一种SSD及其数据掉电保护方法、系统、装置制造方法及图纸

本申请公开了一种SSD的数据掉电保护方法、系统及装置，包括：分别在DRAM和FRAM中写入同步数据；当SSD异常掉电，将缓存数据保存到所述FRAM中，并在所述FRAM中写入异常掉电标志；其中，所述缓存数据包括内部寄存器和cache中的数据。由于本申请中DRAM中的数据已经作为同步数据写入FRAM中，在SSD异常掉电时只需要再将缓存数据保存到FRAM中即可，而缓存数据较少，保存到FRAM的过程耗电量较少，除超级电容外的其他电容就可以作为供电模块为该保存动作提供电量，避免了使用超级电容时焊接复杂、占用空间大的问题。本申请还相应公开了一种SSD，具有相同的有益效果。

【技术实现步骤摘要】
一种SSD及其数据掉电保护方法、系统、装置
本专利技术涉及存储器领域，特别涉及一种SSD及其数据掉电保护方法、系统、装置。
技术介绍
固态硬盘(SolidStateDrives，简称SSD)是一种数据存储介质，固态硬盘通常包括主控芯片(controller)，闪存(Flash)，缓存(RAM)及其它相关器件组成。其中，闪存芯片是非易失性存储介质，在停止供电后不会丢失数据，而缓存芯片现在通常使用DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)，由于DRAM掉电后，保存在其中的数据会丢失。为了保证数据存储的可靠性，通常企业级SSD中会增加备电模块，SSD在外部异常掉电之后，使用内部备电模块维持一段时间的供电，将缓存中的数据传输到闪存中进行保存，防止数据丢失。SSD的备电模块通常由超级电容与相关的电容充放电控制模块组成。由于技术限制，目前超级电容一般体积较大，占用了较多SSD内部空间，而且超级电容多为直插式器件，而SSD内部器件多为表贴式器件，因此，使用超级电容增加了SSD的加工难度。因此，如何提供一种解决上述技术问题的方案是目前本领域技术人员需要解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种SSD及其数据掉电保护方法、系统、装置。其具体方案如下：一种SSD的数据掉电保护方法，包括：分别在DRAM和FRAM中写入同步数据；当SSD异常掉电，将缓存数据保存到所述FRAM中，并在所述FRAM中写入异常掉电标志；其中，所述缓存数据包括内部寄存器和cache中的数据。优选的，所述分别在DRAM和FRAM中写入同步数据的过程，具体包括：同时在DRAM和FRAM中写入同步数据。优选的，所述数据掉电保护方法还包括：当所述SSD重新上电，检测所述FRAM中是否存在所述异常掉电标志；如果是，读取所述缓存数据，并将所述FRAM中的所述同步数据写入所述DRAM中；如果否，直接将所述FRAM中的所述同步数据写入所述DRAM中。相应的，本专利技术公开了一种SSD的数据掉电保护系统，包括：写入模块，用于分别在DRAM和FRAM中写入同步数据；掉电保护模块，用于当SSD异常掉电，将缓存数据保存到所述FRAM中，并在所述FRAM中写入异常掉电标志；其中，所述缓存数据包括内部寄存器和cache中的数据。优选的，所述写入模块具体用于：同时在DRAM和FRAM中写入同步数据。优选的，所述数据掉电保护系统还包括掉电恢复模块，具体用于：当所述SSD重新上电，检测所述FRAM中是否存在所述异常掉电标志；如果是，读取所述缓存数据，并将所述FRAM中的所述同步数据写入所述DRAM中；如果否，直接将所述FRAM中的所述同步数据写入所述DRAM中。相应的，本专利技术公开了一种SSD的数据掉电保护装置，包括存储器，处理器，DRAM和FRAM；其中，所述处理器通过调用所述存储器中的程序执行以下步骤：分别在所述DRAM和所述FRAM中写入同步数据；当SSD异常掉电，将缓存数据保存到所述FRAM中，并在所述FRAM中写入异常掉电标志；其中，所述缓存数据包括内部寄存器和cache中的数据。优选的，所述处理器执行所述分别在所述DRAM和所述FRAM中写入同步数据的过程，具体包括：同时在所述DRAM和所述FRAM中写入同步数据。优选的，所述处理器通过调用所述存储器中的程序还执行以下步骤：当所述SSD重新上电，检测所述FRAM中是否存在所述异常掉电标志；如果是，读取所述缓存数据，并将所述FRAM中的所述同步数据写入所述DRAM中；如果否，直接将所述FRAM中的所述同步数据写入所述DRAM中。相应的，本专利技术公开了一种SSD，包括：如上文所述SSD的数据掉电保护装置；包括表贴式电容的备电模块。本专利技术公开了一种SSD的数据掉电保护方法，包括：分别在DRAM和FRAM中写入同步数据；当SSD异常掉电，将缓存数据保存到所述FRAM中，并在所述FRAM中写入异常掉电标志；其中，所述缓存数据包括内部寄存器和cache中的数据。由于本专利技术中DRAM中的数据已经作为同步数据写入FRAM中，在SSD异常掉电时只需要再将缓存数据保存到FRAM中即可，而缓存数据较少，保存到FRAM的过程耗电量较少，除超级电容外的其他电容就可以作为供电模块为该保存动作提供电量，避免了使用超级电容时焊接复杂、占用空间大的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例中一种SSD的数据掉电保护方法的步骤流程图；图2为本专利技术实施例中一种SSD的数据掉电保护系统的结构分布图；图3为本专利技术实施例中一种SSD的数据掉电保护装置的结构分布图；图4为本专利技术实施例中一种SSD的结构分布图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。固态硬盘(SolidStateDrives，简称SSD)是一种数据存储介质，固态硬盘通常包括主控芯片(controller)，闪存(Flash)，缓存(RAM)及其它相关器件组成。其中，闪存芯片是非易失性存储介质，在停止供电后不会丢失数据，而缓存芯片现在通常使用DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)，由于DRAM掉电后，保存在其中的数据会丢失。为了保证数据存储的可靠性，通常企业级SSD中会增加备电模块，SSD在外部异常掉电之后，使用内部备电模块维持一段时间的供电，将缓存中的数据传输到闪存中进行保存，防止数据丢失。SSD的备电模块通常由超级电容与相关的电容充放电控制模块组成。由于技术限制，目前超级电容一般体积较大，占用了较多SSD内部空间，而且超级电容多为直插式器件，而SSD内部器件多为表贴式器件，因此，使用超级电容增加了SSD的加工难度。由于本专利技术中DRAM中的数据已经作为同步数据写入FRAM中，在SSD异常掉电时只需要再将缓存数据保存到FRAM中即可，而缓存数据较少，保存到FRAM的过程耗电量较少，除超级电容外的其他电容就可以作为供电模块为该保存动作提供电量，避免了使用超级电容时焊接复杂、占用空间大的问题。本专利技术实施例公开了一种SSD的数据掉电保护方法，参见图1所示，包括：S1：分别在DRAM和FRAM中写入同步数据；S2：当SSD异常掉电，将缓存数据保存到所述FRAM中，并在所述FRAM中写入异常掉电标志；其中，所述缓存数据包括内部寄存器和cache中的数据。其中，FRAM(FerromagneticRandomAccessMemory，铁电存储器)利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，且具有非易失性存储介质的特点，断电后不会丢失数据。其中，所述分别在DRAM和FRAM中写入同步数据的过程，具体包括：同时在DRAM和F本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SSD的数据掉电保护方法，其特征在于，包括：分别在DRAM和FRAM中写入同步数据；当SSD异常掉电，将缓存数据保存到所述FRAM中，并在所述FRAM中写入异常掉电标志；其中，所述缓存数据包括内部寄存器和cache中的数据。

【技术特征摘要】
1.一种SSD的数据掉电保护方法，其特征在于，包括：分别在DRAM和FRAM中写入同步数据；当SSD异常掉电，将缓存数据保存到所述FRAM中，并在所述FRAM中写入异常掉电标志；其中，所述缓存数据包括内部寄存器和cache中的数据。2.根据权利要求1所述数据掉电保护方法，其特征在于，所述分别在DRAM和FRAM中写入同步数据的过程，具体包括：同时在DRAM和FRAM中写入同步数据。3.根据权利要求1或2所述数据掉电保护方法，其特征在于，还包括：当所述SSD重新上电，检测所述FRAM中是否存在所述异常掉电标志；如果是，读取所述缓存数据，并将所述FRAM中的所述同步数据写入所述DRAM中；如果否，直接将所述FRAM中的所述同步数据写入所述DRAM中。4.一种SSD的数据掉电保护系统，其特征在于，包括：写入模块，用于分别在DRAM和FRAM中写入同步数据；掉电保护模块，用于当SSD异常掉电，将缓存数据保存到所述FRAM中，并在所述FRAM中写入异常掉电标志；其中，所述缓存数据包括内部寄存器和cache中的数据。5.根据权利要求4所述数据掉电保护系统，其特征在于，所述写入模块具体用于：同时在DRAM和FRAM中写入同步数据。6.根据权利要求4或5所述数据掉电保护系统，其特征在于，还包括掉电恢复模块，具体用于：当所述SSD重...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐玉坤，
申请(专利权)人：浪潮北京电子信息产业有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11