有机电致发光器件制造技术

本发明专利技术涉及显示技术领域，具体公开了一种有机电致发光器件，包括层叠设置的第一电极和空穴注入层，所述第一电极和所述空穴注入层之间形成欧姆接触，所述空穴注入层的载流子迁移率小于2×10

【技术实现步骤摘要】
有机电致发光器件
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种有机电致发光器件。
技术介绍
有机电致发光器件(英文全称OrganicLight-EmittingDevice，简称OLED)是主动发光器件，具有低功耗、色域广、体积更薄等优点，有望成为下一代主流照明和平板显示技术。目前，有机电致发光技术已经在智能手机显示屏等小尺寸面板上得到了广泛的应用。通常，OLED包括在基板上层叠设置的阳极、有机发光层和阴极，以及夹设在电极与发光层之间的载流子功能层。在工作时，载流子(即，空穴和电子)通过阳极、阴极被注入到有机发光层中，不同的载流子在发光材料中结合从而以光的形式释放其能量。然而，空穴和电子的迁移率并不相同，从而影响OLED的电流效率。
技术实现思路
因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中有机电致发光器件的电流效率较低的缺陷，从而提供一种有机电致发光器件。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案如下：本专利技术实施例提供一种有机电致发光器件，包括层叠设置的第一电极和空穴注入层，所述第一电极和所述空穴注入层之间形成欧姆接触，所述空穴注入层的载流子迁移率小于2×10-5CM2V-1S-1。可选地，所述空穴注入层的材料包括第一空穴传输材料和P型掺杂材料，可选地，所述P型掺杂材料选自但不限于F4TCNQ、NDP-9或FeCl3、MoO3、WO3等过渡金属化合物。可选地，所述第一空穴传输材料的HOMO能级为-5.3eV至-4.8eV。可选地，所述第一空穴传输材料为：其中，Ar1-Ar4彼此独立地为取代或者无取代的苯基、联苯基、联三苯基、菲基；R1-R2彼此独立地为H原子、C1-C40的脂肪族直链或支链烃基，或卤素原子。可选地，所述第一空穴传输材料选自但不限于：可选地，所述P型掺杂材料的质量与所述第一空穴传输材料的质量的比在1：100到1：10之间。可选地，所述空穴注入层的厚度为5nm至30nm。可选地，所述有机电致发光器件还包括与所述空穴注入层欧姆接触的空穴传输层，所述空穴传输层的材料为第二空穴传输材料，所述第二空穴传输材料的载流子迁移率大于所述第一空穴传输材料的载流子迁移率。可选地，所述空穴传输层的载流子迁移率大于1×10-4CM2V-1S-1。可选地，所述第二空穴传输材料的HOMO能级为-5.6eV至-5.1eV。可选地，所述第二空穴传输材料为：其中，Ar1-Ar2彼此独立地为取代或未取代的C5-C30的芳香族基团；X为O或S；L为单键或选自C4-C10的芳香族基团；n≥1；R1-R4是卤素原子、羧基、C1-C30的脂肪族直链或支链烃基。可选地，所述第二空穴传输材料选自但不限于：可选地，所述空穴传输层的厚度为50nm至200nm。本专利技术技术方案，具有如下优点：1.本专利技术实施例提供的有机电致发光器件，包括层叠设置的第一电极和空穴注入层，所述第一电极和所述空穴注入层之间形成欧姆接触，所述空穴注入层的载流子迁移率小于2×10-5CM2V-1S-1。本专利技术通过采用低迁移率的材料作为空穴注入层，使得该有机电致发光器件中空穴的迁移率降低，从而能够在OLED的发光层降低空穴的浓度，使得发光层中的空穴和电子的数量趋于平衡，提高了空穴和电子的复合区域，进而提高了OLED的电流效率。2.本专利技术实施例提供的有机电致发光器件，其中第一空穴传输材料的HOMO能级为-5.3eV至-4.8eV。本专利技术通过HOMO能级浅的第一空穴传输材料作为空穴注入层，能够使得空穴注入层内的空穴的迁移率降低，达到在OLED的发光层降低空穴浓度的目的；此外，空穴注入层的材料中还有P型掺杂材料，由于该材料的LUMO能级与第一空穴传输材料的HOMO能级之间的能级交叠较小，能够有效降低OLED的驱动电压。3.本专利技术实施例提供的有机电致发光器件，其中P型掺杂材料的掺杂浓度为1wt％至10wt％。本专利技术通过P型掺杂材料的该掺杂浓度，在降低空穴迁移率的同时，能够保证在OLED的发光层中空穴和电子的数量趋于平衡，进而达到提高空穴电子复合区域的面积，提高OLED的电流效率。4.本专利技术实施例提供的有机电致发光器件，其中空穴传输层的厚度为50nm至200nm。本专利技术中的空穴传输层与OLED的反射电极之间形成微腔结构，导致发生光的相消干涉和相长干涉，最终只保持预定波长的光的强度而降低其它波长的光的强度，而该厚度能够保证光在空穴传输层中反射时产生合适的相位差，达到提高光的提取效率的目的。附图说明为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例1中OLED的结构示意图；附图标记：10-基板、20-第一电极、30-空穴注入层、40-空穴传输层、50-发光层、60-电子传输层、70-电子注入层、80-第二电极。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。本专利技术可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本专利技术的构思充分传达给本领域技术人员，本专利技术将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层被称作“形成在”或“设置在”另一元件“上”时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上时，不存在中间元件。如图1所示，本专利技术实施例提供的有机电致发光器件，包括基板10，以及依次层叠设置在基板10上的第一电极20、空穴注入层30、空穴传输层40、发光层50、电子传输层60、电子注入层70、第二电极80。其中，基板10可以是硬质基板，如玻璃，或是柔性基片。其中，柔性基片可采用聚酯类、聚酰亚胺类化合物材料或者薄金属片制备。该有机电致发光器件的封装可采用本领域技术人员已知的任意合适方法，例如薄膜封装。第一电极20可以作为阳极，而对应的第二电极80为阴极。本专利技术实施例中的OLED以顶发光器件为例，进行详细描述，即本实施例中的第一电极20为透明阳极，第二电极80为金属阴极。作为本专利技术的一种可选实施例，第二电极80为反射电极。其中，透明阳极20可以采用无机材料或有机导电聚合物。无机材料一般为铟锡氧化物(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)等金属氧化物或金、铜、银等功函数较高的金属，优选ITO。金属阴极80一般采用铝、银等导电性好的金属材料，或者金属导电氧化物。有机导电聚合物优选为聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸钠(以下简称PEDOT/PSS)、聚苯胺(以下简称PANI)中的一种。电子注入层70可以采用金属单质或金属的氧族元素或者卤族元素的化合物，或者金属合金。空穴本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括层叠设置的第一电极和空穴注入层，所述第一电极和所述空穴注入层之间形成欧姆接触，所述空穴注入层的载流子迁移率小于2×10‑5CM2V‑1S‑1。

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括层叠设置的第一电极和空穴注入层，所述第一电极和所述空穴注入层之间形成欧姆接触，所述空穴注入层的载流子迁移率小于2×10-5CM2V-1S-1。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料包括第一空穴传输材料和P型掺杂材料。3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输材料的HOMO能级为-5.3eV至-4.8eV。4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输材料为：其中，Ar1-Ar4彼此独立地为取代或者无取代的苯基、联苯基、联三苯基、菲基；R1-R2彼此独立地为H原子、C1-C40的脂肪族直链或支链烃基，或卤素原子。5.根据权利要求1-4中任一项所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述P型掺杂材料的质量与所述第一空穴传输材料的质量的比在1：100到1：10之间；优选地，所述空穴注入层的厚度为5nm至30nm。6.根据权利要求1-...

【专利技术属性】
技术研发人员：闵超，田景文，刘胜芳，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32