一种石英晶体微天平湿度传感器及其制备方法技术

本发明专利技术属于湿度传感器技术领域，并具体公开了一种石英晶体微天平湿度传感器及其制备方法，该湿度传感器采用如下步骤制备：在石英晶体微天平上沉积一层ZnO催化层；在ZnO催化层上沉积一层Cu种子层，用于后续生长纳米线作为湿敏层材料；将沉积有ZnO催化层和Cu种子层的石英晶体微天平置于NaOH和(NH4)2S2O8的混合溶液中，通过Cu种子层与混合溶液的反应并在ZnO催化层的作用下，以在ZnO催化层上生长超致密超亲水Cu(OH)2纳米线，从而获得石英晶体微天平湿度传感器。本发明专利技术具有响应快、湿滞小、灵敏度高、重复性好、性能稳定、成本低等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种石英晶体微天平湿度传感器及其制备方法
本专利技术属于湿度传感器
，更具体地，涉及一种石英晶体微天平湿度传感器及其制备方法。
技术介绍
湿度传感器是现代传感技术发展方向之一。世界各国对湿度传感器的研究非常活跃，研究重点之一是开发新型湿度敏感元件，因为新型灵敏度高和适用范围广的湿度敏感元件是实现湿度传感器技术新突破的前提。而敏感元件的性能主要取决于两个重要因素，即构成元件的材料和制备元件的加工技术，因此应用新技术、新材料是研究开发新型湿度敏感元件的重要手段。湿度传感器在农业生产、军事活动和气象预测等诸多领域有着广泛的应用，例如在电子、制药、粮食、仓储、烟草、纺织、气象等行业，温湿度表、加湿器、除湿机、空调、微波炉等产品。目前由纳米线制备的湿度传感器包含电学和光学两大类，光学的响应速度快，但制备工艺复杂且费用昂贵。相对而言，电学湿度传感器可靠稳定，制备工艺简单，但是电学湿度传感器目前存在响应速度较慢和精度不够高等缺点。而湿度传感器的响应速度和精度在实际应用过程中至关重要。因此，解决电学湿度传感器的湿敏材料具备高响应性和高精度性能够极大促进湿度传感器的发展与应用。
技术实现思路
针对现本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种石英晶体微天平湿度传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1在石英晶体微天平上沉积一层ZnO催化层；S2在ZnO催化层上沉积一层Cu种子层，用于后续生长纳米线作为湿敏层材料；S3将沉积有ZnO催化层和Cu种子层的石英晶体微天平置于NaOH和(NH4)2S2O8的混合溶液中，通过Cu种子层与混合溶液的反应并在ZnO催化层的作用下，以在ZnO催化层上生长超致密超亲水Cu(OH)2纳米线，从而获得石英晶体微天平湿度传感器。

【技术特征摘要】
1.一种石英晶体微天平湿度传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1在石英晶体微天平上沉积一层ZnO催化层；S2在ZnO催化层上沉积一层Cu种子层，用于后续生长纳米线作为湿敏层材料；S3将沉积有ZnO催化层和Cu种子层的石英晶体微天平置于NaOH和(NH4)2S2O8的混合溶液中，通过Cu种子层与混合溶液的反应并在ZnO催化层的作用下，以在ZnO催化层上生长超致密超亲水Cu(OH)2纳米线，从而获得石英晶体微天平湿度传感器。2.根据权利要求1所述的石英晶体微天平湿度传感器的制备方法，其特征在于，步骤S1中，采用磁控溅射法沉积ZnO催化层和Cu种子层。3.根据权利要求1或2所述的石英晶体微天平湿度传感器的制备方法，其特征在于，ZnO催化层的沉积厚度为0.2μm～5μm，优选为2μm。4.根据权利要求1或2所述的石英晶体微天平湿度传感器的制备方法，其特征在于，Cu种子层的沉积厚度为0.025μm～1μm，优选为0.2μm。5.根据权利要求1-3任一项所述的石英晶体微天平湿度传感器的制备方法，其特征在于，ZnO催化层...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖广兰，林建斌，谭先华，方涵，史铁林，汤自荣，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42