The present disclosure relates to the field of microfluidic technology. A driving circuit, a microfluidic device and a driving method of the microfluidic device electrode are proposed. The microfluidic device comprises a common electrode and a driving electrode, and the driving circuit comprises a first transistor and a second transistor. The first end of the first transistor receives the driving signal, the second end connects the driving electrode, and the control end receives the scanning signal; the first end of the second transistor connects with the driving electrode, and the second end connects the common electrode, and the control end receives the scanning signal; among them, the transistor type of the first transistor and the second transistor are different. The present disclosure avoids control confusion caused by leakage of the first transistor to a non-target driving electrode by setting a second transistor different from the first transistor type.
【技术实现步骤摘要】
微流控装置电极的驱动电路、微流控装置及驱动方法
本公开涉及微流控
,尤其涉及一种微流控装置电极的驱动电路、微流控装置及驱动方法。
技术介绍
微流控技术是控制微小液滴流动、分裂、融合等定向移动的技术,微流控技术被广泛应用在医药、化学、生物等多个领域。目前,微流控技术主要是将液滴放置在疏水层内,借助电润湿效应,通过在液滴与疏水层之间施加电压,增加液滴与疏水层之间的润湿性,从而形成液滴不对称形变并产生内部压强差,进而实现液滴定向移动。相关技术中,通常在疏水层远离液滴的一侧设置多个独立的驱动电极,在液滴远离驱动电极一侧设置公共电极(公共电极与接地端连接),通过一晶体管向目标驱动电极施加外加电压,在驱动电极与公共电极之间的电压作用下在液滴与疏水层之间形成电压,进而驱动液滴定向移动。然而,当晶体管漏电时,晶体管会向非目标驱动电极充电,从而导致液滴不能在预设路径上移动。
技术实现思路
本公开的目的在于提供一种微流控装置电极的驱动电路、微流控装置及驱动方法,该微流控装置电极的驱动电路用于克服相关技术中由于晶体管漏电造成的控制混乱。根据本公开的一方面,提供一种微流控装置电极的驱动 ...
【技术保护点】
1.一种微流控装置电极的驱动电路,所述微流控装置包括公共电极和驱动电极,其特征在于,所述驱动电路包括:第一晶体管,第一端接收驱动信号,第二端连接所述驱动电极,控制端接收扫描信号;第二晶体管,第一端与所述驱动电极连接,第二端连接所述公共电极,控制端接收所述扫描信号;其中,所述第一晶体管和所述第二晶体管的晶体管类型不同。
【技术特征摘要】
1.一种微流控装置电极的驱动电路,所述微流控装置包括公共电极和驱动电极,其特征在于,所述驱动电路包括:第一晶体管,第一端接收驱动信号,第二端连接所述驱动电极,控制端接收扫描信号;第二晶体管,第一端与所述驱动电极连接,第二端连接所述公共电极,控制端接收所述扫描信号;其中,所述第一晶体管和所述第二晶体管的晶体管类型不同。2.根据权利要求1所述的微流控装置电极的驱动电路,其特征在于,所述第一晶体管为N沟道型晶体管,所述第二晶体管为P沟道型晶体管。3.根据权利要求2所述的微流控装置电极的驱动电路,其特征在于,导通所述第一晶体管的逻辑电平为高电平,关断所述第一晶体管的逻辑电平为低电平。4.根据权利要求2所述的微流控装置电极的驱动电路,其特征在于,导通所述第二晶体管的逻辑电平为低电平,关断所述第二晶体管的逻辑电平为高电平。5.根据权利要求1所述的微流控装置电极的驱动电路,其特征在于,所述第一晶体管为P沟道型晶体管,所述第二晶体管为N沟道型晶体管。6.根据权利要求5所述的微流控装置电极的驱动电路,其特征在于,导通所述第一晶体管的逻辑电平为低电平,关断所述第一晶体管的逻辑电平为高电平。7.根据权利要求5所述的微流控装置电极的驱动...
【专利技术属性】
技术研发人员:张平,王海生,丁小梁,刘英明,曹学友,王鹏鹏,邓立凯,顾品超,秦云科,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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