存储器的数据管理方法及存储器装置制造方法及图纸

一种存储器的数据管理方法及存储器装置。存储器包括多个存储器页面，各存储器页面包括多个存储单元，各存储单元包括第一存储位及第二存储位。各存储单元具有第一逻辑状态、第二逻辑状态、第三逻辑状态及第四逻辑状态。数据管理方法包括以下步骤：接收对应于一逻辑地址的一数据更新指令，于接收数据更新指令前，该逻辑地址对应至一实体地址。施加一净化电压至位于实体地址的存储器页面中的一目标存储单元，改变存储器页面中的目标存储单元的逻辑状态。

【技术实现步骤摘要】
存储器的数据管理方法及存储器装置
本专利技术是有关于一种存储器的数据管理方法及存储器装置。
技术介绍
近年来，闪存逐渐取代传统硬盘作为消费类电子产品中的存储单元。与硬盘相比，闪存具有性能好、功耗低、抗冲击以及体积小等优点。然而，闪存不同于传统硬盘，闪存具有异区更新(out-of-placeupdate)的特性，在擦除操作(eraseoperation)前，已写入数据的数据页(page)无法重新写入。当用户要更新闪存中已写入数据的数据页上的数据时，需在闪存中找出一新的空白数据页，将更新的数据写入此新的空白数据页，并让原对应(map)已写入数据的数据页的逻辑地址重新对应至此新的空白数据页，以完成数据更新。也就是说，在闪存中，当存储数据需要更新时，文件系统将会把新的复本写入一个新的闪存区块的数据页，将文件指针重新指向。由于闪存具有上述的特性，因此，在每次更新闪存的存储数据后，便会在闪存中留下一个或多个数据复本。闪存的擦除指令(erasecommand)无法针对单一存有这些数据复本的存储器数据页进行擦除，因此，黑客可以通过留在存储器中的这些数据复本重建数据，造成数据安全风险。再者，若采用垃圾本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器的数据管理方法，该存储器包括存储器页面，各该存储器页面包括多个存储单元，各该存储单元包括一第一存储位及一第二存储位，各该存储单元具有一第一逻辑状态、一第二逻辑状态、一第三逻辑状态及一第四逻辑状态，该数据管理方法包括：接收对应于一逻辑地址的一数据更新指令，于接收该数据更新指令前，该逻辑地址对应至一实体地址；以及施加一净化电压至该些存储器页面中位于该实体地址的一目标存储器页面，改变该目标存储器页面中的该些存储单元的一第一目标存储单元的逻辑状态。

【技术特征摘要】
1.一种存储器的数据管理方法，该存储器包括存储器页面，各该存储器页面包括多个存储单元，各该存储单元包括一第一存储位及一第二存储位，各该存储单元具有一第一逻辑状态、一第二逻辑状态、一第三逻辑状态及一第四逻辑状态，该数据管理方法包括：接收对应于一逻辑地址的一数据更新指令，于接收该数据更新指令前，该逻辑地址对应至一实体地址；以及施加一净化电压至该些存储器页面中位于该实体地址的一目标存储器页面，改变该目标存储器页面中的该些存储单元的一第一目标存储单元的逻辑状态。2.如权利要求1所述的数据管理方法，其中施加该净化电压至该目标存储器页面的步骤包括：施加一编程击发，使该些存储单元中该第一目标存储单元的逻辑状态由该第一逻辑状态改变为该第二逻辑状态。3.如权利要求1所述的数据管理方法，其中施加该净化电压至该目标存储器页面的步骤包括：施加一第一读取电压，找出该些存储单元中位于该第一逻辑状态的该第一目标存储单元；以及以增量步阶脉冲编程的方式施加一第一编程电压使该目标存储单元的逻辑状态由该第一逻辑状态改变为该第四逻辑状态。4.权利要求1所述的数据管理方法，施加该净化电压至该目标存储器页面的步骤包括：依据一要被写入的数据，以增量步阶脉冲编程的方式施加一第一编程电压，改变该第一目标存储单元的逻辑状态。5.如权利要求1所述的数据管理方法，其中各存储单元更包括一第三存储位，各该存储单元更具有一第五逻辑状态、一第六逻辑状态、一第七逻辑状态及一第八逻辑状态，施加该净化电压至该目标存储器页面的步骤包括：施加一第一读取电压及一第二读取电压，找出该些存储单元中位于该第一逻辑状态的该第一目标存储单元及位于该第二逻辑状态的一第二目标存储单元；以及以全序列编程方式施加一第二编程电压，使该第一目标存储单元的逻辑状态由该第一逻辑状态改变为该第八逻辑状态，以及使...

【专利技术属性】
技术研发人员：李永骏，林秉贤，张育铭，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71