糙度；步骤S3、对所述电极薄膜层(30)进行图案化处理得到像素电极(40)。2.如权利要求1所述的OLED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，采用盐酸、氢氟酸或氢氧化钾溶液对所述电极薄膜层(30)进行湿蚀刻。3.如权利要求1所述的OLED基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中，在对所述电极薄膜层(30)进行湿蚀刻之前，所述电极薄膜层(30)的厚度大于所述像素电极(40)的厚度。4.如权利要求3所述的OLED基板的制作方法，其特征在于，所述电极薄膜层(30)的厚度与所述像素电极(40)的厚度之差为10-500A。5.如权利要求1所述的OLED基板的制作方法，其特征在于，所述TFT层(20)包括设于所述衬底基板(10)上的栅极(21)、覆盖所述衬底基板(10)及栅极(21)的栅极绝缘层(22)、设于所述栅极绝缘层(22)上的有源层(23)、设于所述有源层(23)上并分别与所述有源层(23)两端连接的源极(24)和漏极(25)以及覆盖所述栅极绝缘层(22)、有源层(23)、源极(24)和漏极(25)上的钝化层(26)。6.如权利要求5所述的OLED基板的制作方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄伟，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44