基板处理方法及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术供一种基板处理方法以及基板处理装置，能够抑制从喷嘴的喷出口吹溅液体。该基板处理方法包括第一步骤与第二步骤。第一步骤中，将硫酸与双氧水的混合液，通过配管从喷嘴喷向基板。第一步骤之后，在第二步骤中，将双氧水通过配管从喷嘴喷向基板。第一步骤包括：(A)将所述混合液开始导入至所述配管的混合液导入开始步骤；(B)在(A)之后，向所述配管停止导入所述硫酸的混合液导入停止步骤；(C)在所述混合液与所述双氧水的界面部形成气体层的气体层形成步骤；(D)在与(B)同时或其刚结束后，降低导入至所述配管的所述双氧水的流量或者使流量为零的缓冲步骤。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法及基板处理装置
本专利技术涉及基板处理方法以及基板处理装置，尤其涉及将通过第一液体与第二液体进行混合而产生气体的混合液供给至基板表面的技术。
技术介绍
例如，在半导体装置的制造过程中，已知有如下方法，即：将硫酸与双氧水的混合液SPM(SulfuricAcid-HydrogenPeroxideMixture，硫酸-双氧水混合物)供给至基板表面，通过SPM中所含的过氧单硫酸(Peroxymonosulfuricacid，过一硫酸)的强氧化能力，将抗蚀层(レジスト)从基板表面去除的方法。例如，在专利文献1中记载了一种基板处理装置，包括旋转夹头、用于向保持在旋转夹头上的基板的上表面供给SPM的SPM喷嘴、向SPM喷嘴供给硫酸的硫酸供给管、向SPM喷嘴供给双氧水的双氧水供给管。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-106699号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在停止向基板表面供给SPM的情况下，可以认为首先停止硫酸的供给，此后，停止双氧水的供给。如此，通过在停止硫酸后供给双氧水，基板表面上的SPM能被双氧水所置换，能够将SPM从基板表面去除。另外，能够以SPM喷嘴本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理方法，用以对基板进行处理，包括：将硫酸与双氧水的混合液通过配管从喷嘴喷向基板的第一步骤，在所述第一步骤后，将双氧水通过所述配管从所述喷嘴喷向基板的第二步骤；所述第一步骤包括：(A)将所述混合液开始导入所述配管的混合液导入开始步骤，(B)在所述步骤(A)后，向所述配管停止导入所述硫酸的混合液导入停止步骤，(C)在所述混合液与所述双氧水的界面部形成气体层的气体层形成步骤，(D)在与所述步骤(B)同时或者其刚结束后，使导入至所述配管的所述双氧水的流量降低或者使流量为零的缓冲步骤。

【技术特征摘要】
2017.09.22 JP 2017-1823761.一种基板处理方法，用以对基板进行处理，包括：将硫酸与双氧水的混合液通过配管从喷嘴喷向基板的第一步骤，在所述第一步骤后，将双氧水通过所述配管从所述喷嘴喷向基板的第二步骤；所述第一步骤包括：(A)将所述混合液开始导入所述配管的混合液导入开始步骤，(B)在所述步骤(A)后，向所述配管停止导入所述硫酸的混合液导入停止步骤，(C)在所述混合液与所述双氧水的界面部形成气体层的气体层形成步骤，(D)在与所述步骤(B)同时或者其刚结束后，使导入至所述配管的所述双氧水的流量降低或者使流量为零的缓冲步骤。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，在所述步骤(D)中，在整个中断期间使得所述双氧水的流量为零，所述中断期间设定为在所述基板表面不产生未被液体被覆的液体中断区域的程度的时间。3.一种基板处理方法，用以对基板进行处理，包括：将硫酸与双氧水的混合液通过配管从喷嘴喷向基板的第一步骤，在所述第一步骤后，将双氧水通过所述配管从所述喷嘴喷向基板的第二步骤；所述第一步骤包括：(A)将所述混合液开始导入所述配管的混合液导入开始步骤，(B)在所述步骤(A)后，向所述配管停止导入所述硫酸的混合液导入停止步骤，(C)在与所述步骤(B)同时或者其刚结束后，向所述配管内导入气体以在所述混合液与所述双氧水的界面部形成气体层的气体层形成步骤。4.根据权利要求3所述的基板处理方法，所述第一步骤还包括：(D)在与所述步骤(B)同时或者其刚结束后，使导入至所述配管的所述双氧水的流量降低或者使流量为零的缓冲步骤。5.根据权利要求3或4所述的基板处理方法，所述气体为非活性气体。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：西出基，伊豆田崇，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本,JP