电介质陶瓷组合物及电子部件制造技术

本发明专利技术的目的在于，提供一种可低温烧结，并且能够与Ag同时烧成，且烧结后的Q值及耐湿性优异的电介质陶瓷组合物。本发明专利技术的电介质陶瓷组合物中，作为主成分含有Mg2SiO4，作为副成分含有含R化合物、含Cu化合物、含B化合物及含Li玻璃。R是碱土金属。相对于主成分100质量份，含有以氧化物换算为0.2质量份以上且4.0质量份以下的含R化合物；以氧化物换算为0.5质量份以上且3.0质量份以下的含Cu化合物；以氧化物换算为0.2质量份以上且3.0质量份以下的含B化合物。相对于主成分和除含Li玻璃以外的副成分的合计100质量份，含有2质量份以上且10质量份以下的含Li玻璃。

【技术实现步骤摘要】
电介质陶瓷组合物及电子部件
本专利技术涉及电介质陶瓷组合物及电子部件。
技术介绍
近年来，在需求增加的智能手机等移动体通信设备中，使用从数百MHz至数GHz左右的所谓的被称为准微波的高频带。因此，在用于移动体通信设备的电子部件中也要求适于高频带下的用途的诸特性。而且，要求适于在高频带下使用的优异的LTCC(低温共烧陶瓷)材料。特别是为了获得可与Ag内部电极共烧，且各种特性都优异的LTCC材料而提案有各种方法。专利文献1中提案有含有镁橄榄石作为主成分，含有ZnO等作为副成分的玻璃陶瓷组合物。专利文献3记载的玻璃陶瓷组合物通过作为副成分含有ZnO，从而在1000℃以下的低温下进行烧成的情况下，容易充分致密化。但是，为了伴随近年的电子部件的小型化的陶瓷层的薄层化、以及应对比以往更高的频带，特别是在与Ag内部电极同时烧成的情况下，要求比以往进一步提高LTCC材料的Q值及耐湿性。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-37739号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题本专利技术的目的在于，提供一种可低温烧结，可与Ag电极同时烧成，且烧结后的Q值及耐湿性优异的电介质陶瓷组合物。用于解本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电介质陶瓷组合物，其特征在于，作为主成分含有Mg2SiO4，作为副成分含有含R化合物、含Cu化合物、含B化合物及含Li玻璃，R是碱土金属，相对于所述主成分100质量份，含有：以氧化物RO换算为0.2质量份以上且4.0质量份以下的所述含R化合物、以氧化物CuO换算为0.5质量份以上且3.0质量份以下的所述含Cu化合物、以氧化物B2O3换算为0.2质量份以上且3.0质量份以下的所述含B化合物，相对于所述主成分和除所述含Li玻璃以外的所述副成分的合计100质量份，含有2质量份以上且10质量份以下的所述含Li玻璃。

【技术特征摘要】
2017.09.26 JP 2017-184689;2018.08.07 JP 2018-148551.一种电介质陶瓷组合物，其特征在于，作为主成分含有Mg2SiO4，作为副成分含有含R化合物、含Cu化合物、含B化合物及含Li玻璃，R是碱土金属，相对于所述主成分100质量份，含有：以氧化物RO换算为0.2质量份以上且4.0质量份以下的所述含R化合物、以氧化物CuO换算为0.5质量份以上且3.0质量份以下的所述含Cu化合物、以氧化物B2O3换算为0.2质量份以上且3.0质量份以下的所述含B化合物，相对于所述主成分和除所述含Li玻璃以外的所述副成分的合计100质量份，含有2质量份以上且10质量份以下的所述含Li玻璃。2.根据权利要求1所述的电介质陶瓷组合物，其中，作为所述副成分还包含含Mn化合物，相对于所述主成分100质量份，含有以氧化物MnO换算为0.05质量份以上且1.5质量份以下的所述含Mn化合物。3.根据权利要求1或2所述的电介质陶瓷组合物，其中，作为所述副成分还包含含Ti化合物，相对于所述主成分100质量份，含有以氧化物TiO2换算为0.3质量份以上且3.0质量份以下的所述含Ti化合物。4.根据权利要求1或2所述的电介质陶瓷组合物，其中，作为所述副成分还包含含Al...

【专利技术属性】
技术研发人员：福井隆史，小更恒，石本笃史，阿部将典，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP