像素补偿电路及像素补偿方法技术

技术编号:20591259 阅读:20 留言:0更新日期:2019-03-16 07:54
一种像素补偿电路包含有机发光二极管、第一晶体管、补偿晶体管、存储电容以及第二晶体管。所述有机发光二极管的阴极连接至第一参考电平。所述第一晶体管的源极连接至高电平以及数据信号。所述补偿晶体管的源极与栅极连接至第二参考电平,所述补偿晶体管的漏极连接至所述第一晶体管的漏极,使所述第一晶体管漏极的电位等于或小于所述第二参考电平与所述补偿晶体管阈值电压的总和。所述存储电容设置于所述高电平与所述第一晶体管的栅极之间。利用本发明专利技术提供的像素补偿电路可以改善驱动晶体管老化的现象,提升驱动晶体管的均匀度。

【技术实现步骤摘要】
像素补偿电路及像素补偿方法
本专利技术涉及显示
,尤其是涉及像素驱动电路的像素补偿电路。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode,OLED)显示器具有色域广、对比度高、亮度高、反应快、耗能低、具柔软性等优点,因此逐渐成为显示领域发展的重点技术。因上述优点,与薄膜晶体管(Thinfilmtransistor,TFT)显示器相比,OLED显示器更适合用于制备大尺寸、薄型、柔性、透明及双面显示的显示器。其中主动矩阵有机发光二极管(Active-MatrixOrganicLight-EmittingDiode,AMOLED)相较于一般薄膜晶体管更具有厚度薄的优势,因此AMOLED成为有机发光二极管应用的重点技术。如图1所示,驱动AMOLED的基础驱动电路10是由两个薄膜晶体管(T1与T2)及一个存储电容Cst所组成,薄膜晶体管T1为开关晶体管,薄膜晶体管T1的栅极接入SCAN信号,源极接入数据信号Data,当栅极接收到高电平的SCAN信号时,薄膜晶体管T1导通数据信号Data。薄膜晶体管T2为驱动晶体管,提供给有机发光二极管OLED的电流由薄膜晶体管T2控制,薄膜晶体管T2的源极接入电压源VDD,薄膜晶体管T2的栅极与薄膜晶体管T1的漏极相连,因此当薄膜晶体管T1导通数据信号Data,薄膜晶体管T2也将被导通,此时流经有机发光二极管OLED的电流IOLED大小为IOLED=k(Vgs-Vth)2,其中k为薄膜晶体管T2的电流放大系数,k的数值由薄膜晶体管T2本身的特性决定,Vth为薄膜晶体管T2的阈值电压,Vgs为薄膜晶体管T2的栅极与源极之间的电压差。由于薄膜晶体管T2的阈值电压容易漂移使得有机发光二极管OLED的驱动电流不稳定而影响OLED面板的显示品质,因此需要阈值电压补偿电路来减少阈值电压飘移的现象。图2所示为目前常见的7T1C像素补偿电路20,由7个晶体管T21-T27、一个存储电容Cst2组成。7T1C像素补偿电路20用于补偿有机发光二极管OLED,其中第一晶体管T21为驱动晶体管。第二晶体管T22、第三晶体管T23以及第七晶体管T27的栅极接入本级的扫描信号SCAN(n),第四晶体管T24的栅极接入上一级的扫描信号SCAN(n-1),第四晶体管T24的源极连接第二晶体管T22的源极,第四晶体管T24的漏极分别连接第七晶体管T27的源极与低电平Vi。如图3所示,图3为图2中7T1C像素补偿电路20的时序图。7T1C像素补偿电路20的作用可分为复位阶段S1、补偿阶段S2与发光阶段S3。在复位阶段S1中,上一级的扫描信号SCAN(n-1)为低电平,本级的扫描信号SCAN(n)与发光信号EM为高电平,因此第四晶体管T24导通,使得第一晶体管T21的栅极复位为低电平Vi。在电压补偿阶段S2中,发光信号EM一样为高电平,而上一级的扫描信号SCAN(n-1)变为高电平,本级的扫描信号SCAN(n)变为低电平,因此第三晶体管T23导通使第一晶体管T21的源极接入数据信号Data。由于此时第一晶体管T21的栅极和漏极短接,因此第一晶体管T21形成二极管结构,因此在第一晶体管的源极接入数据信号Data后,第一晶体管T21的栅极会充电至第一电位Vdata-Vth,其中Vdata为数据信号Data的电平,Vth为第一晶体管T21的阈值电压。即第一晶体管T21的栅极的电平会等于数据信号Data与第一晶体管阈值电压之间的电压差。同时第二晶体管T22与第七晶体管T27也接入低电平的本级扫描信号SCAN(n),因此第七晶体管T27导通使得有机发光二极管OLED的阳极复位至低电平Vi。在发光阶段S3中,发光信号EM为低电平,上一级的扫描信号SCAN(n-1)与本级的扫描信号SCAN(n)皆为高电平,因此第二晶体管T22、第三晶体管T23、第四晶体管T24与第七晶体管T27皆为不导通,电压源VDD通过第一晶体管T21及第五晶体管T25传输到有机发光二极管OLED的阳极,此时通过有机发光二极管OLED的电流IOLED为:IOLED=k(VDD-(Vdata-Vth)-Vth)2=k(VDD-Vdata)2因此,驱动有机发光二极管OLED的电流与第一晶体管T21的阈值电压Vth无关,可以避免驱动晶体管阈值电压漂移造成面板显示品质不良的问题。然而上述的7T1C像素补偿电路仍存在亚阈值电压与漏电区域不均匀的问题。比如在像素显示电极的显示灰阶为零时,驱动晶体管仍有电流产生,因此会有电流通过有机发光二极管使其发光,因此在像素显示低灰阶的情况下,会因为漏电流使得灰阶值与期望值不同,导致显示面板的对比度变差。因此,需要一种像素补偿电路,来解决在低显示灰阶时,驱动晶体管的漏电流会影响显示灰阶,造成对比度变差的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素补偿电路,包含有机发光二极管、第一晶体管、补偿晶体管、存储电容以及第二晶体管。所述有机发光二极管的阴极连接至第一参考电平。所述第一晶体管的源极连接至高电平以及数据信号,所述第一晶体管的漏极连接至所述有机发光二极管的阳极。所述补偿晶体管的源极与栅极连接至第二参考电平,所述补偿晶体管的漏极连接至所述第一晶体管的漏极,使所述第一晶体管漏极的电位等于或小于所述第二参考电平与所述补偿晶体管阈值电压的总和。所述存储电容设置于所述高电平与所述第一晶体管的栅极之间。所述第二晶体管的栅极连接本级扫描信号,所述第二晶体管的源极连接至所述第一晶体管的栅极,所述第二晶体管的漏极连接至所述第一晶体管的漏极与补偿晶体管的漏极。较佳地,所述像素补偿电路包含第三晶体管,其栅极连接至所述本级扫描信号,其源极连接至所述数据信号,其漏极连接至所述第一晶体管的源极,当所述本级扫描信号为低电平时,所述第三晶体管导通将所述数据信号传送至所述第一晶体管的源极。较佳地,所述像素补偿电路包含第四晶体管,其栅极连接至上一级扫描信号,其源极连接至所述第一晶体管的栅极,其漏极连接至第三参考电平,当所述上一级扫描信号为低电平时,所述第四晶体管导通将所述第三参考电平传送至所述第一晶体管的栅极,使所述第一晶体管栅极的电平复位至所述第三参考电平。较佳地,所述像素补偿电路包含第五晶体管及第六晶体管,所述第五晶体管及所述第六晶体管的栅极接入发光信号,所述第五晶体管的源极连接至所述第一晶体管的漏极,所述第五晶体管的漏极连接至所述有机发光二极管的阳极,所述第六晶体管的源极连接至所述高电平,所述第六晶体管的漏极连接至所述第一晶体管的源极,当所述发光信号为低电平时,所述第六晶体管导通将所述高电平传送至所述第一晶体管的源极,使所述有机发光二极管发光。较佳地,所述像素补偿电路包含第七晶体管,其栅极连接至所述本级扫描信号,当所述本级扫描信号为低电平时,所述第七晶体管导通将所述第三参考电平传送至所述第一晶体管的源极。本专利技术还提供一种像素补偿方法,包含将有机发光二极管的阴极连接至第一参考电平。将第一晶体管的源极连接至高电平以及数据信号,将所述第一晶体管的漏极连接至所述有机发光二极管的阳极。将补偿晶体管的源极与栅极连接至第二参考电平,将补偿晶体管的漏极连接至所述第一晶体管的漏极,使所述第一晶体管漏极的电位等于或小于所述第二参考电平与所述补偿晶本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种像素补偿电路,其特征在于,包含:有机发光二极管,其阴极连接至第一参考电平;第一晶体管,其源极连接至高电平以及数据信号,其漏极连接至所述有机发光二极管的阳极;补偿晶体管,其源极与栅极连接至第二参考电平,其漏极连接至所述第一晶体管的漏极,使所述第一晶体管漏极的电位等于或小于所述第二参考电平与所述补偿晶体管阈值电压的总和;存储电容,设置于所述高电平与所述第一晶体管的栅极之间;以及第二晶体管,其栅极连接本级扫描信号,其源极连接至所述第一晶体管的栅极,其漏极连接至所述第一晶体管的漏极与补偿晶体管的漏极;其中当所述本级扫描信号为低电平时,所述第二晶体管导通,使得所述第一晶体管的栅极与漏极短接。

【技术特征摘要】
1.一种像素补偿电路,其特征在于,包含:有机发光二极管,其阴极连接至第一参考电平;第一晶体管,其源极连接至高电平以及数据信号,其漏极连接至所述有机发光二极管的阳极;补偿晶体管,其源极与栅极连接至第二参考电平,其漏极连接至所述第一晶体管的漏极,使所述第一晶体管漏极的电位等于或小于所述第二参考电平与所述补偿晶体管阈值电压的总和;存储电容,设置于所述高电平与所述第一晶体管的栅极之间;以及第二晶体管,其栅极连接本级扫描信号,其源极连接至所述第一晶体管的栅极,其漏极连接至所述第一晶体管的漏极与补偿晶体管的漏极;其中当所述本级扫描信号为低电平时,所述第二晶体管导通,使得所述第一晶体管的栅极与漏极短接。2.如权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,所述像素补偿电路包含第三晶体管,其栅极连接至所述本级扫描信号,其源极连接至所述数据信号,其漏极连接至所述第一晶体管的源极,当所述本级扫描信号为低电平时,所述第三晶体管导通将所述数据信号传送至所述第一晶体管的源极。3.如权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,所述像素补偿电路包含第四晶体管,其栅极连接至上一级扫描信号,其源极连接至所述第一晶体管的栅极,其漏极连接至第三参考电平,当所述上一级扫描信号为低电平时,所述第四晶体管导通将所述第三参考电平传送至所述第一晶体管的栅极,使所述第一晶体管栅极的电平复位至所述第三参考电平。4.如权利要求1所述的像素补偿电路,其特征在于,所述像素补偿电路包含第五晶体管及第六晶体管,所述第五晶体管及所述第六晶体管的栅极接入发光信号,所述第五晶体管的源极连接至所述第一晶体管的漏极,所述第五晶体管的漏极连接至所述有机发光二极管的阳极,所述第六晶体管的源极连接至所述高电平,所述第六晶体管的漏极连接至所述第一晶体管的源极,当所述发光信号为低电平时,所述第六晶体管导通将所述高电平传送至所述第一晶体管的源极,使所述有机发光二极管发光。5.如权利要求3所述的像素补偿电路,其特征在于,所述像素补偿电路包含第七晶体管,其栅极连接至所述本级扫描信号,当所述本级扫描信号为低电平时,所述第七晶体管导通将所述第三参考电平传送至所述第一晶体管的源极。6.一种像素补偿方...

【专利技术属性】
技术研发人员:李骏
申请(专利权)人:武汉华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:湖北,42

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