非接触式磁致伸缩传感器的对准制造技术

本发明专利技术提供了用于对应力传感器组件进行定位、定向和/或对准的系统、方法和装置。对应于目标中的应力的原始应力信号可以通过检测行进穿过所述目标的磁通量来产生。所述原始应力信号可以对所述传感器相对于所述目标的对准敏感。为了使测量误差最小化，所述应力传感器可以在测量应力之前相对于所述目标恰当对准。对准传感器可以涉及调节所述传感器的偏航、俯仰和/或翻滚，测量所述原始应力信号，衰减检测到的磁通量，以及再次测量所述原始应力信号。在所述应力传感器被恰当对准后，所述传感器与目标表面之间间隙的尺寸变化可以造成所述原始应力信号出现大致相等的变化。

Alignment of non-contact magnetostrictive sensor

The present invention provides a system, method and device for positioning, orientation and/or alignment of stress sensor components. The original stress signal corresponding to the stress in the target can be generated by detecting the magnetic flux traveling through the target. The original stress signal can be sensitive to the alignment of the sensor with respect to the target. In order to minimize the measurement error, the stress sensor can be properly aligned with the target before measuring the stress. The alignment sensor may involve adjusting the yaw, pitch and/or roll of the sensor, measuring the original stress signal, attenuating the detected magnetic flux, and re-measuring the original stress signal. After the stress sensor is properly aligned, a change in the size of the gap between the sensor and the target surface can cause a roughly equal change in the original stress signal.

【技术实现步骤摘要】
非接触式磁致伸缩传感器的对准
技术介绍
铁磁材料可以具有磁致伸缩性质，这类性质可以致使铁磁材料在存在施加的磁场时改变形状。反之也可以成立。向导电材料施加应力时，材料的磁性质,诸如磁导率(magneticpermeability),可以改变。磁致伸缩传感器是非接触式传感器，可以包括被配置为感测磁导率变化的感测元件，并且由于磁导率变化可以与施加至导电材料的应力量成比例，所以得到的测量结果可以用来计算应力量。但是，由于向导电材料施加应力而产生的磁导率变化可能很小。为了便于测量很小的磁导率变化，在计算向目标施加的应力时，可能需要考虑由于磁致伸缩传感器的感测元件与目标之间的间隙距离而引起的测量误差。作为一个实例，可以手动将磁致伸缩传感器与目标对准，并且可以用仪表设定该间隙距离。然而，这种手动对准可能导致目标与每个感测元件之间的间隙存在差异，因此可能无法恰当地补偿该间隙距离。
技术实现思路
本专利技术提供了用于将应力传感器相对于目标对准的系统、装置和方法。在一个方面，提供了一种传感器组件，该组件包括传感器和衰减元件(attenuationelement)。传感器可以包括驱动元件，该驱动元件可以被配置为产生本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种传感器组件，包括：传感器，所述传感器包括驱动元件，所述驱动元件被配置为产生第一磁场和对应的第一磁通量，所述第一磁通量行进穿过所述驱动元件与目标表面之间的第一间隙距离并且穿过所述目标，和至少一个检测元件，所述检测元件被配置为检测所述第一磁通量的一部分；以及衰减元件，所述衰减元件被配置为在无需使所述传感器相对于所述目标轴向平移的情况下，允许所述第一磁通量的检测到的部分得到选择性调节。

【技术特征摘要】
2017.09.06 US 15/6967451.一种传感器组件，包括：传感器，所述传感器包括驱动元件，所述驱动元件被配置为产生第一磁场和对应的第一磁通量，所述第一磁通量行进穿过所述驱动元件与目标表面之间的第一间隙距离并且穿过所述目标，和至少一个检测元件，所述检测元件被配置为检测所述第一磁通量的一部分；以及衰减元件，所述衰减元件被配置为在无需使所述传感器相对于所述目标轴向平移的情况下，允许所述第一磁通量的检测到的部分得到选择性调节。2.根据权利要求1所述的传感器组件，其中所述衰减元件的位置可以相对于所述传感器进行调节，使得改变所述衰减元件的所述位置则改变所述第一磁通量的检测到的部分。3.根据权利要求1所述的传感器组件，其中所述衰减元件包括设置在所述传感器周围的套管，所述衰减元件被配置为随着它朝所述目标移动而增大衰减量。4.根据权利要求1所述的传感器组件，其中所述衰减元件设置在所述传感器的至少一部分周围，所述衰减元件包括至少一个导电元件，所述导电元件被配置为产生与所述第一磁场的一部分相互作用的第二磁场，从而调节所述第一磁通量的检测到的部分的量值，所述第二磁场是由流过所述至少一个导电元件的交流电产生的并且被配置为衰减所述第一磁场的一部分，从而衰减所述第一磁通量的检测到的部分。5.根据权利要求1所述的传感器组件，其中所述衰减元件被配置为接收原始输入驱动信号，并且使用所述原始输入驱动信号来产生输入驱动信号，所述输入驱动信号被...

【专利技术属性】
技术研发人员：D富尔克纳，DT卢，L特恩博，BF霍华德，T科万，B鲍尔兹，D奥康纳，
申请(专利权)人：本特利内华达有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US