电子装置、显示装置以及显示面板制造方法及图纸

本申请公开了一种显示面板，显示面板包括基板、设置在基板上的第一缓冲层和遮光层、设置在第一缓冲层和遮光层远离基板一侧的多晶硅层，第一缓冲层与遮光层位于同一层。本申请还公开了一种显示装置和一种电子装置。通过上述方式，本申请能够在增加遮光层厚度提升遮光效果的情况下，保证多晶硅层的结构强度，避免显示不良。

【技术实现步骤摘要】
电子装置、显示装置以及显示面板
本技术涉及显示
，特别是涉及一种电子装置、显示装置以及显示面板。
技术介绍
目前，随着科学技术的不断发展，智能手机等显示装置日渐成为人们日常生活的必需品。低温多晶硅技术是显示面板中一种参见的技术，目前的显示面板中多晶硅层在爬坡处往往会发生断裂。出现显示黑点，大大的降低了显示良率，导致成本的浪费，更严重的是在显示面板出厂后由于显示不良导致用户投诉，从而使得在市场竞争中处于劣势。
技术实现思路
本申请实施例采用的一个技术方案是：提供一种显示面板，显示面板包括基板、设置在基板上的第一缓冲层和遮光层、设置在第一缓冲层和遮光层远离基板一侧的多晶硅层，第一缓冲层与遮光层位于同一层。本申请实施例采用的另一个技术方案是：提供一种显示装置，该显示装置包括上述的显示面板和用于为该显示面板提供背光的背光模组。本申请实施例采用的又一个技术方案是：提供一种电子装置，该电子装置包括主体和显示装置，该显示装置为上述的显示装置。本申请通过设置显示面板包括基板、设置在基板上的第一缓冲层和遮光层、设置在第一缓冲层和遮光层远离基板一侧的多晶硅层，第一缓冲层与遮光层位于同一层。通过上述方式，第一缓冲层与遮光层位于同一层，可以使得遮光层的厚度更大，从而可以提升遮光层的遮光效果，降低多晶硅层的光漏流效应，从而提升显示刷新频率，提升显示效果，另一方面，由于第一缓冲层与遮光层位于同一层，使得多晶硅层可以形成的更平坦，不会出现弯折，避免弯折处断裂，进而避免出现显示黑点，提升显示效果。附图说明图1是本申请第一实施例的显示面板的层叠结构示意图；图2是本申请实施例的一种第一缓冲层的层叠结构示意图；图3是本申请实施例的一种第二缓冲层的层叠结构示意图；图4是本申请第二实施例的显示面板的层叠结构示意图；图5是本申请实施例的显示装置的原理示意图；图6是本申请实施例的电子装置的结构示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本申请，而非对本申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本申请相关的部分而非全部结构。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。请参图图1，图1是本申请第一实施例的显示面板的层叠结构示意图。在本实施例中，显示面板包括基板10、第一缓冲层11、遮光层12、阻隔层13、多晶硅层14、第二缓冲层15以及栅极层16。应理解，本申请中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列单元的产品或设备没有限定于已列出单元，而是可选地还包括没有列出的单元，或可选地还包括对于这些产品或设备固有的其它单元。显示面板可以为LTPSLCD(LowTemperaturePoly-siliconLiquidCrystalDisplay，低温多晶硅液晶显示面板)。可选地，基板10可以为硬质的基板，例如，玻璃基板、塑料基板；基板10也可以为柔性基板。第一缓冲层11设置于基板10上，第一缓冲层11用于阻挡基板10中的杂质离子扩散至多晶硅层14，从而避免对多晶硅层14的特性产生影响。可选地，第一缓冲层11可以为无机缓冲层。无机缓冲层由无机材料制成。请参阅图2，图2是本申请实施例的一种第一缓冲层的层叠结构示意图。第一缓冲层11可以包括两层分别为硅的氧化物层(SiOx)111、硅的氮化物层(SiNx)112。硅的氧化物层111设置于基板10上，硅的氮化物层112设置于硅的氧化物层111上。应理解，在其他实施例中，也可以是硅的氮化物层112设置于基板10上，硅的氧化物层111设置于硅的氮化物层112上。遮光层12也设置于基板10上，遮光层12用于对从基板10射向多晶硅层14的背光进行遮挡，降低光漏流的影响，从而提升显示刷新频率。遮光层12在多晶硅层14上的垂直投影覆盖至少部分的多晶硅层14。遮光层12的相对两侧均设置有第一缓冲层11。第一缓冲层11与遮光层12位于同一层。第一缓冲层11远离基板的表面与遮光层12远离基板10的表面齐平。例如，如图所示，第一缓冲层11的上表面与遮光层12的上表面齐平。第一缓冲层11靠近基板10的表面与遮光层12靠近基板10的表面齐平。例如，如图所示，第一缓冲层11的下表面与遮光层12的下表面齐平。遮光层12的厚度等于第一缓冲层11的厚度。遮光层12为金属遮光层。通过上述方式使得后续形成的多晶硅层14能够更加平坦，不会有爬坡、弯折的现象、避免多晶硅层14断裂。另一方面，遮光层12的厚度可以达到较大的值。阻隔层13设置于第一缓冲层11上，其阻隔层13设置于遮光层12上。阻隔层13为平整的一层。阻隔层13可以为有机阻隔层，材质可以为有机绝缘材料。多晶硅层14设置在第一缓冲层11和遮光层12远离基板10一侧。具体而言，多晶硅层14设置于阻隔层13上。多晶硅层14为平整的一层。不难理解，阻隔层13设置于遮光层12和多晶硅层14之间，且阻隔层13还设置于第一缓冲层11和多晶硅层14之间。由于遮光层12为金属遮光层，为了避免多晶硅层14与遮光层12导通产生漏电流或者其他的不良影响，在遮光层12和多晶硅层14之间设置阻隔层13，使得遮光层12和多晶硅层14彼此不导通。第二缓冲层15设置于多晶硅层14上和阻隔层13上。第二缓冲层15可以为无机缓冲层。无机缓冲层有无机材料制成。请参阅图3，图3是本申请实施例的一种第二缓冲层的层叠结构示意图。第二缓冲层15可以包括两层分别为硅的氧化物层(SiOx)151、硅的氮化物层(SiNx)152。硅的氧化物层151为靠近基板10的一层，硅的氮化物层152设置于硅的氧化物层111上。应理解，在其他实施例中，也可以是硅的氮化物层152为靠近基板10的一层，硅的氧化物层151设置于硅的氮化物层152上。栅极层16设置于第二缓冲层15上，栅极层15可以为金属的栅极层。可选地，栅极层16在多晶硅层14上的投影至少部分覆盖多晶硅层14。从而使得栅极层16可以遮挡外界的环境光，避免环境光射向多晶硅层14导致光漏流效应，提高显示刷新频率。可选地，遮光层12的厚度大于阻隔层13的厚度。具体而言，阻隔层13的厚度可以小于遮光层12厚度的四分之一。从而使得阻隔层13的厚度不会几乎不会影响显示面板的整体厚度，不会由于设置了阻隔层13而导致显示面板整体的厚度的增大。可选地，遮光层12的厚度大于多晶硅层14的厚度。由于遮光层12和第一缓冲层11位于同一层，遮光层12与第一缓冲层11厚度方向的尺寸共用，不会另外增加显示面板的厚度尺寸。利于显示面板的轻薄化。应理解，在其他实施例中，可以采用绝缘材质的遮光层，则在遮光层和多晶硅层之间可以不设置阻隔层。具体参见下文实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括基板、设置在所述基板上的第一缓冲层和遮光层、设置在所述第一缓冲层和遮光层远离所述基板一侧的多晶硅层，所述第一缓冲层与所述遮光层位于同一层。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括基板、设置在所述基板上的第一缓冲层和遮光层、设置在所述第一缓冲层和遮光层远离所述基板一侧的多晶硅层，所述第一缓冲层与所述遮光层位于同一层。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板进一步包括阻隔层，所述阻隔层至少设置于所述遮光层和所述多晶硅层之间。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述阻隔层还设置于所述第一缓冲层和所述多晶硅层之间。4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板进一步包括第二缓冲层，所述第二缓冲层至少设置于所述多晶硅层上。5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，第二缓冲层还设置于所述阻隔层上。6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板进一步包括栅极层，所述栅极层设置于所述第二缓冲层上。7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述栅极层在所述多晶硅层上的投影至少部分覆盖所述多晶硅层。8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：程才权，游利军，
申请(专利权)人：OPPO重庆智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆,50