【技术实现步骤摘要】
锡掺杂氧化钼薄膜、基于锡掺杂氧化钼薄膜的宽光谱光电探测器阵列及其制备方法
本专利技术涉及半导体光电材料领域，尤其涉及锡掺杂氧化钼薄膜、基于锡掺杂氧化钼薄膜的宽光谱光电探测器阵列及其制备方法。
技术介绍
宽光谱探测器作为一种独特的光电器件，被广泛应用于多光谱检测、远程通讯、夜视仪或红外热成像等领域中。传统窄带隙材料比如硅、砷化镓铟、碲镉汞和硫化铅，其探测区域覆盖了从紫外到远红外的光谱范围。但是基于窄带隙材料的大多数光探测器阵列由于其制备成本高昂，制作工艺复杂，同时测试过程需要低温操作等缺陷，限制了其广泛的应用。所以寻找一种性能优异且能在室温和大气环境中稳定的材料以及能制备大面积均匀薄膜的方法是宽光谱探测领域一直追求的目标。氧化钼作为一种在大气中稳定性良好的多功能半导体材料，其优异的光电性能吸引了许多科研人员的关注，并在光电器件领域得到广泛应用。其本征宽带隙的结构将其探测范围限制于紫外波段，一般通过引入中间态的方法来降低材料的带隙，从而拓宽其光谱响应范围，其中包括真空退火和离子掺杂。但是真空退火过程需要高温，由于应力作用容易在氧化钼薄膜表面诱发缺陷，产生大量裂纹，这些...
【技术保护点】
1.一种锡掺杂氧化钼薄膜的制备方法，其包括以下步骤：将一定质量比的氧化钼粉末及氯化亚锡粉末研磨均匀，放置于镀膜腔室中的衬底下方；将所述腔室抽真空，调节电流至50A后打开挡板，先以慢速蒸镀到一定厚度后继续增加电流至60A左右，然后以较快速率蒸镀直到获得所需厚度的薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种锡掺杂氧化钼薄膜的制备方法，其包括以下步骤：将一定质量比的氧化钼粉末及氯化亚锡粉末研磨均匀，放置于镀膜腔室中的衬底下方；将所述腔室抽真空，调节电流至50A后打开挡板，先以慢速蒸镀到一定厚度后继续增加电流至60A左右，然后以较快速率蒸镀直到获得所需厚度的薄膜。2.根据权利要求1的所述制备方法，其特征在于，所述氧化钼粉末及氯化亚锡粉末的质量比为20-0.5。3.根据权利要求1或2的所述方法，其特征在于，所述慢速为所述较快速率为所述一定厚度为10nm。4.根据权利要求1的所述方法，其特征在于，所述所需厚度为200-500nm。5.根据权利要求1或2的所述方法，其特征在于，所述衬底为绝缘衬底或导电衬底，所述绝缘衬底包括石英玻璃、SiO2、Al2O3、蓝宝石或PET，所述导电衬底包括FTO...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢伟广，何锐辉，赖浩杰，
申请(专利权)人：暨南大学，
类型：发明
国别省市：广东,44
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