本发明专利技术公开了一种京红早樱的组织培养快速繁殖方法，涉及植物组织培养技术领域。京红早樱的组织培养快速繁殖方法包括提供外植体、外植体消毒、启动培养、增殖培养、壮苗培养、生根培养和炼苗移栽，通过对这些步骤进行针对性的改进，实现了京红早樱的有效组培快繁，采用本发明专利技术方法对京红早樱外植体消毒和启动培养后能显著降低培养后芽苗的污染率和褐化率，增殖培养后诱导分化率高，增殖迅速，形成的新芽伸长性好，增殖系数高，生根培养后根系粗壮、韧性好、根数多，生根率高，炼苗移栽后成活率显著提升。本发明专利技术方法简便易行，为京红早樱的遗传转化与分子育种提供了技术支撑。
【技术实现步骤摘要】
京红早樱的组织培养快速繁殖方法
本专利技术涉及植物组织培养
，具体而言，涉及一种京红早樱的组织培养快速繁殖方法。
技术介绍
京红早樱(Cerasusserrulata‘Jinghongzaoying’，)是一种极少数能耐零下20度的大红色重瓣早樱品种，为蔷薇科樱属下的落叶乔木，具有观赏价值高、适应性强和抗性强的优点，极具开发价值。传统樱花的繁殖方法主要有播种、分株、嫁接和高空压条等，绝大多数樱花种类扦插不易生根，这些繁殖方法成苗慢，难以大量生产。随着组培技术的发展，组培成为樱花快速繁殖和工厂化生产的一条新途径。虽然研究人员对樱花的组织培养繁殖方法已经开展了一些研究，通过叶片、叶柄、茎段或嫩梢等外植体培养获得了再生植株，但目前还未有针对京红早樱品种的组织培养与快速繁殖方法，同时在组织培养快速繁殖过程中还存在外植体易污染、易褐化死亡、丛生芽少、丛生芽茎段不易伸长以及生根困难等问题，不能满足实际生产需求。因此，所期望的是寻求一种京红早樱的组织培养快速繁殖方法，其能够解决上述技术问题中的至少一个。有鉴于此，特提出本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种京红早樱的组织培养快速繁殖方法，组培中主要克服褐化、茎节短不易伸长、长势慢、生根难的问题，该方法实现了京红早樱的组培快繁，污染率低、褐化率低，诱导分化率高，增殖迅速，形成的新芽伸长性好，增殖系数高，生根培养后根系粗壮、韧性好、根数多，生根率高，炼苗移栽后成活率显著提升。为了实现本专利技术的上述目的，特采用以下技术方案：本专利技术提供了一种京红早樱的组织培养快速繁殖方法，包括以下步骤：(a)提供外植体：以当年抽条的至少含有一个腋芽的茎段为外植体；(b)外植体消毒：先用65-75vt％的酒精浸泡10-15s，然后用0.5-0.8wt％H2O2溶液浸泡摇动10-15min，再用0.1-0.2wt％HgCl2溶液浸泡摇动4-5min，用无菌水冲洗3-5次，去除表面水分；(c)启动培养：将步骤(b)消毒后的茎段转移至启动培养基中，培养15-20天开始形成丛生芽，培养25-30天获得不定芽苗；启动培养基包括：3/4MS+6-BA1-2mg/L+NAA0.05-0.15mg/L+PVP0.5-1.5g/L+凝胶剂0.4-0.6wt％+碳源3-4wt％，pH5.6-6.0；培养环境包括：培养温度25-28℃，光照强度1000-1500lux，每天的光照时间12-14h；(d)增殖培养：将步骤(c)新抽出的腋芽2-3cm接种到增殖培养基中，培养30-35天后形成丛生苗；增殖培养基包括：3/4MS+6-BA1.5-2mg/L+IBA0.05-0.15mg/L+GA30.1-0.3mg/L+GO凝胶液4-6ml/L；培养环境包括：培养温度25-28℃，光照强度1500-2000lux，每天的光照时间12-14h；(e)壮苗培养：将步骤(d)获得的丛生苗接种到壮苗培养基中，培养25-30天后获得壮苗；壮苗培养基为3/4MS+6-BA0.4-0.6mg/L+NAA0.005-0.015mg/L+GA30.04-0.06mg/L+GO凝胶液4-6ml/L+凝胶剂0.5-0.7wt％+碳源1-3wt％，pH5.6-6.0；培养环境包括：培养温度25-28℃，光照强度2000-2500lux，每天的光照时间12-14h；(f)生根培养：将步骤(e)获得的壮苗2-3cm接种到生根培养基中，培养30-35天；生根培养基包括：1/2MS+NAA0.2-0.4mg/L+IBA0.1-0.3mg/L+AC0.5-1.5g/L+GO凝胶液9-11ml/L+凝胶剂0.5-0.7wt％+碳源1-3wt％，pH5.6-6.0；培养环境包括：培养温度25-28℃，光照强度2000-2500lux，每天的光照时间15-17h；(g)炼苗移栽：生根培养30-35天后，先将组培器皿封口盖松动但不打开，在温度为25-28℃，光照强度为2000-2500lux的环境条件下炼苗2-3天，再将组培器皿封口盖打开露出缝隙后炼苗2-3天，然后将组培器皿封口盖完全打开后炼苗2-3天后移栽；选择根长2cm以上、生根数3条以上以及生长健壮的组培苗进行移栽，将根部清洗和消毒后的组培苗移栽到灭过菌的基质中，覆膜培养，早晚喷水，一周后，部分揭膜，继续培养一周后，全部揭膜，保持土壤湿润，培养30-35天后移栽到大田；基质包括腐殖土、珍珠岩和蛭石，腐殖土、珍珠岩和蛭石的质量比为5-7:2-4:1。优选地，在本专利技术提供的技术方案的基础上，步骤(a)中，所述外植体取自当年抽出的新嫩枝条，保留4-6mm叶柄和枝条顶端幼嫩部分，截段2-3cm。优选地，在本专利技术提供的技术方案的基础上，步骤(c)中，启动培养基包括：3/4MS+6-BA1.5mg/L+NAA0.1mg/L+PVP1g/L+凝胶剂0.5wt％+碳源3wt％，pH5.8。优选地，在本专利技术提供的技术方案的基础上，步骤(d)中，增殖培养基包括：3/4MS+6-BA2mg/L+IBA0.1mg/L+GA30.2mg/L+GO凝胶液5ml/L。优选地，在本专利技术提供的技术方案的基础上，步骤(f)中，生根培养基包括：1/2MS+NAA0.3mg/L+IBA0.2mg/L+AC1g/L+GO凝胶液10ml/L+凝胶剂0.6wt％+碳源2wt％，pH5.8。优选地，在本专利技术提供的技术方案的基础上，步骤(e)中，壮苗培养基包括：3/4MS++6-BA0.5mg/L+NAA0.01mg/L+GA30.05mg/L+GO凝胶液5ml/L+凝胶剂0.6wt％+碳源2wt％，pH5.8。优选地，在本专利技术提供的技术方案的基础上，步骤(g)中，移栽后的环境条件包括：环境湿度为60-80％，环境温度为18-30℃；光照强度条件包括：移栽后前15-20天，通过外遮阳控制光照强度5000-8000lux，然后打开外遮阳。优选地，在本专利技术提供的技术方案的基础上，步骤(g)中，基质还包括石英砂，石英砂、腐殖土、珍珠岩和蛭石的质量比为1-2:5-7:2-4:1。优选地，在本专利技术提供的技术方案的基础上，步骤(c)中启动培养基、步骤(e)中壮苗培养基和步骤(f)中生根培养基中的凝胶剂均独立地包括琼脂、卡拉胶或Gelrite中的一种或几种，优选为卡拉胶。优选地，在本专利技术提供的技术方案的基础上，步骤(c)中启动培养基、步骤(e)中壮苗培养基和步骤(f)中生根培养基中的碳源均独立地包括葡萄糖、麦芽糖或蔗糖中的一种或几种，优选为蔗糖。与已有技术相比，本专利技术具有如下有益效果：本专利技术方法从外植体取材、外植体消毒、启动培养、增殖培养、生根培养和炼苗培养等步骤进行针对性的改进，实现了京红早樱的组培快繁，消毒和启动培养后能显著降低培养后芽苗的污染率和褐化率，腋芽15-20天后的萌芽率达80％以上，启动25-30天后新芽的污染率低于10％，褐化率低于20％，增殖培养后诱导分化率高，增殖迅速，形成的新芽伸长性好，增殖30-35天后新芽可伸长到2-4cm，每芽的叶片达到6片以上，叶色嫩绿，增殖系数高，达4以上，生根培养后根系粗壮、韧性好、根数多，生根率高，达90％以上，炼苗移栽后成活率显著提升，达85％以上。本专利技术方法简便易行，弥补了京红早樱组培快繁方本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种京红早樱的组织培养快速繁殖方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)提供外植体：以当年抽条的至少含有一个腋芽的茎段为外植体；(b)外植体消毒：先用65‑75vt％的酒精浸泡10‑15s，然后用0.5‑0.8wt％H2O2溶液浸泡摇动10‑15min，再用0.1‑0.2wt％HgCl2溶液浸泡摇动4‑5min，用无菌水冲洗3‑5次，去除表面水分；(c)启动培养：将步骤(b)消毒后的茎段转移至启动培养基中，培养15‑20天开始形成丛生芽，培养25‑30天获得不定芽苗；启动培养基包括：3/4MS+6‑BA 1‑2mg/L+NAA 0.05‑0.15mg/L+PVP 0.5‑1.5g/L+凝胶剂0.4‑0.6wt％+碳源3‑4wt％，pH 5.6‑6.0；培养环境包括：培养温度25‑28℃，光照强度1000‑1500lux，每天的光照时间12‑14h；(d)增殖培养：将步骤(c)新抽出的腋芽2‑3cm接种到增殖培养基中，培养30‑35天后形成丛生苗；增殖培养基包括：3/4MS+6‑BA 1.5‑2mg/L+IBA 0.05‑0.15mg/L+GA3 0.1‑0.3mg/L+GO凝胶液4‑6ml/L；培养环境包括：培养温度25‑28℃，光照强度1500‑2000lux，每天的光照时间12‑14h；(e)壮苗培养：将步骤(d)获得的丛生苗接种到壮苗培养基中，培养25‑30天后获得壮苗；壮苗培养基为3/4MS+6‑BA 0.4‑0.6mg/L+NAA 0.005‑0.015mg/L+GA3 0.04‑0.06mg/L+GO凝胶液4‑6ml/L+凝胶剂0.5‑0.7wt％+碳源1‑3wt％，pH 5.6‑6.0；培养环境包括：培养温度25‑28℃，光照强度2000‑2500lux，每天的光照时间12‑14h；(f)生根培养：将步骤(e)获得的壮苗2‑3cm接种到生根培养基中，培养30‑35天；生根培养基包括：1/2MS+NAA 0.2‑0.4mg/L+IBA 0.1‑0.3mg/L+AC 0.5‑1.5g/L+GO凝胶液9‑11ml/L+凝胶剂0.5‑0.7wt％+碳源1‑3wt％，pH 5.6‑6.0；培养环境包括：培养温度25‑28℃，光照强度2000‑2500lux，每天的光照时间15‑17h；(g)炼苗移栽：生根培养30‑35天后，先将组培器皿封口盖松动但不打开，在温度为25‑28℃，光照强度为2000‑2500lux的环境条件下炼苗2‑3天，再将组培器皿封口盖打开露出缝隙后炼苗2‑3天，然后将组培器皿封口盖完全打开后炼苗2‑3天后移栽；选择根长2cm以上、生根数3条以上以及生长健壮的组培苗进行移栽，将根部清洗和消毒后的组培苗移栽到灭过菌的基质中，覆膜培养，早晚喷水，一周后，部分揭膜，继续培养一周后，全部揭膜，保持土壤湿润，培养30‑35天后移栽到大田；基质包括腐殖土、珍珠岩和蛭石，腐殖土、珍珠岩和蛭石的质量比为5‑7:2‑4:1。...
【技术特征摘要】
1.一种京红早樱的组织培养快速繁殖方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)提供外植体：以当年抽条的至少含有一个腋芽的茎段为外植体；(b)外植体消毒：先用65-75vt％的酒精浸泡10-15s，然后用0.5-0.8wt％H2O2溶液浸泡摇动10-15min，再用0.1-0.2wt％HgCl2溶液浸泡摇动4-5min，用无菌水冲洗3-5次，去除表面水分；(c)启动培养：将步骤(b)消毒后的茎段转移至启动培养基中，培养15-20天开始形成丛生芽，培养25-30天获得不定芽苗；启动培养基包括：3/4MS+6-BA1-2mg/L+NAA0.05-0.15mg/L+PVP0.5-1.5g/L+凝胶剂0.4-0.6wt％+碳源3-4wt％，pH5.6-6.0；培养环境包括：培养温度25-28℃，光照强度1000-1500lux，每天的光照时间12-14h；(d)增殖培养：将步骤(c)新抽出的腋芽2-3cm接种到增殖培养基中，培养30-35天后形成丛生苗；增殖培养基包括：3/4MS+6-BA1.5-2mg/L+IBA0.05-0.15mg/L+GA30.1-0.3mg/L+GO凝胶液4-6ml/L；培养环境包括：培养温度25-28℃，光照强度1500-2000lux，每天的光照时间12-14h；(e)壮苗培养：将步骤(d)获得的丛生苗接种到壮苗培养基中，培养25-30天后获得壮苗；壮苗培养基为3/4MS+6-BA0.4-0.6mg/L+NAA0.005-0.015mg/L+GA30.04-0.06mg/L+GO凝胶液4-6ml/L+凝胶剂0.5-0.7wt％+碳源1-3wt％，pH5.6-6.0；培养环境包括：培养温度25-28℃，光照强度2000-2500lux，每天的光照时间12-14h；(f)生根培养：将步骤(e)获得的壮苗2-3cm接种到生根培养基中，培养30-35天；生根培养基包括：1/2MS+NAA0.2-0.4mg/L+IBA0.1-0.3mg/L+AC0.5-1.5g/L+GO凝胶液9-11ml/L+凝胶剂0.5-0.7wt％+碳源1-3wt％，pH5.6-6.0；培养环境包括：培养温度25-28℃，光照强度2000-2500lux，每天的光照时间15-17h；(g)炼苗移栽：生根培养30-35天后，先将组培器皿封口盖松动但不打开，在温度为25-28℃，光照强度为2000-2500lux的环境条件下炼苗2-3天，再将组培器皿封口盖打开露出缝隙后炼苗2-3天，然后将组培器皿封口盖完全打开后炼苗2-3天后移栽；选择根长2cm以上、生根数3条以上以及生长健壮的组培苗进行移...
【专利技术属性】
技术研发人员：孔德政，吕林芳，刘艺平，刘二分，李文玲，范跃峰，陈旭彬，冯艳，王阿丽，张达，张艳，张缓缓，
申请(专利权)人：河南星华农林科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河南,41
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