一种超导体接地单元制造技术

技术编号:20728903 阅读:33 留言:0更新日期:2019-03-30 18:57
本发明专利技术公开了一种超导体接地单元,包括紫铜管体,所述紫铜管体内部设有吸能装置,并填充有超导体分子材料填充物,所述吸能装置为四组,四组吸能装置通过连接线串联,且连接一端与导流线连接,所述紫铜管体两端设有紫铜堵头。本发明专利技术与现有技术相比的优点是:本发明专利技术采用新型固化超导体材料为接地单元内部填充物,其结构内部串连4组吸能装置,当电流过大时,内部吸能装置会自动吸收超导体部份没能来得及释放的电能,并且缓慢释放。而且,本发明专利技术的超导体接地单元具有不污染土壤导、流能力强、确保大电流回不返击线路的特点。

【技术实现步骤摘要】
一种超导体接地单元
本专利技术涉及高压输电网络接地装置,尤其涉及一种超导体接地单元。
技术介绍
目前,我国输电网络主要使用离子接地极、接地模块、跟新型导电材料,现传统的解决方案是:在铁塔下部增长引流线,使用离子接地极、接地模块或新型导电材料,原在离子接地极内部结构主要是工业盐,有孔时间长了离子接地极内部的工业盐会通过孔洞分解,破坏土壤结构。而且使用寿命短。接地模块主要采用石墨材料,遇水后会很快分解。对土壤的破坏性更大,国家已经禁止使用石墨接地模块,但有少数单位还在大面积使用。鉴于当前市场上的现有同类产品的不足,本领域技术人员亟待研发一种超导体接地单元来解决线路接地土壤污染问题,以及接地材料导流能力不足引起的反击的问题。
技术实现思路
本专利技术是为了解决上述不足,提供了一种超导体接地单元。本专利技术的上述目的通过以下的技术方案来实现:一种超导体接地单元,包括紫铜管体,所述紫铜管体内部设有吸能装置,并填充有超导体分子材料填充物,所述吸能装置为四组,四组吸能装置通过连接线串联,且连接一端与导流线连接,所述紫铜管体两端设有紫铜堵头。进一步地,所述吸能装置是亚敏电阻。进一步地,所述超导体分子材料填充物由碳化硅和硼砂混合而成。按质量百分比计,所述碳化硅为72-90%,硼砂为10-28%。优选地,所述碳化硅为80%,硼砂为20%。进一步地,所述导流线固定在紫铜管体一端的紫铜堵头上,并设有焊接孔。进一步地,所述紫铜管体厚度为2.5mm。进一步地,所述紫铜堵头的厚度为2.5mm。本专利技术与现有技术相比的优点是:本专利技术采用新型固化超导体材料为接地单元内部填充物,其结构内部串连4组吸能装置,当电流过大时,内部吸能装置会自动吸收超导体部份没能来得及释放的电能,并且缓慢释放。而且,本专利技术的超导体接地单元具有不污染土壤导、流能力强、确保大电流回不返击线路的特点。附图说明图1是本专利技术的结构示意图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术进一步详述。如图1所示,一种超导体接地单元,包括紫铜管体1,所述紫铜管体1内部设有吸能装置2,并填充有超导体分子材料填充物3,所述吸能装置2为四组,四组吸能装置2通过连接线4串联,且连接一端与导流线5连接,所述紫铜管体1两端设有紫铜堵头6。进一步地,所述吸能装置2是亚敏电阻。进一步地,所述超导体分子材料填充物由碳化硅和硼砂混合而成。按质量百分比计,所述碳化硅为72-90%,硼砂为10-28%。优选地,所述碳化硅为80%,硼砂为20%。进一步地,所述导流线5固定在紫铜管体1一端的紫铜堵头6上,并设有焊接孔7。进一步地,所述紫铜管体1厚度为2.5mm。进一步地,所述紫铜堵头6的厚度为2.5mm。以上所述仅为本专利技术的实施例,并非因此限制本专利技术的专利范围,凡是利用本专利技术说明书及实施例内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的
,均同理包括在本专利技术的专利保护范围内。本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种超导体接地单元,其特征在于:包括紫铜管体,所述紫铜管体内部设有吸能装置,并填充有超导体分子材料填充物,所述吸能装置为四组,四组吸能装置通过连接线串联,且连接一端与导流线连接,所述紫铜管体两端设有紫铜堵头。

【技术特征摘要】
1.一种超导体接地单元,其特征在于:包括紫铜管体,所述紫铜管体内部设有吸能装置,并填充有超导体分子材料填充物,所述吸能装置为四组,四组吸能装置通过连接线串联,且连接一端与导流线连接,所述紫铜管体两端设有紫铜堵头。2.根据权利要求1所述的一种超导体接地单元,其特征在于:所述吸能装置是亚敏电阻。3.根据权利要求1所述的一种超导体接地单元,其特征在于:所述超导体分子材料填充物由碳化硅和硼砂混合而成。4.根据权利要求3所述的一种超导体接地单元,其特征在于:...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘元生李侠张俊李澜欧阳云翊何威
申请(专利权)人:国网四川省电力公司甘孜供电公司
类型:发明
国别省市:四川,51

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