探测电路及其驱动方法、基板、探测器技术

本发明专利技术的实施例提供一种探测电路及其驱动方法、基板、探测器，涉及探测器技术领域，用于解决现有的探测器无法既实现快速读取，又满足较大光生电子存储量的需求的问题。探测电路，包括：光电感应单元，耦接第一电压端和输出点，用于将接收到的光信号转换成电信号，并将电信号传输至输出点；第一存储子电路，耦接输出点和第二电压端，用于对电信号进行存储；辅助存储子电路，耦接输出点、第三电压端以及第一控制信号端，用于在第一控制信号端的控制下，对电信号进行存储；输出控制子电路，耦接数据读取端、第二控制信号端以及输出点，用于在第二控制信号端的控制下，将输出点的电信号传输至数据读取端。

Detection Circuit and Its Driving Method, Substrate and Detector

The embodiment of the present invention provides a detection circuit and its driving method, a substrate and a detector, which relates to the technical field of detectors, and is used to solve the problem that the existing detectors can not achieve fast reading, but also meet the needs of larger photogenerated electronic storage. The detection circuit includes: photoelectric induction unit, which couples the first voltage terminal and output point to convert the received optical signal into electrical signal and transmit the electrical signal to the output point; the first storage sub-circuit, which couples the output point and the second voltage terminal, is used to store the electrical signal; the auxiliary storage sub-circuit, which couples the output point, the third voltage terminal and the first control signal terminal. It is used to store the electric signal under the control of the first control signal terminal, and the output control sub-circuit is used to couple the data reading terminal, the second control signal terminal and the output point to transmit the electric signal of the output point to the data reading terminal under the control of the second control signal terminal.

【技术实现步骤摘要】
探测电路及其驱动方法、基板、探测器
本专利技术涉及探测器
，尤其涉及探测电路及其驱动方法、基板、探测器。
技术介绍
随着电子技术的发展，能够检测到肉眼不可见物体的探测器为人们的日常生活带来了极大的便利。以X射线平板探测器为例，X射线平板探测器分为静态板和动态板，静态板控制信号端(Gate)开启时间充分，数据读取端(Data)能充分将探测电路中的信号读取；动态板往往需满足较高刷新频率，刷新频率是静态板的20～30倍左右，用于Gate开启时间是静态板的1/20～1/30，因此，探测电路需在较短的时间内读完信号。而既能实现快速读取，又能满足较大光生电子存储量的探测器，为未来探测器的发展趋势。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种探测电路及其驱动方法、基板、探测器，用于解决现有的探测器无法既实现快速读取，又满足较大光生电子存储量的需求的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种探测电路，包括：输出控制子电路、第一存储子电路、光电感应单元、以及辅助存储子电路；所述光电感应单元，耦接第一电压端和输出点，用于将接收到的光信号转换成电信号，并将所述电信号传输至所述输出点；所述第一存储子电路，耦接所述输出点和第二电压端，用于对所述电信号进行存储；所述辅助存储子电路，耦接所述输出点、第三电压端以及第一控制信号端，用于在所述第一控制信号端的控制下，对所述电信号进行存储；所述输出控制子电路，耦接数据读取端、第二控制信号端以及所述输出点，用于在所述第二控制信号端的控制下，将所述输出点的电信号传输至所述数据读取端。可选的，所述辅助存储子电路包括多个并联的第二存储子电路，每个所述第二存储子电路耦接所述输出点、所述第三电压端以及所述第一控制信号端，用于在所述第一控制信号端的控制下，对所述电信号进行存储。可选的，多个所述第二存储子电路中的至少一个包括多级串联的子存储电路；第一级所述子存储电路，耦接所述输出点、所述第三电压端以及所述第一控制信号端，用于在所述第一控制信号端的控制下，对所述电信号进行存储；第一级以后的每级所述子存储电路，耦接前一级所述子存储电路、所述第三电压端以及所述第一控制信号端，用于在所述第一控制信号端的控制下，对所述电信号进行存储。可选的，所述辅助存储子电路包括多级串联的第二存储子电路；第一级所述第二存储子电路，耦接所述输出点、所述第三电压端以及所述第一控制信号端，用于在所述第一控制信号端的控制下，对所述电信号进行存储；第一级以后的每级所述第二存储子电路，耦接前一级所述第二存储子电路、所述第三电压端以及所述第一控制信号端，用于在所述第一控制信号端的控制下，对所述电信号进行存储。可选的，所述探测电路包括多个所述第一控制信号端，多个所述第二存储子电路中的至少两个连接不同的所述第一控制信号端；在所述第二存储子电路包括多级串联的子存储电路的情况下，多个所述子存储电路中的至少两个连接不同的所述第一控制信号端。可选的，所述探测电路包括多个第三电压端，多个所述第二存储子电路中的至少两个连接不同的所述第三电压端，在所述第二存储子电路包括多级串联的子存储电路的情况下，多个所述子存储电路中的至少两个连接不同的所述第三电压端。可选的，所述第一存储子电路的最大存储电荷量和所述辅助存储子电路的最大存储电荷量不同。可选的，所述多个所述第二存储子电路的最大存储电荷量不同。可选的，所述辅助存储子电路包括第一晶体管和第一电容；所述第一晶体管的栅极耦接所述第一控制信号端，所述第一晶体管的第一极耦接所述输出点，所述第一晶体管的第二极耦接所述第一电容的第一端；所述第一电容的第二端耦接所述第三电压端；所述输出控制子电路包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极耦接所述第二控制信号端，所述第二晶体管的第一极耦接所述数据读取端，所述第二晶体管的第二极耦接所述输出点；所述第一存储子电路包括第二电容，所述第二电容的第一端耦接所述输出点，所述第二电容的第二端耦接所述第二电压端；所述光电感应单元包括光电二极管，所述光电二极管的一极连接所述第一电压端，另一极连接所述输出点。可选的，所述第二存储子电路包括第三晶体管和第三电容；所述第三晶体管的栅极连接所述第一控制信号端，所述第三晶体管的第一极连接所述输出点，所述第三晶体管的第二极连接所述第三电容的第一端；所述第三电容的第二端连接所述第三电压端。可选的，所述子存储电路包括第四晶体管和第四电容；第一级所述子存储电路的所述第四晶体管的栅极连接所述第一控制信号端，所述第四晶体管的第一极连接所述输出点，所述第四晶体管的第二极连接所述第四电容的第一端；所述第四电容的第二端连接所述第三电压端；第一级以后的每级所述子存储电路的所述第四晶体管连接所述第一控制信号端，所述第四晶体管的第一极连接前一级所述子存储电路的第四晶体管的第二极，所述第四晶体管的第二极连接所述第四电容的第一端；所述第四电容的第二端连接所述第三电压端。可选的，所述第二存储子电路包括第五晶体管和第五电容；第一级所述第二存储子电路的所述第五晶体管的栅极连接所述第一控制信号端，所述第五晶体管的第一极连接所述输出点，所述第五晶体管的第二极连接所述第五电容的第一端；所述第五电容的第二端连接所述第三电压端；第一级以后的每级所述第二存储子电路的所述第五晶体管的栅极连接所述第一控制信号端，所述第五晶体管的第一极连接前一级所述第二存储子电路的第五晶体管的第二极，所述第五晶体管的第二极连接所述第五电容的第一端；所述第五电容的第二端连接所述第三电压端。第二方面，提供一种基板，包括多个第一方面任一项所述的探测电路。可选的，辅助存储子电路包括第一电容，第一存储子电路包括第二电容；所述第一电容的第二端和所述第二电容的第二端同层同材料。可选的，辅助存储子电路包括第一电容，第一存储子电路包括第二电容；所述第一电容的第一端和所述第二电容的第一端同层同材料。可选的，辅助存储子电路包括第一晶体管，输出控制子电路包括第二晶体管；所述第一晶体管的栅极、所述第二晶体管的栅极、所述第一电容的第二端以及所述第二电容的第二端同层同材料。可选的，辅助存储子电路包括第一晶体管，输出控制子电路包括第二晶体管；所述第一晶体管的第一极和第二极、所述第二晶体管的第一极和第二极、所述第一电容的第一端以及所述第二电容的第一端同层同材料。第三方面，提供一种探测器，包括第二方面所述的基板。可选的，所述探测器还包括处理器，所述处理器用于根据第一存储子电路存储的电荷量是否达到所述第一存储子电路的最大存储电荷量，选择向探测电路的第一控制信号端输入第一开启电压或第一截止电压。第四方面，提供一种第一方面任一项所述的探测电路的驱动方法，包括：光电转换阶段：向第一电压端输入第一电压，光感应单元将接收到的光信号转换成电信号，并将所述电信号传输至所述输出点；存储阶段：第一存储子电路对所述电信号进行存储；向第一控制信号端输入第一开启电压，辅助存储子电路在所述第一开启电压的控制下，对所述电信号进行存储；或者，向第一控制信号端输入第一截止电压，辅助存储子电路在所述第一截止电压的控制下关闭；读取阶段：向第二控制信号端输入第二开启电压，输出控制子电路在所述第二开启电压的控制下，将所述输出点的电信号传输至数据读取端；其中，所述第一控制信号本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种探测电路，其特征在于，包括：输出控制子电路、第一存储子电路、光电感应单元、以及辅助存储子电路；所述光电感应单元，耦接第一电压端和输出点，用于将接收到的光信号转换成电信号，并将所述电信号传输至所述输出点；所述第一存储子电路，耦接所述输出点和第二电压端，用于对所述电信号进行存储；所述辅助存储子电路，耦接所述输出点、第三电压端以及第一控制信号端，用于在所述第一控制信号端的控制下，对所述电信号进行存储；所述输出控制子电路，耦接数据读取端、第二控制信号端以及所述输出点，用于在所述第二控制信号端的控制下，将所述输出点的电信号传输至所述数据读取端。

【技术特征摘要】
1.一种探测电路，其特征在于，包括：输出控制子电路、第一存储子电路、光电感应单元、以及辅助存储子电路；所述光电感应单元，耦接第一电压端和输出点，用于将接收到的光信号转换成电信号，并将所述电信号传输至所述输出点；所述第一存储子电路，耦接所述输出点和第二电压端，用于对所述电信号进行存储；所述辅助存储子电路，耦接所述输出点、第三电压端以及第一控制信号端，用于在所述第一控制信号端的控制下，对所述电信号进行存储；所述输出控制子电路，耦接数据读取端、第二控制信号端以及所述输出点，用于在所述第二控制信号端的控制下，将所述输出点的电信号传输至所述数据读取端。2.根据权利要求1所述的探测电路，其特征在于，所述辅助存储子电路包括多个并联的第二存储子电路，每个所述第二存储子电路耦接所述输出点、所述第三电压端以及所述第一控制信号端，用于在所述第一控制信号端的控制下，对所述电信号进行存储。3.根据权利要求2所述的探测电路，其特征在于，多个所述第二存储子电路中的至少一个包括多级串联的子存储电路；第一级所述子存储电路，耦接所述输出点、所述第三电压端以及所述第一控制信号端，用于在所述第一控制信号端的控制下，对所述电信号进行存储；第一级以后的每级所述子存储电路，耦接前一级所述子存储电路、所述第三电压端以及所述第一控制信号端，用于在所述第一控制信号端的控制下，对所述电信号进行存储。4.根据权利要求1所述的探测电路，其特征在于，所述辅助存储子电路包括多级串联的第二存储子电路；第一级所述第二存储子电路，耦接所述输出点、所述第三电压端以及所述第一控制信号端，用于在所述第一控制信号端的控制下，对所述电信号进行存储；第一级以后的每级所述第二存储子电路，耦接前一级所述第二存储子电路、所述第三电压端以及所述第一控制信号端，用于在所述第一控制信号端的控制下，对所述电信号进行存储。5.根据权利要求2-4任一项所述的探测电路，其特征在于，所述探测电路包括多个所述第一控制信号端，多个所述第二存储子电路中的至少两个连接不同的所述第一控制信号端；在所述第二存储子电路包括多级串联的子存储电路的情况下，多个所述子存储电路中的至少两个连接不同的所述第一控制信号端；和/或，所述探测电路包括多个第三电压端，多个所述第二存储子电路中的至少两个连接不同的所述第三电压端，在所述第二存储子电路包括多级串联的子存储电路的情况下，多个所述子存储电路中的至少两个连接不同的所述第三电压端。6.根据权利要求2-4任一项所述的探测电路，其特征在于，所述第一存储子电路的最大存储电荷量和所述辅助存储子电路的最大存储电荷量不同；和/或，所述多个所述第二存储子电路的最大存储电荷量不同。7.根据权利要求1所述的探测电路，其特征在于，所述辅助存储子电路包括第一晶体管和第一电容；所述第一晶体管的栅极耦接所述第一控制信号端，所述第一晶体管的第一极耦接所述输出点，所述第一晶体管的第二极耦接所述第一电容的第一端；所述第一电容的第二端耦接所述第三电压端；所述输出控制子电路包括第二晶体管，所述第二晶体管的栅极耦接所述第二控制信号端，所述第二晶体管的第一极耦接所述数据读取端，所述第二晶体管的第二极耦接所述输出点；所述第一存储子电路包括第二电容，所述第二电容的第一端耦接所述输出点，所述第二电容的第二端耦接所述第二电压端；所述光电感应单元包括光电二极管，所述光电二极管的一极连接所述第一电压端，另一极连接所述输出点。8.根据权利要求2所述的探测电路，其特征在于，所述第二存储子电路包括第三晶体管和第三电容；所述第三晶体管的栅极连接所述第一控制信号端，所述第三晶体管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：华刚，薛艳娜，张勇，白璐，方浩博，林坚，张丽敏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11