半导体封装结构及其制造方法技术

一种半导体封装结构包含：第一衬底、至少一个第一半导体元件和第二衬底。所述第一半导体元件附接到所述第一衬底。所述第二衬底界定腔室并且包含多个热通路。所述热通路中的每一个的一端暴露在所述腔室中，并且所述第一半导体元件位在所述腔室内并且以热方式连接到所述热通路。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构及其制造方法
本专利技术涉及一种半导体封装结构和一种封装方法，且更确切地说，涉及一种包含具有热通孔的腔室衬底的半导体封装结构，以及一种用于制造所述半导体封装结构的方法。
技术介绍
半导体封装结构的规范可以包含高速数据传输容量、高数据容量和较小占用面积。散热也是此类半导体封装结构的一个问题。在操作期间，高速数据传输可以导致产生大量的热量并且可以使半导体封装结构的温度升高。由于半导体封装结构的小尺寸，可能难以耗散所述热量。如果热量无法有效地耗散，那么半导体封装结构的性能会降低，或者半导体封装结构可能损坏或呈现为无法操作。
技术实现思路
在根据一些实施例的一些方面中，半导体封装结构包含第一衬底、至少一个第一半导体元件和第二衬底。第一半导体元件附接到第一衬底。第二衬底界定腔室并且包含多个热通孔。热通孔中的每一个的一端暴露在腔室中，并且第一半导体元件位在腔室内且接触热通孔。在根据一些实施例的一些方面中，半导体封装结构包含第一衬底、至少一个第一半导体元件、第二衬底和热导材料。第一半导体元件附接到第一衬底。第二衬底界定腔室并且包含多个热通孔。热通孔中的每一个的一端暴露在腔室中，并且第一半本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其包括：第一衬底；至少一个第一半导体元件，其附接到所述第一衬底；以及第二衬底，其界定腔室并且包含多个热通孔，其中所述热通孔中的每一个的一端暴露在所述腔室中，并且所述第一半导体元件位于所述腔室内并且接触所述热通孔。

【技术特征摘要】
2017.09.07 US 15/698,4511.一种半导体封装结构，其包括：第一衬底；至少一个第一半导体元件，其附接到所述第一衬底；以及第二衬底，其界定腔室并且包含多个热通孔，其中所述热通孔中的每一个的一端暴露在所述腔室中，并且所述第一半导体元件位于所述腔室内并且接触所述热通孔。2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括多个第一电连接器，所述多个第一电连接器位在所述第一衬底与所述第二衬底之间并且电连接所述第一衬底和所述第二衬底。3.根据权利要求2所述的半导体封装结构，其中所述第一电连接器中的一个的高度和所述第二衬底的最大厚度的总和基本上等于所述第一半导体元件的厚度和所述热通孔中的一个的长度的总和。4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第二衬底进一步包含接触所述热通孔中的至少一个的图案化电路层。5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一半导体元件附接到所述第一衬底的所述第二表面，所述第二衬底的所述腔室面向所述第一衬底的所述第二表面，并且所述半导体封装结构进一步包括附接到所述第一衬底的所述第一表面的至少一个第二半导体元件。6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其进一步包括：第一封装体，其填充所述第一衬底与所述第二衬底之间的间隙并且覆盖所述第一半导体元件的侧表面；以及第二封装体，其位在所述第一衬底的所述第一表面上并且覆盖所述第二半导体元件。7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其进一步包括位在所述第二封装体的外周表面、所述第一衬底的外周表面、所述第一封装体的外周表面和所述第二衬底的外周表面上的屏蔽层。8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括多个互连元件，所述第一半导体元件通过所述互连元件电连接到所述第一衬底。9.一种半导体封装结构，其包括：第一衬底；至少一个第一半导体元件，其附接到所述第一衬底；第二衬底，其界定腔室并且包含多个热通孔，其中所述热通孔中的每一个的一端暴露在所述腔室中，并且所述第一半导体元件位于所述腔室内；以及热导材料，其插入于所述第一半导体元件与所述热通孔之间。10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其中所述热通孔中的每一个包含顶部端和底部端，所述热通孔的所述顶部端暴露在所述腔室中，并且所述热通孔的所述底部端从所述第二衬底的表面中暴露。11.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其中所述热导材料包含铜填充物。12.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其中所述热导材料插入于所述第一半导体元件的表面与所述腔室的底部表面之间。13.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其中所述第一衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一半导体元件附接到所述第一衬底的所述第二表面，所述第二衬底的所述腔室面向所述第一衬底的所述第二表面，并且所述半导体封装结构进一步包括附接到所述第一衬底的所述第一表面的至少一个第二半导体元件。14.根据权利要求13所述的半导体封装结构，其进一步包括：第一封装体，其填充所述第一衬底与所述第二衬底之间的间隙；以及第二封装体，其位在所述第一衬底的所述第一表面上并且覆盖所述第二半导体元件。15.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其进一步包括以热方式连接到所述热通孔中的至少一个的热连接器。16.根据权利要求15所述的半导体封装结构，其进一步包括电路板...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏勋，陈瑭原，陈昱敞，杨金凤，高金利，施孟铠，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71