一种低剖面双向双极化微带天线制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低剖面双向双极化微带天线，包括介质基板，介质基板的前表面设置有方形振子辐射单元，介质基板的前表面位于方形振子辐射单元的外侧设置有第一回字形辐射地基，介质基板的背面设置有第二回字形辐射地基，介质基板沿第一回字形辐射地基的内侧边缘设置有多个贯穿介质基板的金属化孔。其有益效果是：加工容易、重量轻、双向辐射、超宽带。

【技术实现步骤摘要】
一种低剖面双向双极化微带天线
本技术涉及一种低剖面双向双极化微带天线。
技术介绍
随着通信天线技术的发展，移动通信在人们的日常生活中越来越发挥着重要的作用，基站的数量随着用户的不断增加而增加。为了提高通信质量，使用户在不同的使用环境中都能得到比较满意的通信效果，基站对天线也提出了更高的要求，不仅要求频带宽、电气性能好，而且要求能适用于各种环境的天线品种要多。例如，通常应用在一些特殊应用场景，如狭长的街道、窒内走廊、遂道、地铁、公路、铁路沿线，在这些场合中，都需要使用一种双向天线，一般要求天线应具有：双向辐射、宽频带、高增益特性；同时，为了进一步减小天线设备的体积，要求天线要具有低剖面特性。而传统的双向天线则是把两个定向天线，经功分器背靠背地组合在一起。用这种方法构成的双向天线存在结构和馈电网络复杂、尺寸大、带宽窄、成本高等缺点。为此,本申请在环天线理论基础上，提出了一种低剖面双向双极化微带天线，实现了高增益的双向辐射，同时经测量阻抗带宽可以达到40％，实现了天线的超宽带特性，为解决3G/4G系统室内走廊两侧纵深区域信号覆盖问题提供了一种高效、可行的双定向天线选择方案。
技术实现思路
本技术要解决的问题是提供一种加工容易、重量轻、双向辐射、超宽带的低剖面双向双极化微带天线。为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：一种低剖面双向双极化微带天线，包括介质基板，其特征在于，所述介质基板的前表面设置有方形振子辐射单元，所述介质基板的前表面位于方形振子辐射单元的外侧设置有第一回字形辐射地基，所述方形振子辐射单元与所述第一回字形辐射地基之间设置有间隙，所述第一回字形辐射地基的上内侧边缘设置有上缺口，所述第一回字形辐射地基的下内侧边缘设置有下缺口，所述第一回字形辐射地基的左内侧边缘设置有左缺口，所述第一回字形辐射地基的右内侧边缘设置有右缺口，所述方形振子辐射单元的顶部连接有延伸至所述上缺口内腔中并与所述第一回字形辐射地基连接的竖直λ/4短路线，所述方形振子辐射单元的左侧连接有延伸至所述左缺口内腔中并与所述第一回字形辐射地基连接的水平λ/4短路线，所述方形振子辐射单元的底部连接有延伸至所述下缺口内腔中的下微带馈线，所述方形振子辐射单元的右侧连接有延伸至所述右缺口内腔中的右微带馈线，所述下微带馈线、右微带馈线与所述第一回字形辐射地基之间均设置有空隙，所述介质基板的背面设置有第二回字形辐射地基，所述介质基板上沿所述第一回字形辐射地基的内侧边缘设置有多个贯穿所述介质基板的金属化孔，所述金属化孔的两端分别与所述第一回字形辐射地基、第二回字形辐射地基连接。优选地，上述的低剖面双向双极化微带天线，其中所述介质基板为F4B高频板且介电常数为2.65。优选地，上述的低剖面双向双极化微带天线，其中所述介质基板的长度为100mm，宽度为100mm，厚度为1mm。优选地，上述的低剖面双向双极化微带天线，其中所述第二回字形辐射地基的上内侧边缘和左内侧边缘均设置有开槽。优选地，上述的低剖面双向双极化微带天线，其中所述竖直λ/4短路线与所述水平λ/4短路线垂直设置。优选地，上述的低剖面双向双极化微带天线，其中所述下微带馈线、右微带馈线垂直设置。本技术的技术效果主要体现在：(1)、本技术包括介质基板、方形振子辐射单元、第一回字形辐射地基、第二回字形辐射地基，这样设计结构简单，加工容易，重量轻；(2)、本技术可向前后两个方向辐射和接收信号，实现了高增益的双向辐射；同时阻抗带宽可以达到40％，实现了天线的超宽带特性；(3)、本申请为3G/4G系统室内走廊两侧纵深区域信号覆盖问题提供了一种高效、可行的双定向天线方案。附图说明图1为本技术的主视图；图2为本技术的后视图。具体实施方式以下结合附图，对本技术的具体实施方式作进一步地详述，以使本技术的技术方案更易于理解和掌握。如图1、2所示，一种低剖面双向双极化微带天线，包括介质基板1，本技术中的介质基板1为F4B高频板且介电常数为2.65。介质基板1的长度为100mm，宽度为100mm，厚度为1mm。介质基板1的前表面设置有方形振子辐射单元2，介质基板1的前表面位于方形振子辐射单元1的外侧设置有第一回字形辐射地基3，方形振子辐射单元2与第一回字形辐射地基3之间设置有间隙，第一回字形辐射地基3的上内侧边缘设置有上缺口31，第一回字形辐射地基3的下内侧边缘设置有下缺口32，第一回字形辐射地基3的左内侧边缘设置有左缺口33，第一回字形辐射地基3的右内侧边缘设置有右缺口34。方形振子辐射单元2的顶部连接有延伸至上缺口31内腔中并与第一回字形辐射地基3连接的竖直λ/4短路线41，方形振子辐射单元2的左侧连接有延伸至左缺口33内腔中并与第一回字形辐射地基3连接的水平λ/4短路线42，本技术中的竖直λ/4短路线41与水平λ/4短路线42垂直设置。方形振子辐射单元2的底部连接有延伸至下缺口32内腔中的下微带馈线43，方形振子辐射单元2的右侧连接有延伸至右缺口34内腔中的右微带馈线44，下微带馈线43、右微带馈线44与第一回字形辐射地基3之间均设置有空隙。本技术中的下微带馈线43、右微带馈线44垂直设置。介质基板1的背面设置有第二回字形辐射地基5，介质基板1上沿第一回字形辐射地基3的内侧边缘设置有多个贯穿介质基板1的金属化孔6，金属化孔6的两端分别与第一回字形辐射地基3、第二回字形辐射地基5连接。本技术中的第一回字形辐射地基3、第二回字形辐射地基5、方形振子辐射单元2均为涂覆铜。本技术中的第二回字形辐射地基5的上内侧边缘和左内侧边缘均设置有开槽50。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以及特定的方位构造和操作，因此，不能理解为对本技术的限制。此外，“第一”、“第二”仅由于描述目的，且不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。因此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低剖面双向双极化微带天线，包括介质基板，其特征在于：所述介质基板的前表面设置有方形振子辐射单元，所述介质基板的前表面位于方形振子辐射单元的外侧设置有第一回字形辐射地基，所述方形振子辐射单元与所述第一回字形辐射地基之间设置有间隙，所述第一回字形辐射地基的上内侧边缘设置有上缺口，所述第一回字形辐射地基的下内侧边缘设置有下缺口，所述第一回字形辐射地基的左内侧边缘设置有左缺口，所述第一回字形辐射地基的右内侧边缘设置有右缺口，所述方形振子辐射单元的顶部连接有延伸至所述上缺口内腔中并与所述第一回字形辐射地基连接的竖直λ/4短路线，所述方形振子辐射单元的左侧连接有延伸至所述左缺口内腔中并与所述第一回字形辐射地基连接的水平λ/4短路线，所述方形振子辐射单元的底部连接有延伸至所述下缺口内腔中的下微带馈线，所述方形振子辐射单元的右侧连接有延伸至所述右缺口内腔中的右微带馈线，所述下微带馈线、右微带馈线与所述第一回字形辐射地基之间均设置有空隙，所述介质基板的背面设置有第二回字形辐射地基，所述介质基板上沿所述第一回字形辐射地基的内侧边缘设置有多个贯穿所述介质基板的金属化孔，所述金属化孔的两端分别与所述第一回字形辐射地基、第二回字形辐射地基连接。...

【技术特征摘要】
1.一种低剖面双向双极化微带天线，包括介质基板，其特征在于：所述介质基板的前表面设置有方形振子辐射单元，所述介质基板的前表面位于方形振子辐射单元的外侧设置有第一回字形辐射地基，所述方形振子辐射单元与所述第一回字形辐射地基之间设置有间隙，所述第一回字形辐射地基的上内侧边缘设置有上缺口，所述第一回字形辐射地基的下内侧边缘设置有下缺口，所述第一回字形辐射地基的左内侧边缘设置有左缺口，所述第一回字形辐射地基的右内侧边缘设置有右缺口，所述方形振子辐射单元的顶部连接有延伸至所述上缺口内腔中并与所述第一回字形辐射地基连接的竖直λ/4短路线，所述方形振子辐射单元的左侧连接有延伸至所述左缺口内腔中并与所述第一回字形辐射地基连接的水平λ/4短路线，所述方形振子辐射单元的底部连接有延伸至所述下缺口内腔中的下微带馈线，所述方形振子辐射单元的右侧连接有延伸至所述右缺口内腔中的右微带馈线，所述下微带馈线、右微带馈线与所述第一回字形...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖东山，彭猛，冯杰，彭云，
申请(专利权)人：佛山市戴柏通信技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44