密封用丙烯酸类组合物、片材、层叠片、固化物、半导体装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

密封用丙烯酸类组合物含有：丙烯酸类化合物、末端含有具有自由基聚合性的取代基的聚苯醚树脂、无机填充材料、热自由基聚合引发剂、和热塑性树脂。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】密封用丙烯酸类组合物、片材、层叠片、固化物、半导体装置及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及密封用丙烯酸类组合物、片材、层叠片、固化物、半导体装置及半导体装置的制造方法，详细而言涉及对于通过使用了片材的先供给方式的底部填充(underfilling)将基材与半导体芯片之间的间隙密封而言适合的密封用丙烯酸类组合物、片材、及层叠片、该密封用丙烯酸类组合物的固化物、具备包含该固化物的密封材料的半导体装置、以及具备该密封材料的半导体装置的制造方法。
技术介绍
将倒装芯片型的半导体芯片以倒装的方式安装在基材上的情况下，广泛采用了底部填充技术。作为底部填充技术，有将半导体芯片安装于基材后，在基材与半导体芯片之间的间隙填充树脂组合物，由此将该间隙密封的方法。随着凸块电极的窄间距化，作为底部填充技术，先供给方式引起了关注。在该先供给方式中，准备例如具备导体布线的基材、具备凸块电极的半导体芯片、和在常温下为液态的热固化性的密封用丙烯酸类组合物。在基材上配置密封用丙烯酸类组合物，在基材上的配置有密封用丙烯酸类组合物的位置配置半导体芯片，并且在导体布线上配置凸块电极。在该状态下，对密封用丙烯酸类组合物及凸块电极进行加热，由此使密封用丙烯酸类组合物固化而形成密封材料，并且将凸块电极和导体布线电连接(参照专利文献1)。这样的先供给方式中，能够同时进行半导体芯片向基材的安装、和半导体芯片与基材之间的间隙的密封。而且，即使凸块电极间的间距狭窄，也不易在半导体芯片与基材之间的间隙发生密封材料的未填充。另外，对于先供给方式的底部填充技术，已知不仅有直接使用在常温下为液态的组合物的技术(称为非导电性浆料工艺(Non-ConductivePasteProcess)，也称为NCPProcess)，还有使用使组合物干燥或半固化而得到的片材的技术(称为非导电性膜工艺(Non-ConductiveFilmProcess)，也称为NCFProcess)(参照专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：国际公开第2013/035871号专利文献2：日本特开2011-140617号公报
技术实现思路
本专利技术的一个方式的密封用丙烯酸类组合物含有：丙烯酸类化合物、末端含有具有自由基聚合性的取代基的聚苯醚树脂、无机填充材料、热自由基聚合引发剂、和热塑性树脂。密封用丙烯酸类组合物优选还含有氮氧化合物(二ト口キシド化合物)。取代基优选具有碳-碳双键。取代基(b1)优选具有下述式(1)所示的结构。式(1)中，R为氢或烷基。热塑性树脂优选具有100℃以下的玻璃化转变温度。对于无机填充材料(C)的比例，相对于密封用丙烯酸类组合物的固体成分量，优选为45质量％以上且90质量％以下的范围内。本专利技术的一个方式的片材为上述密封用丙烯酸类组合物的干燥物或半固化物。片材优选具有25MPa以上且1800MPa以下的范围内的25℃的拉伸模量。本专利技术的一个方式的层叠片具备上述片材、和支撑上述片材的支撑片。本专利技术的一个方式的固化物是使上述密封用丙烯酸类组合物或上述片材热固化而得到的。本专利技术的一个方式的半导体装置具备：基材、以倒装的方式安装于基材的半导体芯片、和将基材与半导体芯片之间的间隙密封的密封材料，密封材料包含上述固化物。本专利技术的一个方式的半导体装置的制造方法包括以下的步骤。在具备凸块电极的半导体晶片的具有上述凸块电极的面重叠上述片材。将半导体晶片连同片材一起切断，由此制作具备从半导体晶片切出的半导体芯片、和从片材切出的单片的部件。在具备导体布线的基材的具有导体布线的面重叠单片，由此依次层叠基材、单片及半导体芯片。对单片进行加热，由此使单片熔融，然后使其固化来制作密封材料，并且将凸块电极和导体布线电连接。根据本专利技术的上述方式，可得到容易成形为片状、并且所制作的片材及固化物能够具有良好的柔软性、而且固化物能够具有良好的耐热性的密封用丙烯酸类组合物。另外，根据本专利技术的上述方式，可得到由该密封用丙烯酸类组合物制作的片材及层叠片、该密封用丙烯酸类组合物的固化物、具备包含该固化物的密封材料的半导体装置、以及具备该密封材料的半导体装置的制造方法。附图说明图1为示出本专利技术的一个实施方式的半导体装置的截面示意图。图2为示出本专利技术的一个实施方式的层叠片的截面示意图。图3A为示出本专利技术的一个实施方式的由半导体晶片及片材制作芯片部件的工序的截面示意图。图3B为示出本专利技术的一个实施方式的由半导体晶片及片材制作芯片部件的工序的截面示意图。图3C为示出本专利技术的一个实施方式的由半导体晶片及片材制作芯片部件的工序的截面示意图。图4A为示出本专利技术的一个实施方式的将半导体芯片安装于基材的工序的截面示意图。图4B为示出本专利技术的一个实施方式的将半导体芯片安装于基材的工序的截面示意图。图4C为示出本专利技术的一个实施方式的将半导体芯片安装于基材的工序的截面示意图。图4D为示出本专利技术的一个实施方式的将半导体芯片安装于基材的工序的截面示意图。具体实施方式在本专利技术的实施方式的说明之前，简单地说明现有技术中的问题。专利技术人对使用了由密封用丙烯酸类组合物制作的片材的NCFProcess的实用化进行了研究。但是，专利技术人进行了研究的结果为可知：不容易将密封用丙烯酸类组合物成形为片状，另外，由密封用丙烯酸类组合物制作的片材及密封材料容易变脆。特别是若为了减小密封材料的热膨胀系数、或提高热传导性而在密封用丙烯酸类组合物中高填充无机填充材料，则该问题显著。进而，近年来，对半导体装置的密封材料要求高的耐热性。本专利技术提供容易成形为片状、并且所制作的片材及固化物能够具有良好的柔软性、而且固化物能够具有良好的耐热性的密封用丙烯酸类组合物、由该密封用丙烯酸类组合物制作的片材及层叠片、该密封用丙烯酸类组合物的固化物、具备包含该固化物的密封材料的半导体装置、以及具备该密封材料的半导体装置的制造方法。以下，对本专利技术的一个实施方式进行说明。需要说明的是，本说明书中，“(甲基)丙烯-”是指“丙烯-”和“甲基丙烯-”的总称。例如(甲基)丙烯酰基是指丙烯酰基和甲基丙烯酰基的总称。另外，密封用丙烯酸类组合物的固体成分量是指从密封用丙烯酸类组合物中去除了溶剂等挥发性成分的部分的量。本实施方式的密封用丙烯酸类组合物含有：丙烯酸类化合物(A)、末端具有自由基聚合反应性的取代基(b1)的聚苯醚树脂(B)、无机填充材料(C)、热自由基聚合引发剂(D)、及热塑性树脂(E)。密封用丙烯酸类组合物含有聚苯醚树脂(B)及热塑性树脂(E)，因此容易成形为片状。另外，由密封用丙烯酸类组合物制作的片材41能够具有良好的适度的柔软性，容易将片材41切断。另外，通过这样地同时含有聚苯醚树脂(B)及热塑性树脂(E)，从而即使在密封用丙烯酸类组合物中的无机填充材料(C)的比例高的情况下，密封用丙烯酸类组合物也容易成形为片状，并且片材41能够具有良好的适度的柔软性。进而，由于聚苯醚树脂(B)末端具有自由基聚合反应性的取代基(b1)，因此使密封用丙烯酸类组合物热固化时，聚苯醚树脂(B)与丙烯酸类化合物(A)聚合，由此形成巨大分子。即，聚苯醚树脂(B)被引入至巨大分子的骨架中。其结果，密封用丙烯酸类组合物的固化物能够具有高的耐热性及耐湿性。可以由该密封用丙烯酸类组合物制作片材41(参照图2)。片材41包含本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种密封用丙烯酸类组合物，其含有：丙烯酸类化合物、末端含有具有自由基聚合性的取代基的聚苯醚树脂、无机填充材料、热自由基聚合引发剂、和热塑性树脂。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.10 JP 2016-1578351.一种密封用丙烯酸类组合物，其含有：丙烯酸类化合物、末端含有具有自由基聚合性的取代基的聚苯醚树脂、无机填充材料、热自由基聚合引发剂、和热塑性树脂。2.根据权利要求1所述的密封用丙烯酸类组合物，其还含有氮氧化合物。3.根据权利要求1或2所述的密封用丙烯酸类组合物，其中，所述取代基具有碳-碳双键。4.根据权利要求3所述的密封用丙烯酸类组合物，其中，所述取代基具有下述式(1)所示的结构，式(1)中，R为氢或烷基。5.根据权利要求1～4中任一项所述的密封用丙烯酸类组合物，其中，所述热塑性树脂具有100℃以下的玻璃化转变温度。6.根据权利要求1～5中任一项所述的密封用丙烯酸类组合物，其中，相对于所述密封用丙烯酸类组合物的固体成分量，所述无机填充材料的比例为45质量％以上且90质量％以下的范围内。7.根据权利要求1～6中任一项所述的密封用丙烯酸类组合物，其中，相对于所述密封用丙烯酸类组合物的固体成分量，所述热塑性树脂的比例为3质量％以上。8.一种片材，其为权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边一辉，山津繁，金川直树，佐佐木大辅，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP