【技术实现步骤摘要】
一种半导体制冷管式黑体辐射源
本技术涉及一种黑体辐射源,特别涉及一种半导体制冷管式黑体辐射源。
技术介绍
现有的低温黑体辐射源,多用恒温油槽做为介质加热或制冷黑体腔形靶芯,升降温速度和稳定速度很慢。有的用半导体制冷的黑体辐射源,也只是平面辐射源,发射率远低于腔体辐射源。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的缺点与不足,提供一种黑体辐射源,能够快速升降温,温度稳定时间短,温场均匀性好,发射率高。本技术的目的通过下述技术方案实现:一种半导体制冷管式黑体辐射源,包括设有辐射源的辐射靶芯和包围在辐射靶芯周围的冷却媒介,所述冷却媒介包括半导体制冷片和水冷散热装置,其中,半导体制冷片的冷端紧贴在辐射靶芯的外表面,半导体制冷片的热端贴在水冷散热装置上。作为优选的实施方案,所述辐射靶芯的形状为长方体或者正方体。作为优选的实施方案,所述辐射源为设置在辐射靶芯中部的管体腔,所述管体腔一端封闭,另一端开口。作为优选的实施方案,所述半导体制冷片包括左制冷片、右制冷片、上制冷片、下制冷片和后制冷片,所述左制冷片的冷端、右制冷片的冷端、上制冷片的冷端、下制冷片的冷端、后制冷片分别贴在长方体或者正方体的四周。作为优选的实施方案,所述水冷散热装置包括左冷却腔、右冷却腔、上冷却腔、下冷却腔和后冷却腔,所述左冷却腔、右冷却腔、上冷却腔、下冷却腔、后冷却腔分别对应贴在左制冷片、右制冷片、上制冷片、下制冷片、后制冷片的外表面。作为优选的实施方案,所述左冷却腔、右冷却腔、上冷却腔、下冷却腔、后冷却腔都设有进水口和出水口。作为优选的实施方案,所述管体腔封闭的一端与后制冷片之间安装一个温度传感器。作为 ...
【技术保护点】
1.一种半导体制冷管式黑体辐射源,包括设有辐射源的辐射靶芯和包围在辐射靶芯周围的冷却媒介,其特征在于,所述冷却媒介包括半导体制冷片和水冷散热装置,其中,半导体制冷片的冷端紧贴在辐射靶芯的外表面,半导体制冷片的热端贴在水冷散热装置上。
【技术特征摘要】
1.一种半导体制冷管式黑体辐射源,包括设有辐射源的辐射靶芯和包围在辐射靶芯周围的冷却媒介,其特征在于,所述冷却媒介包括半导体制冷片和水冷散热装置,其中,半导体制冷片的冷端紧贴在辐射靶芯的外表面,半导体制冷片的热端贴在水冷散热装置上。2.根据权利要求1所述的半导体制冷管式黑体辐射源,其特征在于,所述辐射靶芯的形状为长方体或者正方体。3.根据权利要求2所述的半导体制冷管式黑体辐射源,其特征在于,所述辐射源为设置在辐射靶芯中部的管体腔,所述管体腔一端封闭,另一端开口。4.根据权利要求2所述的半导体制冷管式黑体辐射源,其特征在于,所述半导体制冷片包括左制冷片、右制冷片、上制冷片、下制冷片和后制冷片,所述左制冷片的冷端、右制冷片的冷端、上制冷片的冷端、下制冷...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄铭培,李家业,陈文山,
申请(专利权)人:广州东部科技有限公司,
类型:新型
国别省市:广东,44
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