一种垂直多结结构二硫化钼太阳能电池及其制备方法技术

一种垂直多结结构二硫化钼太阳能电池，包括周期性重复的基本单元、两侧掺杂区(第三掺杂区和第四掺杂区)和两侧电极(第一电极和第二电极)三部分。基本单元由基区、第一掺杂区和第二掺杂区构成。所述基区和各掺杂区为单层或多层二硫化钼材料，厚度从1层到100层。第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂类型相同，为N型或P型掺杂。第二掺杂区和第四掺杂区的掺杂类型相同，为N型或P型掺杂，且与第一掺杂区和第三掺杂区的掺杂类型相反。本发明专利技术提供的太阳能电池可以减少材料使用量，降低制造成本，并能减小太阳能电池的电学损失，从而提高太阳能电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种垂直多结结构二硫化钼太阳能电池及其制备方法
本专利技术属于太阳能光伏电池
，涉及一种太阳能电池结构及其制备方法，特别是关于垂直多结结构二硫化钼太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
近几年全世界环境污染、温室效应等问题日趋严重，而且传统能源储量越来越少，价格越来越高，所以人类对清洁能源的需求越来越大，太阳能光伏发电作为一种清洁能源越来越受到人们的重视。目前，市场上销售的太阳能光伏电池大部分是晶体硅太阳能电池，其发电成本仍然高于传统化石能源，硅材料的吸收系数低，需要较厚的电池才能实现对太阳光的高效吸收，另外目前市场上销售的晶体硅太阳能电池的单片输出电压较低(小于0.8V)，必须进行串联才能用于并网发电。
技术实现思路
本专利技术目的是解决现有太阳能电池发电成本高，材料使用量大，单片电池发电电压低的问题，提供一种垂直多结结构二硫化钼太阳能电池及其制备方法。本专利技术的技术方案一种垂直多结结构二硫化钼太阳能电池，包括周期性重复的基本单元、两侧掺杂区和两侧电极三部分：其中周期性重复的基本单元包括：基区(0)：为单层或多层二硫化钼材料；第一掺杂区(1)，制作在基区(0)的一侧，为单层或多层二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种垂直多结结构二硫化钼太阳能电池，包括周期性重复的基本单元、两侧掺杂区和两侧电极三部分：其中周期性重复的基本单元包括：基区(0)：为单层或多层二硫化钼材料；第一掺杂区(1)，制作在基区(0)的一侧，为单层或多层二硫化钼材料，其厚度与基区(0)的厚度相同；第二掺杂区(2)，制作在基区(0)的另一侧，为单层或多层二硫化钼材料，其厚度与基区(0)的厚度相同；相邻的基本单元通过第一掺杂区(1)和第二掺杂区(2)串接在一起；两侧掺杂区为：第三掺杂区(3)，制作在最外侧的基本单元的第一掺杂区(1)的外侧，为单层或多层二硫化钼材料，其厚度与第一掺杂区(1)的厚度相同；第四掺杂区(4)，制作在另一最外侧...

【技术特征摘要】
1.一种垂直多结结构二硫化钼太阳能电池，包括周期性重复的基本单元、两侧掺杂区和两侧电极三部分：其中周期性重复的基本单元包括：基区(0)：为单层或多层二硫化钼材料；第一掺杂区(1)，制作在基区(0)的一侧，为单层或多层二硫化钼材料，其厚度与基区(0)的厚度相同；第二掺杂区(2)，制作在基区(0)的另一侧，为单层或多层二硫化钼材料，其厚度与基区(0)的厚度相同；相邻的基本单元通过第一掺杂区(1)和第二掺杂区(2)串接在一起；两侧掺杂区为：第三掺杂区(3)，制作在最外侧的基本单元的第一掺杂区(1)的外侧，为单层或多层二硫化钼材料，其厚度与第一掺杂区(1)的厚度相同；第四掺杂区(4)，制作在另一最外侧的基本单元的第二掺杂区(2)的外侧，为单层或多层二硫化钼材料，其厚度与第二掺杂区(2)的厚度相同；两侧电极为：第一电极(5)，制作在第三掺杂区(3)的下表面，其宽度小于第三掺杂区(3)的宽度；第二电极(6)，制作在第四掺杂区(4)的下表面，其宽度小于第四掺杂区(4)的宽度。2.根据权利要求1所述的垂直多结结构二硫化钼太阳能电池，其特征在于，所述基区(0)、第一掺杂区(1)、第二掺杂区(2)、第三掺杂区(3)和第四掺杂区(4)为单层或多层二硫化钼材料，其厚度从1层到100层。3.根据权利要求1所述的垂直多结结构二硫化钼太阳能电池，其特征在于，所述基区(0)为本征半导体或P型掺杂或N型掺杂，第一掺杂区(1)和第三掺杂区(3)的掺杂类型相同，为N型或P型掺杂，第三掺杂区(3)的掺杂浓度大于第一掺杂区(1)的掺杂浓度，第一掺杂区(1)的掺杂浓度大于基区(0)的掺杂浓度。4.根据权利要求1所述的垂直多结结构二硫化钼太阳能电池，其特征在于，所述第二掺杂区(2)和第四掺杂区(4)的掺杂类...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢宇鹏，张楷亮，赵金石，杨正春，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：天津,12