The invention discloses an improved absolute temperature complementary (CTAT) voltage generator. The embodiment of the present invention relates to a circuit (300) comprising a first circuit branch (310), a second circuit branch (320) and an integrator circuit (330). The first branch contains a first transistor (T31) and a first current source (I31) to generate a first CTAT voltage signal (V31) containing components corresponding to the parasitic base resistance and the parasitic emitter resistance of the first transistor (T31). The second branch contains a second transistor (T32) and a second current source (I32) to generate a second CTAT voltage signal (V32) containing components corresponding to the parasitic base resistance and the parasitic emitter resistance of the second transistor. The first (310) and second (320) circuit branches are coupled to the integrator circuit (330) so that the integrator circuit (330) integrates the difference between the first CTAT voltage signal (V31) and the second CTAT voltage signal (V32), so that the integration signal does not contain any components corresponding to the parasitic base resistance and the parasitic emitter resistance.
【技术实现步骤摘要】
改进的绝对温度互补型(CTAT)电压发生器
本专利技术涉及电压参考电路,并且具体涉及改进绝对温度互补型(CTAT)电压的精度。
技术介绍
绝对温度互补型(CTAT)(complementarytoabsolutetemperature)电压广泛地用于带隙参考点、温度传感器以及偏差发生器的构造。虽然可以例如使用互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管、结型场效应晶体管(JFET)以及二极管的许多方式得到CTAT电压,但通常使用双极结型晶体管(BJT或双极性晶体管)产生精确且可重复的CTAT电压。使用BJT通过在二极管连接的工作模式中配置BJT并产生基极-发射极结两端的电压来生成CTAT电压。基极-发射极电压包括不呈现出CTAT特性并且因此为CTAT电压的缺陷的各种分量。缺陷中的一些可通过修整或校准技术来解决。但此类技术对于嵌入在BJT内的例如寄生基极电阻和寄生发射极电阻的缺陷并不有效。
技术实现思路
附图说明现将通过仅示例并参考附图来描述根据本专利技术的特定实施方案:图1为常规的绝对温度互补型(CTAT)电压发生器电路的框图。图2为根据一个实施例的改进的CTAT电压发生器电路的框图。图3为根据一个实施例的工作在采样模式中的单端CTAT电压发生器电路的框图。图4为根据一个实施例的工作在积分模式中的图3的单端CTAT电压发生器电路的框图。图5为根据一个实施例的工作在采样模式中的差分CTAT电压发生器电路的框图。图6为根据一个实施例的工作在积分模式中的图5的差分CTAT电压发生器电路的框图。图7为根据一个实施例的具有附加开关的图5的差分CTAT电压发生器电路的框图。当前 ...
【技术保护点】
1.一种电路,所述电路包括:第一电路分支,所述第一电路分支包括第一晶体管和第一电流源,所述第一晶体管包括基极端子、发射极端子以及集电极端子,所述基极端子连接到所述集电极端子,所述第一电流源耦合到所述第一晶体管的所述集电极端子,所述第一电路分支经配置以在所述第一晶体管的所述集电极端子处产生第一绝对温度互补型即CTAT电压信号;第二电路分支,所述第二电路分支包括第二晶体管和第二电流源,所述第二晶体管包括基极端子、发射极端子以及集电极端子,所述第二晶体管的所述基极端子连接到所述第二晶体管的所述集电极端子,所述第二电流源耦合到所述第二晶体管的所述集电极端子,所述第二电路分支经配置以在所述第二晶体管的所述集电极端子处产生第二CTAT电压信号,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管具有基本上相同的尺寸,并且所述第一电流源经配置以提供由所述第二电流源提供的电流的量的两倍的电流;以及积分器电路,所述积分器电路包括输入端子,所述输入端子耦合到以下各项中的至少一个:所述第一晶体管的集电极端子和所述第二晶体管的集电极端子,所述积分器电路经配置以基于所述第一CTAT电压信号与所述第二CTAT电压信号之间的差值来产 ...
【技术特征摘要】
2017.08.31 US 15/691,9571.一种电路,所述电路包括:第一电路分支,所述第一电路分支包括第一晶体管和第一电流源,所述第一晶体管包括基极端子、发射极端子以及集电极端子,所述基极端子连接到所述集电极端子,所述第一电流源耦合到所述第一晶体管的所述集电极端子,所述第一电路分支经配置以在所述第一晶体管的所述集电极端子处产生第一绝对温度互补型即CTAT电压信号;第二电路分支,所述第二电路分支包括第二晶体管和第二电流源,所述第二晶体管包括基极端子、发射极端子以及集电极端子,所述第二晶体管的所述基极端子连接到所述第二晶体管的所述集电极端子,所述第二电流源耦合到所述第二晶体管的所述集电极端子,所述第二电路分支经配置以在所述第二晶体管的所述集电极端子处产生第二CTAT电压信号,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管具有基本上相同的尺寸,并且所述第一电流源经配置以提供由所述第二电流源提供的电流的量的两倍的电流;以及积分器电路,所述积分器电路包括输入端子,所述输入端子耦合到以下各项中的至少一个:所述第一晶体管的集电极端子和所述第二晶体管的集电极端子,所述积分器电路经配置以基于所述第一CTAT电压信号与所述第二CTAT电压信号之间的差值来产生输出CTAT电压信号。2.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一晶体管和所述第二晶体管具有相同尺寸。3.根据权利要求1所述的电路,其中所述积分器电路在第一工作模式中耦合到所述第一晶体管的集电极端子并且在第二工作模式下耦合到所述第二晶体管的集电极端子。4.根据权利要求3所述的电路,其中所述第一工作模式为采样模式且所述第二工作模式为积分模式。5.根据权利要求3所述的电路,其中所述积分器电路经由第一电容器和第一开关耦合到所述第一晶体管的集电极端子并且经由第二电容器和第二开关耦合到所述第二晶体管的集电极端子。6.根据权利要求5所述的电路,其中所述积分器电路还包括放大器电路,所述放大器电路包括输入端子,并且其中所述第一电容器耦合到所述放大器电路的输入端子和所述第一开关,所述第二电容器耦合到所述放大器电路的输入端子和所述第二开关,所述第一开关耦合到所述第一电容器和所述第一晶体管的集电极端子,并且所述第二开关耦合到所述第二电容器和所述第二晶体管的集电极端子。7.根据权利要求6所述的电路,其中所述第一电容器与所述第二电容器的电容值之间的比值基于由所述第一电流源和所述第二电流源提供的电流的比值。8.根据权利要求6所述的电路,其中所述积分器电路还包括第三开关和第四开关,所述第三开关耦合到所述第一电容器和所述电路的参考节点,并且所述第四开关耦合到所述第二电容器和所述参考节点。9.根据权利要求6所述的电路,其中所述积分器电路还包括耦合到所述放大器电路的输入端子和所述积分器电路的输出端子的积分电容器。10.根据权利要求9所述的电路,其中所述积分器电路还包括耦合到所述放大器电路的输入端子和所述积分电容器的第五开关。11.根据权利要求10所述的电路,其中所述积分器电路还包括耦合到所述放大器电路的输入端子和所述积分器电路的输出端子的第六开关。12.根据权利要求1所述的电路,其中所述积分器电路实施为全差分电路。13.根据权利要求4所述的电路,其中所述第一电流源耦合到所述第二晶体管的集电极端子并且所述第二电流源耦合到所述第一晶体管的集电极端子。14.根据权利要求1所述的电路,其中所述第一电路分支和所述第二电路分支中的每一个还包括两个开关,所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:D·T·特里方诺夫,
申请(专利权)人:德克萨斯仪器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。