A radio frequency inductor circuit consists of a first transconductance unit (1) with a feedback module, a second transconductance unit (2), a first adjustable transconductance unit (3), a second adjustable transconductance unit (4) and a current mirror feedback unit (5). The first transconductance unit (1) with feedback module is connected with the first adjustable transconductance unit (3) to form the first equivalent inductance loop, and the second transconductance unit (2) with feedback module is connected with the second adjustable transconductance unit (4) to form the second equivalent inductance loop. The first equivalent inductance loop and the second equivalent inductance loop are both connected with the current mirror feedback unit (5) and also with the input of the differential signal. The new RF inductor circuit has high Q value, large inductance value and can be tuned, and the Q value and inductance value can be kept constant in the wide dynamic range of input signal.
【技术实现步骤摘要】
一种射频电感电路
本专利技术涉及射频集成电路领域，特别是涉及一种具有高Q值、大电感值并可调谐、且在宽输入信号动态范围内Q值与电感值能保持恒定的射频电感电路。
技术介绍
电感是射频集成电路与系统中的重要元件之一。为了满足持续增长的无线移动通信业务需求，卫星通信系统与微波中继系统等无线通信系统正在向高频段方向发展，这就要求无线通信系统中的射频集成电路与射频系统能够工作在高频段，进而所使用的电感元件也必须能够工作在高频段。但目前所用的片上螺旋电感，其电感值与几何尺寸密切相关，电感值越大，所占的芯片面积也越大，同时在高频下，趋肤效应会导致其更大的寄生电阻，且衬底损耗更为严重，且大的面积也会导致大的寄生电容，因此，对大电感值片上螺旋电感，很难在高频下工作，在高频下Q很低，或没有正的Q值。并且受实际集成电路面积的限制，螺旋电感集成难度大、成本高。而利用晶体管构成等效电感电路，为解决螺旋电感的上述问题提供了一个方案。目前，对采用晶体管构成的等效电感电路的研究虽已经取得了一定进展，但由于电感性能与由晶体管构成的电路拓扑结构密切相关，现有的等效电感电路中构成单元单一和各单元相互协调...
【技术保护点】
1.一种射频电感电路，其特征在于，包括：带有反馈模块的第一跨导单元(1)，带有反馈模块的第二跨导单元(2)，第一可调跨导单元(3)，第二可调跨导单元(4)以及电流镜反馈单元(5)；其中：所述射频电感电路中带有反馈模块的第一跨导单元(1)由第一N型MOS晶体管(Mn1)、第二N型MOS晶体管(Mn2)和第十四N型MOS晶体管(MR2)组成,带有反馈模块的第二跨导单元(2)由第四N型MOS晶体管(Mn4)、第五N型MOS晶体管(Mn5)和第十三N型MOS晶体管(MR1)组成，第一可调跨导单元(3)由第二P型MOS晶体管(Mp2)与第六N型MOS晶体管(Mn6)组成，第二可调跨导...
【技术特征摘要】
1.一种射频电感电路，其特征在于，包括：带有反馈模块的第一跨导单元(1)，带有反馈模块的第二跨导单元(2)，第一可调跨导单元(3)，第二可调跨导单元(4)以及电流镜反馈单元(5)；其中：所述射频电感电路中带有反馈模块的第一跨导单元(1)由第一N型MOS晶体管(Mn1)、第二N型MOS晶体管(Mn2)和第十四N型MOS晶体管(MR2)组成,带有反馈模块的第二跨导单元(2)由第四N型MOS晶体管(Mn4)、第五N型MOS晶体管(Mn5)和第十三N型MOS晶体管(MR1)组成，第一可调跨导单元(3)由第二P型MOS晶体管(Mp2)与第六N型MOS晶体管(Mn6)组成，第二可调跨导单元(4)由第一P型MOS晶体管(Mp1)与第三N型MOS晶体管(Mn3)构成，电流镜反馈单元(5)由第七N型MOS晶体管(Mn7)、第八N型MOS晶体管(Mn8)、第九N型MOS晶体管(Mn9)、第十N型MOS晶体管(Mn10)、第十一N型MOS晶体管(Mn11)、第十二N型MOS晶体管(Mn12)、第三P型MOS晶体管(Mp3)、第四P型MOS晶体管(Mp4)、第五P型MOS晶体管(Mp5)、第六P型MOS晶体管(Mp6)、第七P型MOS晶体管(Mp7)、第八P型MOS晶体管(Mp8)组成；其中：所述射频电感电路的输入端(Vin+)同时连接第一N型MOS晶体管(Mn1)的漏极和第三N型MOS晶体管(Mn3)的源极，第二N型MOS晶体管(Mn2)的漏极和第一N型MOS晶体管(Mn1)的源极相连，第十四N型MOS晶体管(MR2)的漏极与第二N型MOS晶体管(Mn2)的栅极相连，第十四N型MOS晶体管(MR2)的源极与第六N型MOS晶体管(Mn6)的漏极相连，第六N型MOS晶体管(Mn6)的源极与该电感电路的另一输入端(Vin-)相连，从而形成第一等效电感回路；电流镜反馈单元中的第七N型MOS晶体管(Mn7)的栅极与第二N型MOS晶体管(Mn2)的栅极相连，第八N型MOS晶体管(Mn8)的漏极与第七N型MOS晶体管(Mn7)的漏极相连，第九N型MOS晶体管(Mn9)的栅极同时与第八N型MOS晶体管(Mn8)的栅极及第三P型MOS晶体管(Mp3)的漏极相连，第四P型MOS晶体管(Mp4)的漏极与第九N型MOS晶体管(Mn9)的漏极相连，第五P型MOS晶体管(Mp5)的栅极同时与第四P型MOS晶体管(...
【专利技术属性】
技术研发人员：张万荣，张崟，谢红云，金冬月，徐曙，杨鑫，张昭，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京,11
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