晶片的制造方法及层叠体技术

技术编号:20500058 阅读:21 留言:0更新日期:2019-03-03 03:44
本发明专利技术提供一种即使不使用激光切割机或切片装置也能够制造已切片分割的晶片的新型晶片的制造方法。本发明专利技术提供一种新型层叠体。一种晶片的制造方法,其包括:曝光显影工序,对位于基材上的感光性树脂层进行曝光,并显影而形成两个以上的树脂区域;装置材料应用工序,在感光性树脂层或树脂区域的面上,且与基材侧的面相反的一侧的面上应用装置材料;及在装置材料应用工序后,从树脂区域分离基材而对树脂区域进行切片的工序。

Wafer fabrication and stacking

The present invention provides a novel wafer manufacturing method capable of producing a sliced wafer even without using a laser cutting machine or a slicing device. The present invention provides a novel cascade body. The invention relates to a wafer manufacturing method, which comprises: an exposure developing process, which exposes the photosensitive resin layer on the substrate and develops to form more than two resin regions; a device material application process, which applies the device material on the surface of the photosensitive resin layer or resin region and on the opposite side of the substrate side; and a tree after the device material application process. The process of separating the base material from the lipid region and slicing the resin region.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶片的制造方法及层叠体
本专利技术涉及一种晶片的制造方法及层叠体。
技术介绍
近年来,装置的薄型化、轻量化、挠性化(柔性化)的要求变高,且需要在柔性基材上形成装置而不是在较硬的基材上形成装置。例如,有机电致发光(有机EL)显示器装置以往是在玻璃基材或金属基材上形成,但最近将聚酰亚胺薄膜或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)薄膜等作为柔性基材而形成装置的案例增多。不仅对显示器(有机EL、液晶、电泳、磁泳等),还对感测器(图像、光、热、加速度、地磁等)、发光装置(LED(lightemittingdiode)、有机EL等)、发送或接收装置(电磁波、微波等)、存储装置、逻辑装置、将该些组合而成的装置(无线标签、GPS(GlobalPositioningSystem(全球定位系统))等位置检测装置等)的实用化进行研究。作为该种柔性装置的制造方法,为了使用从以往就存在的较硬的基板用制造装置而进行了如下处理。为如下方法,即首先在较硬的载体基板上设置柔性基材(聚酰亚胺薄膜等),在其上使用较硬的基材用制造装置来形成各种装置之后,在制造步骤的最后阶段,从柔性基材剥取载体基板而得到柔性装置。该方法的问题在于,从柔性基材剥取载体基材时,很难以不损伤柔性装置的方式剥取。作为用于解决该问题的方法,进行如下处理。提出了用临时粘合剂将载体基材与柔性基材贴合的处理,但存在临时粘合剂的平坦度或步骤耐性不够充分,且产率降低或特性不良的问题。作为解决该问题的方法,以下方法成为最近的主流。为如下方法,即在透明载体基材上涂布溶液的聚酰亚胺树脂并干燥而使其固化,且将该树脂层作为基材而形成装置之后,从透明载体基材侧照射紫外线的脉冲激光,由此将树脂层的载体基材侧界面烧蚀而从载体基板得到形成在树脂层基材上的柔性装置(例如,专利文献1等)。关于该柔性装置,排列有多个晶片的案例较多,最终将多个晶片分割而得到最终柔性装置晶片。并且,作为另一方法,在专利文献2中公开了一种柔性显示器装置的制造方法,其包括:提供形成有多个凹陷部的第1基板的阶段;在各凹陷部内形成第1塑料膜的阶段;在各第1塑料膜上形成薄膜晶体管的阶段;在各薄膜晶体管上形成与薄膜晶体管电连接的显示器元件的阶段;密封显示器元件的上部的阶段;切割第1基板的阶段;及从第1塑料膜分离第1基板的阶段。以往技术文献专利文献专利文献1:日本特表2016-506061号公报专利文献2:日本特开2011-187446号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术课题在此,当制造搭载有装置的柔性装置晶片时,考虑图3中所记载的方法。即,在基材31上形成树脂膜32,且在树脂膜32上以等间隔搭载多个装置33。接着,从基材31侧照射光,且从树脂膜32分离基材31之后,按每一装置33对树脂膜32进行分割而得到晶片34。其中,按每一装置进行分割的情况,例如考虑使用激光切割机或切片装置(机械切割机)等而进行。然而,得知按每一装置33进行分割时,易发生故障。例如,当使用激光切割机进行分割时,有时源自烧蚀的碎片粘附于装置而成为缺陷。并且,当使用切片装置进行分割时,因树脂膜的变形而容易在切割精度方面引起问题。进而,得知若在对薄膜状树脂膜进行切割之后的晶片的操作中,树脂膜也变形,则易产生晶片操作错误(位置偏移、错过等)。并且,如在专利文献2中所记载,还提出了得到从已分割成切片的基材按每一装置进行分割的树脂膜的方法。然而,使用切片装置同时对树脂膜和基材进行切割,因此不仅切割精度不良,还容易引起树脂膜的剥离或切割碎屑粘附等问题。从而,要求即使不使用激光切割机或切片装置,也能够按每一晶片进行分割的方法。本专利技术的目的在于解决上述课题,且课题在于提供一种即使不使用激光切割机或切片装置也能够制造晶片的新型晶片的制造方法。进而,还提供一种新型层叠体。用于解决技术课题的手段基于上述课题,本专利技术人进行研究的结果,发现对树脂膜进行曝光显影,并预先对树脂膜本身进行切片之后,分离基材,由此可解决上述课题。具体而言,通过下述机构<1>,优选为通过<2>~<21>来解决。<1>一种晶片的制造方法,其包括:曝光显影工序,对位于基材上的感光性树脂层进行曝光,并显影而形成两个以上的树脂区域;装置材料应用工序,在上述感光性树脂层或上述树脂区域的面上,且与上述基材侧的面相反的一侧的面上应用装置材料;及在上述装置材料应用工序后,从上述树脂区域分离上述基材而对上述树脂区域进行切片的工序。<2>如<1>所述的晶片的制造方法,其中在上述曝光显影工序之后,进行装置材料应用工序。<3>如<2>所述的晶片的制造方法,其中在上述装置材料应用工序前,包括在树脂区域应用热及光中的至少一种的工序。<4>如<1>~<3>中任一项所述的晶片的制造方法,其中上述装置材料为选自导电体材料、半导体材料、绝缘体材料及电子装置中的一种以上。<5>如<1>~<4>中任一项所述的晶片的制造方法,其中上述显影为负型显影。<6>如<1>~<5>中任一项所述的晶片的制造方法,其中上述树脂区域位于上述基材的表面。<7>如<6>所述的晶片的制造方法,其中上述基材为透明基材,且上述晶片的制造方法包括通过从上述基材的与树脂区域侧的面相反的一侧的面照射光而将上述基材与上述树脂区域分离的工序。<8>如<1>~<5>中任一项所述的晶片的制造方法,其包括通过对上述基材赋予热能而将上述基材与树脂区域分离的工序。<9>如<1>~<5>任一项所述的晶片的制造方法,其中在上述基材与感光性树脂层之间设置临时粘合剂层,并且通过将上述临时粘合剂层与上述基材的界面或上述临时粘合剂层与上述树脂区域的界面剥离,或者将上述临时粘合剂层溶解去除而从上述树脂区域分离上述基材。<10>如<1>~<9>中任一项所述的晶片的制造方法,其中上述树脂区域包括聚酰亚胺树脂或聚苯并噁唑树脂。<11>如<1>~<10>中任一项所述的晶片的制造方法,其包括在上述装置材料应用工序后,还以与上述装置材料相接的方式应用第2装置材料的工序。<12>如<1>~<11>中任一项所述的晶片的制造方法,其中上述基材的基材面的最长的部分的长度为50~4000mm。<13>如<1>~<12>项中任一项所述的晶片的制造方法,其包括通过上述曝光显影而在上述树脂区域内形成开口部的工序。<14>如<13>所述的晶片的制造方法,其中经由上述开口部,以与上述基材表面相接的方式应用上述装置材料。<15>如<1>~<14>中任一项所述的晶片的制造方法,其中上述装置材料的应用选自印刷法、光刻法、喷墨法、压印法、掩模蒸镀法及激光转印法。<16>一种层叠体,其具有基材、位于上述基材上的两个以上的树脂区域及上述树脂区域各自中的位于与上述基材侧的面相反的一侧的面上的装置材料。<17>如<16>所述的层叠体,其中上述树脂区域包括聚酰亚胺树脂或聚苯并噁唑树脂。<18>如<16>或<17>所述的层叠体,其中上述装置材料选自导电体材料、半导体材料、绝缘体材料及电子装置。<19>如<16>~<18>中任一项所述的层叠体,其中上述树脂区域位于上述基材表面。<20>如<16>~<19>中任一项所述的层叠体,其具有与上述装置材料相接的第2装置材料。<21>如<16>~<20>中任一项所述的层叠体,其中上述基材的基材面的最长的部分的长度为50~4000m本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种晶片的制造方法,其包括:曝光显影工序,对位于基材上的感光性树脂层进行曝光,并显影而形成两个以上的树脂区域;装置材料应用工序,在所述感光性树脂层或所述树脂区域的面上,且与所述基材侧的面相反的一侧的面上应用装置材料;及在所述装置材料应用工序后,从所述树脂区域分离所述基材而对所述树脂区域进行切片的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.08.18 JP 2016-1608351.一种晶片的制造方法,其包括:曝光显影工序,对位于基材上的感光性树脂层进行曝光,并显影而形成两个以上的树脂区域;装置材料应用工序,在所述感光性树脂层或所述树脂区域的面上,且与所述基材侧的面相反的一侧的面上应用装置材料;及在所述装置材料应用工序后,从所述树脂区域分离所述基材而对所述树脂区域进行切片的工序。2.根据权利要求1所述的晶片的制造方法,其中,在所述曝光显影工序之后,进行装置材料应用工序。3.根据权利要求2所述的晶片的制造方法,其中,在所述装置材料应用工序前,包括在树脂区域应用热及光中的至少一种的工序。4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶片的制造方法,其中,所述装置材料为选自导电体材料、半导体材料、绝缘体材料及电子装置中的一种以上。5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶片的制造方法,其中,所述显影为负型显影。6.根据权利要求1至5中任一项所述的晶片的制造方法,其中,所述树脂区域位于所述基材的表面。7.根据权利要求6所述的晶片的制造方法,其中,所述基材为透明基材,且所述晶片的制造方法包括通过从所述基材的与树脂区域侧的面相反的一侧的面照射光而将所述基材与所述树脂区域分离的工序。8.根据权利要求1至5中任一项所述的晶片的制造方法,其包括通过对所述基材赋予热能而将所述基材与树脂区域分离的工序。9.根据权利要求1至5中任一项所述的晶片的制造方法,其中,在所述基材与感光性树脂层之间设置临时粘合剂层,并且通过将所述临时粘合剂层与所述基材的界面或所述临时粘合剂层与所述树脂区域的界面剥离,或者将所...

【专利技术属性】
技术研发人员:泽野充前原佳纪犬岛孝能
申请(专利权)人:富士胶片株式会社
类型:发明
国别省市:日本,JP

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