曝光对准方法技术

本发明专利技术公开一种曝光对准方法包含以下步骤：对第一组基板的多个对位标记中的每一个进行计测并进行平均，以得到第一计测平均值；对第二组基板的多个组的对位标记中的一组进行计测以得到多个第二计测值；对第一计测平均值及多个第二计测值进行比较，以得到一预测补偿值；及使用预测补偿值对第二组基板未进行计测的其他多个组的对位标记的对准进行补偿。如此可以改善曝光的节拍时间，提升基板的产能。

【技术实现步骤摘要】
曝光对准方法
本专利技术是有关于一种曝光对准方法，特别是有关于一种液晶面板阵列基板的曝光对准方法。
技术介绍
现今，液晶面板行业中通常阵列光刻产线(ArrayPhotoLine)是阵列基板厂产能瓶颈，而曝光机则为光刻产线的瓶颈设备，如果节拍时间过高将成为整条光刻产线乃至阵列基板厂的生产瓶颈。因此需要改善曝光机的节拍时间以提升阵列基板厂的产能。一般而言，曝光机的节拍时间包含对准时间和曝光时间，通过设计优化曝光机对准模式(AlignmentMode)，可有效缩短设备节拍时间，提高设备的生产效率。现有技术的曝光机(例如Canon公司的曝光机搭配的对准系统为OAS混合AA对准系统(以下简称“OAS对准系统”)，是一种对阵列基板上所有对位标记进行计测的技术。例如以1个批次28枚阵列基板为例，在对每枚阵列基板进行曝光制程之前，均需要对每枚阵列基板上所有对位标记进行计测。故，有必要提供一种曝光对准方法，以解决现有技术所存在的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种曝光对准方法，以解决现有技术所存在的节拍时间过高成为整条光刻产线生产瓶颈的问题。本专利技术的主要目的在于提供一种曝光对准方法，其可以有效缩短设备节拍时间，提高设备的生产效率。本专利技术的次要目的在于提供一种曝光对准方法，其可以使曝光机设备的节拍时间降低。为达成本专利技术的前述目的，本专利技术一实施例提供一种曝光对准方法，包含以下步骤：(a)提供多个基板，包含一第一组基板及一第二组基板，所述第一组基板具有多个对位标记，所述第二组基板具有多个组的对位标记；(b)对所述第一组基板的所述多个对位标记中的每一个进行计测，以得到多个第一计测值；(c)对所述多个第一计测值进行平均，以得到一第一计测平均值；(d)对所述第二组基板的所述多个组的对位标记中的一组进行计测以得到多个第二计测值；(e)对所述第一计测平均值及所述多个第二计测值进行比较，以得到一预测补偿值；及(f)使用所述预测补偿值对所述第二组基板未进行计测的其他多个组的对位标记的对准进行补偿。再者，本专利技术另一实施例提供另一种曝光对准方法，包含以下步骤：(a)提供多个基板单元，包含一第一组基板单元及一第二组基板单元，所述第一组基板单元具有多个对位标记，所述第二组基板单元具有多个对位标记；(b)对所述第一组基板单元的所有对位标记中的每一个进行计测，以得到多个第一计测值；(c)对所述第二组基板单元的所述多个组的对位标记中的一组进行计测以得到多个第二计测值；(d)对所述第一计测计测值及所述多个第二计测值进行比较，以得到一预测补偿值；及(e)使用所述预测补偿值对所述第二组基板单元未进行计测的其他多个组的对位标记的对准进行补偿。在本专利技术的一实施例中，所述第一组基板的所述多个对位标记具有一第一组对位标记、一第二组对位标记及一第三组对位标记，其中所述步骤(b)为：依序对所述第一组基板中的一第一基板的所述第一组对位标记、所述第二组对位标记及所述第三组对位标记进行计测，当所述第一基板的所述多个对位标记计测完成后，依序对所述第一组基板中的一第二基板的所述第一组对位标记、所述第二组对位标记及所述第三组对位标记进行计测。在本专利技术的一实施例中，所述第二组基板的所述多个组的对位标记具有一第一组对位标记、一第二组对位标记及一第三组对位标记，其中所述第二组对位标记位于所述多个基板的一中间区段处。在本专利技术的一实施例中，所述步骤(d)为仅对所述第二组基板的所述第二组对位标记进行计测以得到所述多个第二计测值。在本专利技术的一实施例中，所述多个基板为多个液晶面板的阵列基板。在本专利技术的一实施例中，所述第一组基板单元的所述多个对位标记具有一第一组对位标记、一第二组对位标记及一第三组对位标记，其中所述步骤(b)为：依序对所述第一组基板单元中的一第一基板单元的所述第一组对位标记、所述第二组对位标记及所述第三组对位标记进行计测，当所述第一基板单元的所述多个对位标记计测完成后，依序对所述第一组基板单元中的一第二基板单元的所述第一组对位标记、所述第二组对位标记及所述第三组对位标记进行计测。在本专利技术的一实施例中，所述第二组基板单元的所述多个组的对位标记具有一第一组对位标记、一第二组对位标记及一第三组对位标记，其中所述第二组对位标记位于所述多个基板单元的一中间区段处。在本专利技术的一实施例中，所述步骤(c)为仅对所述第二组基板单元的所述第二组对位标记进行计测以得到所述多个第二计测值。在本专利技术的一实施例中，在所述步骤(b)及(c)之间还包含：对所述多个第一计测值进行平均，以得到一第一计测平均值；以及其中所述步骤(d)为对所述第一计测平均值及所述多个第二计测值进行比较。与现有技术相比较，本专利技术的曝光对准方法，这样不但可简化曝光时曝光机对基板的对准工艺，还可以使得曝光机的节拍时间有效缩短。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1是本专利技术第一实施例曝光对准方法的流程示意图。图2是本专利技术第一实施例曝光对准方法的示意图。具体实施方式相关技术人员将理解，为简单及清楚起见，在图中所示的元件不一定按比例绘制。也就是说，在各种实施例中，图示所选择的元件以强化功能的理解及功能的设置。在市面上实施的案例中，一般容易理解且可能是有用或必需的元件，为方便以下的实施例的示意图不一定会描述。另外应了解的是，描述或描绘一方法的实施例中的某些动作及/或步骤，不一定需要以特定的顺序出现，对于本领域的技术人员而言，这样的特异性序列不一定需要。另外要了解的是，在说明书中所使用的词汇及用语皆具有一般的含义，除非本文所记载的还有其他特定的含义，不然对于这些词汇及用语皆为各自相应领域调查及研究的含义。为使本专利技术实施例的目的、技术方案及优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然地，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人±所理解的通常意义。本专利技术专利申请说明书及权利要求书中使用的“第一”、“第二”及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个，包含复数引用，除非上下文另有明确规定。例如，术语“一绝缘导热件”或“至少一个绝缘导热件”可以包含多个绝缘导热件，包含其组合物。以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。再者，本专利技术所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。本文所用术语“节拍时间(tacttime)”是指在一定时间长度内，总有效生产时间与客户需求数量的比值，随需求数量及需求期的有效工作时间的变化而变化。请参照图1所示，本专利技术第一实施例的曝光对准方法主要包含以下步骤：(S11)提供多个基板，包含一第一组基板及一第二组基板，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种曝光对准方法，其特征在于：所述曝光对准方法包含以下步骤：(a)提供多个基板，包含一第一组基板及一第二组基板，所述第一组基板具有多个对位标记，所述第二组基板具有多个组的对位标记；(b)对所述第一组基板的所述多个对位标记中的每一个进行计测，以得到多个第一计测值；(c)对所述多个第一计测值进行平均，以得到一第一计测平均值；(d)对所述第二组基板的所述多个组的对位标记中的一组进行计测以得到多个第二计测值；(e)对所述第一计测平均值及所述多个第二计测值进行比较，以得到一预测补偿值；及(f)使用所述预测补偿值对所述第二组基板未进行计测的其他多个组的对位标记的对准进行补偿。

【技术特征摘要】
1.一种曝光对准方法，其特征在于：所述曝光对准方法包含以下步骤：(a)提供多个基板，包含一第一组基板及一第二组基板，所述第一组基板具有多个对位标记，所述第二组基板具有多个组的对位标记；(b)对所述第一组基板的所述多个对位标记中的每一个进行计测，以得到多个第一计测值；(c)对所述多个第一计测值进行平均，以得到一第一计测平均值；(d)对所述第二组基板的所述多个组的对位标记中的一组进行计测以得到多个第二计测值；(e)对所述第一计测平均值及所述多个第二计测值进行比较，以得到一预测补偿值；及(f)使用所述预测补偿值对所述第二组基板未进行计测的其他多个组的对位标记的对准进行补偿。2.如权利要求1所述的曝光对准方法，其特征在于：所述第一组基板的所述多个对位标记具有一第一组对位标记、一第二组对位标记及一第三组对位标记，其中所述步骤(b)为：依序对所述第一组基板中的一第一基板的所述第一组对位标记、所述第二组对位标记及所述第三组对位标记进行计测，当所述第一基板的所述多个对位标记计测完成后，依序对所述第一组基板中的一第二基板的所述第一组对位标记、所述第二组对位标记及所述第三组对位标记进行计测。3.如权利要求1所述的曝光对准方法，其特征在于：所述第二组基板的所述多个组的对位标记具有一第一组对位标记、一第二组对位标记及一第三组对位标记，其中所述第二组对位标记位于所述多个基板的一中间区段处。4.如权利要求3所述的曝光对准方法，其特征在于：所述步骤(d)为仅对所述第二组基板的所述第二组对位标记进行计测以得到所述多个第二计测值。5.如权利要求1所述的曝光对准方法，其特征在于：所述多个基板为多个液晶面板的阵列基板。6.一种曝光对准方法，其特征在于：所述曝光对准方法包含以下步骤︰...

【专利技术属性】
技术研发人员：高通，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44