具有氯掺杂的纤芯和低弯曲损耗的单模光纤制造技术

揭示了单模光纤，其具有氯掺杂的纤芯和具有氟掺杂的凹陷区域的包层。光纤包括氯掺杂的二氧化硅纤芯，其具有纤芯α≥10，纤芯半径r1和最大折射率德尔塔Δ1最大值％和Cl浓度≥0.9重量％。光纤还具有围绕纤芯的包层，所述包层具有内包层和外包层。内包层具有第一和第二包层区域。光纤具有1310nm处大于9微米的模场直径，光缆截止波长≤1260nm，零色散波长λ0，其中，1300nm≤λ0≤1324nm，以及对于20mm心轴，1550nm处的弯曲损耗小于0.5dB/圈。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有氯掺杂的纤芯和低弯曲损耗的单模光纤本申请根据35U.S.C.§119，要求2016年07月29日提交的美国临时申请系列第62/368,712号的优先权，本文以该申请为基础并将其全文通过引用结合于此。
技术介绍
本公开一般地涉及具有低弯曲损耗的单模光纤，具体地，涉及具有氯掺杂的纤芯的顶光纤，更具体地，涉及这样的单模光纤，其具有氯掺杂的纤芯和具有氟掺杂的凹陷区域的包层。本文的任何引用并不承认构成现有技术。申请人明确保留质疑任何引用文件的准确性和针对性的权利。
技术实现思路
对于用于通讯应用的光纤，低衰减是重要的性质。本文所揭示的光纤特别适用于海底和陆地长途(haul)系统的光纤光缆中的低衰减光纤。本公开的一个实施方式是一种光纤，其包括：a)氯掺杂的二氧化硅纤芯，其具有纤芯α≥10，纤芯半径r1和最大折射率德尔塔Δ1最大值％和Cl浓度≥0.9重量％；b)围绕纤芯的包层，所述包层包括：a.内包层区域，其直接围绕了纤芯且包括第一和第二包层区域(分别具有外半径r2a和r2，其中，r2a<r2)，所述第二包层区域包括折射率德尔塔Δ2，在半径r2a处具有最小折射率德尔塔Δ2最小值，和在半径r2处具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光纤，其包括：a)氯掺杂的二氧化硅纤芯，其包括：纤芯α≥10，纤芯半径r1和最大折射率德尔塔Δ1最大值％和Cl浓度≥0.9重量％；b)围绕纤芯的包层，所述包层包括：a.内包层区域，其直接围绕纤芯且包括第一和第二包层区域，它们分别具有外半径r2a和r2，其中，r2a

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.07.29 US 62/368,7121.一种光纤，其包括：a)氯掺杂的二氧化硅纤芯，其包括：纤芯α≥10，纤芯半径r1和最大折射率德尔塔Δ1最大值％和Cl浓度≥0.9重量％；b)围绕纤芯的包层，所述包层包括：a.内包层区域，其直接围绕纤芯且包括第一和第二包层区域，它们分别具有外半径r2a和r2，其中，r2a<r2，所述第二包层区域包括折射率德尔塔Δ2，在半径r2a处具有最小折射率德尔塔Δ2最小值，和在半径r2处具有最大折射率德尔塔Δ2最大值，使得Δ2最小值<Δ2最大值<Δ1最大值，以及包括折射率斜率TS＝(Δ2最大值–Δ2最小值)/(r2-r1)>0；b.外包层区域，其围绕所述第一内包层区域并且包括外半径r最大值和折射率Δ5，使得Δ2最小值<Δ5<Δ2最大值；以及c)其中，所述光纤包括：1310nm处大于9微米的模场直径MFD，光缆截止波长≤1260nm，零色散波长λ0，其中，1300nm≤λ0≤1324nm，以及对于20mm心轴，1550nm处的弯曲损耗小于0.5dB/圈。2.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述第一包层区域包括氟掺杂的二氧化硅。3.如权利要求2所述的光纤，其特征在于，所述第一包层区域基本由氟掺杂的二氧化硅和氯掺杂的二氧化硅构成。4.如权利要求1、2或3所述的光纤，其特征在于，包层还包括第三包层区域，其直接围绕了所述第二包层区域且包括折射率德尔塔Δ3和最大折射率德尔塔Δ3最大值，使得Δ5<Δ3最大值。5.如权利要求4所述的光纤，其特征在于，包层还包括第四包层区域，其直接围绕了所述第三包层区域且包括折射率德尔塔Δ4和最小折射率德尔塔Δ4，使得Δ4<Δ5。6.如权利要求3或4所述的光纤，其特征在于，所述第三包层区域...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·C·布克班德，MJ·李，S·K·米史拉，P·坦登，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US