This application describes a MEMS transducer with a membrane and a membrane electrode. The membrane and the membrane electrode form two layers of structure. The film electrode is a lattice form of conductive material. The pitch and/or opening size of the lattice varies from the central region of the membrane electrode to the lateral to external region of the central region.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】MEMS设备和方法本专利技术涉及微机电系统(MEMS)设备和方法,具体地,涉及与换能器有关的MEMS设备和方法,所述换能器例如是电容式麦克风。多种MEMS设备正变得越来越受欢迎。MEMS换能器,尤其是MEMS电容式麦克风,越来越多地用在便携式电子设备(诸如,移动电话和便携式计算设备)中。使用MEMS制造方法所形成的麦克风设备通常包括一个或多个膜,其中用于读出/驱动的电极被沉积在所述膜和/或基底上。在MEMS压力传感器和麦克风的情况下,通常通过测量一对电极之间的电容来实现读出,该电容将随着所述电极之间的距离响应于入射在膜表面上的声波改变而变化。图1a和图1b分别示出了已知的电容式MEMS麦克风设备100的示意图和立体视图。电容式麦克风设备100包括一个膜层101,该膜层101形成一个柔性膜,该柔性膜响应于由声波所生成的压力差而自由移动。第一电极102机械地联接至该柔性膜,且它们一起形成电容式麦克风设备的第一电容板。第二电极103机械地联接至大体刚性的结构层或背板(back-plate)104,它们一起形成电容式麦克风设备的第二电容板。在图1a示出的实施例中,第二电极103被嵌入在背板结构104中。该电容式麦克风被形成在基底105上,该基底105例如是硅晶片,该硅晶片可以具有在其上所形成的上部氧化物层106和下部氧化物层107。该基底中以及任何覆盖层中的腔108(在下文中称为基底腔)被设置在膜下方,且可以使用“背部蚀刻(back-etch)”穿过基底105来形成。基底腔108连接到定位在膜正下方的第一腔109。这些腔108和109可以共同提供声学容积,从而允许膜 ...
【技术保护点】
1.一种MEMS换能器,包括:一个膜层;以及,一个膜电极,该膜电极由一种导电材料形成在该膜层的一个表面上,该膜电极具有设置在其中的多个开口,其中该导电材料的面积相对于所述开口的面积的比率从位于该膜层的中心区域处或附近的第一区域中的第一所述比率减小到位于该第一区域侧向外部的第二区域中的第二所述比率。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.06.30 GB 1611412.6;2016.06.30 GB PCT/GB2016/01.一种MEMS换能器,包括:一个膜层;以及,一个膜电极,该膜电极由一种导电材料形成在该膜层的一个表面上,该膜电极具有设置在其中的多个开口,其中该导电材料的面积相对于所述开口的面积的比率从位于该膜层的中心区域处或附近的第一区域中的第一所述比率减小到位于该第一区域侧向外部的第二区域中的第二所述比率。2.根据权利要求1所述的MEMS换能器,其中设置在该膜电极的该第一区域中的开口的尺寸不同于该膜电极的该第二区域中的开口的尺寸。3.根据权利要求2所述的MEMS换能器,其中设置在该第一区域中的开口小于设置在该第二区域中的开口。4.根据任一项前述权利要求所述的MEMS换能器,其中该第一区域中的相邻的开口之间的节距距离不同于该膜电极的该第二区域中的相邻的开口之间的节距距离。5.根据权利要求4所述的MEMS换能器,其中该第一区域中的开口之间的节距距离大于该第二区域中的开口之间的节距距离。6.根据权利要求5所述的MEMS换能器,其中设置在该第一区域中的开口与设置在该第二区域中的开口的尺寸相同。7.根据任一项前述权利要求所述的MEMS换能器,除了该第一区域之外,该膜电极还包括两个或更多个附加区域。8.根据权利要求7所述的MEMS换能器,其中所述附加区域中的每个围绕该第一区域同心地布置,且其中该导电材料的面积相对于所述开口的面积的比率从位于所述第一区域处的所述第一比率朝向该膜电极的周边减小。9.根据任一项前述要求所述的MEMS换能器,该换能器还包括一个基底,该基底具有一个设置在其中的腔,其中该膜层覆盖该腔,且其中该膜层的中心区域覆盖该基底腔的中心。10.根据任一项前述权利要求所述的MEMS换能器,包括一个背板结构,其中该柔性膜相对于所述背板结构被支撑。11.根据权利要求10所述的MEMS换能器,其中所述背板结构包括穿过所述背板结构的多个孔,且其中在正交于该膜的方向上,该膜电极中的至少一个开口的面积的至少一部分对应于至少一个背板孔的面积。12.根据任一项前述权利要求所述的MEMS换能器,其中所述开口的形状是圆形的。13.根据权利要求1至11中的任一项所述的MEMS换能器,其中所述开口表现出多边形形状。14.根据任一项前述权利要求所述的MEMS换能器,其中该膜电极包括一个晶格结构。15.根据任一项前述权利要求所述的MEMS换能器,其中该膜层和该...
【专利技术属性】
技术研发人员:C·R·詹金斯,S·L·卡吉尔,C·R·格雷厄姆,
申请(专利权)人:思睿逻辑国际半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:英国,GB
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