Electro-optic devices and electronic equipment. An electro-optic device capable of displaying high-resolution and multi-gray-scale high-quality images with low power consumption is realized. The electro-optic device (10) is characterized by: a scanning line (42); a signal line (43); a pixel circuit (41), which corresponds to the intersection of a scanning line (42) and a signal line (43); a low potential line (46); and a high potential line (47), whose potential is different from that of a low potential line (46). The pixel circuit (41) comprises a light emitting element (20); a storage circuit (60), which comprises a first transistor (31); and a second transistor (32). The device is arranged between the storage circuit (60) and the signal line (43), and the source pole of the third transistor (33), the source pole of the first transistor (31) and the low potential line (46), and the light emitting elements (20) and the third transistor (33) are arranged in series between the drain pole of the first transistor (31) and the high potential line (47).
【技术实现步骤摘要】
电光装置以及电子设备
本专利技术涉及电光装置以及电子设备。
技术介绍
近年来,作为能够形成和观察虚像的电子设备,提出了将来自电光装置的影像光引导至观察者的瞳孔的类型的头戴显示器(HMD)。在这种电子设备中,作为电光装置,例如使用了具有作为发光元件的有机EL(ElectroLuminescence)元件的有机EL装置。在用于头戴显示器的有机EL装置中,要求高分辨率化(像素的微细化)、显示的多灰度化、低功耗化。在以往的有机EL装置中,当通过供给到扫描线的扫描信号使选择晶体管成为导通状态时,基于从信号线供给的图像信号的电位被与驱动晶体管的栅极连接的电容元件保持。当根据电容元件保持的电位即驱动晶体管的栅极电位,使驱动晶体管成为导通状态时,在有机EL元件中流过与驱动晶体管的栅极电位对应的量的电流,有机EL元件按照与其电流量对应的亮度发光。这样,在以往的有机EL装置中,利用根据驱动晶体管的栅极电位来控制流过有机EL元件的电流的模拟驱动来进行灰度显示,因此存在如下课题:因驱动晶体管的电压电流特性或阈值电压的偏差而导致像素之间产生明亮度的偏差或灰度的偏移,从而使显示质量下降。对此 ...
【技术保护点】
1.一种电光装置,其特征在于,该电光装置具有:扫描线;信号线;像素电路,其与所述扫描线以及所述信号线的交叉处对应地设置;第1电位线;以及第2电位线,其电位与所述第1电位线不同,所述像素电路包含:发光元件;存储电路,其包含第1晶体管;第2晶体管,其配置在所述存储电路与所述信号线之间;以及第3晶体管,所述第1晶体管的源极与所述第1电位线电连接,在所述第1晶体管的漏极与所述第2电位线之间串联配置有所述发光元件和所述第3晶体管。
【技术特征摘要】
2017.09.27 JP 2017-1858671.一种电光装置,其特征在于,该电光装置具有:扫描线;信号线;像素电路,其与所述扫描线以及所述信号线的交叉处对应地设置;第1电位线;以及第2电位线,其电位与所述第1电位线不同,所述像素电路包含:发光元件;存储电路,其包含第1晶体管;第2晶体管,其配置在所述存储电路与所述信号线之间;以及第3晶体管,所述第1晶体管的源极与所述第1电位线电连接,在所述第1晶体管的漏极与所述第2电位线之间串联配置有所述发光元件和所述第3晶体管。2.根据权利要求1所述的电光装置,其特征在于,所述第3晶体管的漏极与所述发光元件电连接。3.根据权利要求1所述的电光装置,其特征在于,所述第3晶体管的导通电阻比所述发光元件的导通电阻低。4.根据权利要求1所述的电光装置,其特征在于,所述第1晶体管的导通电阻为所述第3晶体管的导通电阻以下。5.根据权利要求1所述的电光装置,其特征在于,在所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:宫坂光敏,百濑洋一,
申请(专利权)人:精工爱普生株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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