An etchant composition is provided, comprising 10 wt% to 20 wt% hydrogen peroxide, 0.1wt% to 2 wt% azole-based compounds, 0.1wt% to 10 wt% inorganic acid compounds, 0.1wt% to 5 wt% water surface stabilizers, 0.01wt% to 0.1wt% fluoride, 0.1wt% to 10 wt% sulfate-based compounds, and a volume package to make the total weight of the etchant composition 100 wt%. Contains water. The etchant composition according to the implementation scheme conceived in the present invention can be used to etch metal films containing copper and molybdenum titanium alloys to form metal patterns or to manufacture thin film transistor substrates.
【技术实现步骤摘要】
蚀刻剂组合物及使用其制造金属图案和薄膜晶体管衬底的方法相关申请的交叉引用本申请要求2017年9月4日提交的第10-2017-0112816号韩国专利申请的优先权，所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。
本文中的本公开内容涉及蚀刻剂组合物以及使用所述蚀刻剂组合物制造金属图案和薄膜晶体管衬底的方法，并且更具体地，涉及具有改善的锥形蚀刻轮廓的蚀刻剂组合物以及使用所述蚀刻剂组合物制造金属图案和薄膜晶体管衬底的方法。
技术介绍
随着平板显示器工业要求实现高分辨率、大面积和3D显示，出现对较快响应速度的需求。特别地，已经要求增加TFT结构的通道部件中的电子移动速度。因此，低电阻材料已经用于形成布线，并且已经研究使用氧化物半导体来增加半导体层中的电子移动速度的方法。用作用于金属布线的材料的铜具有较好的电导率并且比铝或铬更环境友好。然而，铜对氧化剂的抗性比铝或铬对氧化剂的抗性更高，使得必须使用包含更剧烈的氧化剂的蚀刻剂。此外，铜对玻璃衬底或对硅绝缘膜具有差的附着力，使得难以以单层膜形式使用铜。因此，必须使用对玻璃衬底或硅绝缘膜具有优异的附着性的金属膜作为铜的下膜。因此，当蚀...
【技术保护点】
1.蚀刻剂组合物，包含：10wt％至20wt％的过氧化氢；0.1wt％至2wt％的基于唑的化合物；0.1wt％至10wt％的无机酸化合物；0.1wt％至5wt％的水面稳定剂；0.01wt％至0.1wt％的氟化物；0.1wt％至10wt％的基于硫酸盐的化合物；以及以使得所述蚀刻剂组合物的总重量为100wt％的量包含的水。
【技术特征摘要】
2017.09.04 KR 10-2017-01128161.蚀刻剂组合物，包含：10wt％至20wt％的过氧化氢；0.1wt％至2wt％的基于唑的化合物；0.1wt％至10wt％的无机酸化合物；0.1wt％至5wt％的水面稳定剂；0.01wt％至0.1wt％的氟化物；0.1wt％至10wt％的基于硫酸盐的化合物；以及以使得所述蚀刻剂组合物的总重量为100wt％的量包含的水。2.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述基于唑的化合物包括选自苯并三唑、氨基三唑、氨基四唑、咪唑、吡唑及其组合组成的组中的至少一种。3.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述无机酸化合物包括选自磷酸、硝酸、硫酸、氯化氢、次磷酸、碳酸、硼酸、氨基磺酸及其组合中的至少一种。4.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述水面稳定剂包括选自磷酸、亚磷酸、脲、苯脲、烯丙基脲、1,3-二甲基脲、硫脲、苯乙酰胺、苯基乙二醇及其组合中的至少一种。5.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述氟化物包括选自氢氟酸、氟化钠、氟氢化钠、氟化铵、氟氢化铵、氟硼酸铵、氟化钾、氟氢化钾、氟化铝、氢氟硼酸、氟化锂、氟硼酸钾、氟化钙、六氟硅酸及其组合中的至少一种。6.如权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述基于硫酸盐的化合物包括选自硫酸铵、硫酸氢铵、硫酸钙、硫酸氢...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁熙星，朴弘植，郑锺鉉，金相佑，李大雨，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，株式会社东进世美肯，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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