一种离子中和器电子源及其设计与制备方法技术

技术编号:20871956 阅读:24 留言:0更新日期:2019-04-17 10:29
本发明专利技术公开了一种离子中和器电子源,包括控制极组件(11)和发射组件(12),控制极组件(11)设置控制极(1)、控制极绝缘陶瓷(2);发射组件(12)设置发射体(4)、发射体固定件(5、6)和发射体绝缘陶瓷(8);控制极组件(11)还设置转接杯形件(3);控制极组件(11)由控制极(1)、控制极绝缘陶瓷(2)和转接杯形件(3)焊接形成。采用上述技术方案,采用通用零件即可实现调整电极间距,发射体与控制极之间的距离可以根据要求随意调整,便于装配操作,提高工作效率,降低加工成本。

【技术实现步骤摘要】
一种离子中和器电子源及其设计与制备方法
本专利技术属于光电器件的
更具体地,本专利技术涉及一种离子中和器电子源。另外,本专利技术还涉及该离子中和器电子源的设计与制备方法。
技术介绍
离子中和器电子源是离子引擎中用于发射中和电子的电子枪,按照应用要求发射出一定大小的电流。在一定的控制电压下,发射体发射电流的大小和发射体与控制极之间的距离有关。在实践中,理论计算出的距离往往与实际应用存在一定的偏差,需要通过制作电子枪模型进行试验测试来修正。传统电子枪结构中,电极之间的距离通过电极固定件之间的距离来控制,电极固定件事先同绝缘陶瓷焊接成为枪壳。在现有技术中,往往需要进行多次试验才能确定该距离,因此需要加工不同尺寸的电极固定件,给装配工作带来不便,同时也增加了加工成本,造成浪费。
技术实现思路
本专利技术提供一种离子中和器电子源,其目的是更方便地调节发射体与控制极之间的距离。为了实现上述目的,本专利技术采取的技术方案为:本专利技术的离子中和器电子源,包括控制极组件和发射组件,所述的控制极组件设置控制极、控制极绝缘陶瓷;所述的发射组件设置发射体、发射体固定件和发射体绝缘陶瓷;所述的控制极组件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种离子中和器电子源,包括控制极组件(11)和发射组件(12),所述的控制极组件(11)设置控制极(1)、控制极绝缘陶瓷(2);所述的发射组件(12)设置发射体(4)、发射体固定件(5、6)和发射体绝缘陶瓷(8);其特征在于:所述的控制极组件(11)还设置转接杯形件(3);所述的控制极组件(11)由控制极(1)、控制极绝缘陶瓷(2)和转接杯形件(3)焊接形成。

【技术特征摘要】
1.一种离子中和器电子源,包括控制极组件(11)和发射组件(12),所述的控制极组件(11)设置控制极(1)、控制极绝缘陶瓷(2);所述的发射组件(12)设置发射体(4)、发射体固定件(5、6)和发射体绝缘陶瓷(8);其特征在于:所述的控制极组件(11)还设置转接杯形件(3);所述的控制极组件(11)由控制极(1)、控制极绝缘陶瓷(2)和转接杯形件(3)焊接形成。2.按照权利要求1所述的离子中和器电子源,其特征在于:所述的发射组件(12)设置转接件(7);所述的发射组件(12)由发射体(4)、发射体固定件(5、6)、转接件(7)和发射体绝缘陶瓷(8)焊接形成。3.按照权利要求2所述的离子中和器电子源,其特征在于:所述的控制极组件(11)中的转接杯形件(3)与发射组件(12)中的转接件(7)之间用激光焊接固定。4.按照权利要求1所述的离子中和器电子源,其特征在于:所述的发射体绝缘陶瓷(8)与发射体固定件(5、6)的焊接面上设有一定区域的非金属化面层(9、10)结构。5.按照权利要求1所述的离子中和器电子源,其特征在于:所述的发射体固定件(5、6)的形...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵艳珩沈旭东王芮袁璟春王冰冰侯信磊孟昭红刘鲁伟王鹏康卢希跃
申请(专利权)人:安徽华东光电技术研究所有限公司
类型:发明
国别省市:安徽,34

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