The present disclosure provides a bulk acoustic wave resonator, which comprises a substrate; a lower electrode, which is arranged on the substrate; a piezoelectric layer, at least partially arranged on the lower electrode; and an upper electrode, which is arranged on the piezoelectric layer, wherein the lower electrode and any or both of the upper electrodes have an aluminum alloy layer including scandium (Sc).
【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器本申请分别要求于2017年8月17日和于2018年2月19日提交到韩国知识产权局的第10-2017-0104419号和第10-2018-0019390号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用被包含于此。
以下描述涉及一种体声波谐振器。
技术介绍
近来,对于5G通信技术的兴趣已经增加并且已经执行了可在5G通信的候选频带中实现的技术开发。可通过薄膜体声波谐振器(FBAR)实现的频带为大约6GHz或更小。在薄膜体声波谐振器在2GHz到3GHz的频带中操作的情况下,可容易地实现电极的合适的厚度和压电层的合适的厚度。然而,在薄膜体声波谐振器在5GHz的频带中操作的情况下,会出现相当大的制造困难和性能劣化。具体地,在薄膜体声波谐振器在5GHz的频带中操作的情况下,需要实现超薄膜电极并且压电层也需要是薄的。然而,当使用具有高水平的高声阻抗的电极材料(诸如,钼(Mo))时,预计电损耗会随着电极的厚度减小而增大,因此,预计谐振器和包括谐振器的滤波器装置中的电损耗会增大。然而,当使用具有低声阻抗的电极材料(诸如,铝(Al))时,由于 ...
【技术保护点】
1.一种体声波谐振器,包括:基板;下电极,设置在所述基板上;压电层,设置在所述下电极上;以及上电极,设置在所述压电层上,其中,所述下电极和所述上电极中的任意一者或者两者具有包括钪的铝合金的层。
【技术特征摘要】
2017.08.17 KR 10-2017-0104419;2018.02.19 KR 10-2011.一种体声波谐振器,包括:基板;下电极,设置在所述基板上;压电层,设置在所述下电极上;以及上电极,设置在所述压电层上,其中,所述下电极和所述上电极中的任意一者或者两者具有包括钪的铝合金的层。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其中,所述下电极和所述上电极中的两者具有所述包括钪的铝合金的层。3.根据权利要求2所述的体声波谐振器,其中,所述上电极还包括利用钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种或者包括钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种的合金形成的层。4.根据权利要求3所述的体声波谐振器,其中,所述下电极还包括利用钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种或者包括钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种的合金形成的层。5.根据权利要求2所述的体声波谐振器,其中,所述下电极还包括利用钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种或者包括钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种的合金形成的层。6.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其中,仅所述下电极包括所述包括钪的铝合金的层,并且所述上电极包括利用钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种或者包括钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种的合金形成的层。7.根据权利要求6所述的体声波谐振器,其中,所述下电极还包括利用钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种或者包括钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种的合金形成的层。8.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其中,仅所述上电极包括所述包括钪的铝合金的层,并且所述下电极包括利用钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种或者包括钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种的合金形成的层。9.根据权利要求8所述的体声波谐振器,其中,所述上电极还包括利用钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种或者包括钼、钌、钨、铱、铂、铜、钛、钽、镍和铬中的任意一种的合金形成的层。10.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其中,钪的含量为0.1at%至5at%。11.根据权利要求1所述的体声波谐振器,其中,所述压电层包括氮化铝和包含稀土金属的掺杂氮化铝中的任意一者。12.根据权利要求11所述的体声波谐振器,其中,所述压电层包括所述包含稀土金属的掺杂氮化铝,所述掺杂氮化铝包括从由钪、铒、钇、镧以及包括钪、铒、钇、镧中的任意两种或更多种的组合组...
【专利技术属性】
技术研发人员:李泰京,申兰姬,庆济弘,李华善,孙晋淑,金成善,
申请(专利权)人:三星电机株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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