A bulk acoustic wave resonator is provided, which comprises a substrate, a lower electrode formed on the substrate, and at least a part of the lower electrode formed on the cavity; a piezoelectric layer formed on the lower electrode; an upper electrode formed on the piezoelectric layer; a film layer formed under the lower electrode and formed the cavity together with the substrate; and A protrusion is formed on the film layer and is formed in the cavity in a direction far from the extension of the film layer.
【技术实现步骤摘要】
体声波谐振器本申请要求于2017年8月17日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0104415号韩国专利申请以及于2018年1月31日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0012038号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的公开内容出于所有目的通过引用包含于此。
本公开涉及一种体声波谐振器。
技术介绍
体声波谐振器(BAW)通常包括下电极、压电层和上电极，并且通过由压电层的变形在竖直方向上传播的振动的基本模式操作。然而，体声波谐振器也产生在水平方向上传播的横向模式的振动。在这种情况下，横向波会从谐振器的端部向外泄漏，使得机械品质(Q)性能会降低。典型的体声波谐振器使用在上电极上形成框架以将横向波反射到谐振器的内部中的结构，从而将谐振能量俘获在有效区域中。然而，存在这样的问题：会在比谐振器的有效区域的谐振频率低的频率范围中无意地发生由于框架的谐振，从而导致对相邻滤波器频带的波形的干扰。此外，由于谐振器的有效区域的面积由于框架而变窄，所以存在如下限制：当框架的内部区域的面积增大以抑制Q性能和衰减性能的下降时，一些特性(例如，Kt2特性)劣化。此外，存在...
【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：基板；下电极，设置在所述基板上，并且所述下电极的至少一部分设置在腔上；压电层，设置在所述下电极上；上电极，设置在所述压电层上；膜层，设置在所述下电极下方，并且与所述基板一起形成所述腔；以及突出部，形成在所述膜层上，并且在远离所述膜层延伸的方向上形成到所述腔中。
【技术特征摘要】
2017.08.17 KR 10-2017-0104415;2018.01.31 KR 10-2011.一种体声波谐振器，所述体声波谐振器包括：基板；下电极，设置在所述基板上，并且所述下电极的至少一部分设置在腔上；压电层，设置在所述下电极上；上电极，设置在所述压电层上；膜层，设置在所述下电极下方，并且与所述基板一起形成所述腔；以及突出部，形成在所述膜层上，并且在远离所述膜层延伸的方向上形成到所述腔中。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述突出部包括形成在所述上电极的第一边缘下方的第一突出部和形成在所述下电极的第一边缘下方的第二突出部。3.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其中，所述第一突出部包括倾斜为与所述下电极分开的第一倾斜部和形成为与所述膜层的中心部平行并从所述第一倾斜部延伸的第一延伸部，并且所述第二突出部包括倾斜为与所述下电极分开的第二倾斜部和形成为与所述膜层的所述中心部平行并从所述第二倾斜部延伸的第二延伸部。4.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述第一倾斜部和所述第二倾斜部以及所述第一延伸部和所述第二延伸部中的至少一个的厚度比所述膜层的所述中心部的厚度厚。5.根据权利要求4所述的体声波谐振器，其中，所述突出部包括第一膜层和堆叠在所述第一膜层上的第二膜层。6.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述突出部通过去除多个牺牲层而形成。7.根据权利要求3所述的体声波谐振器，其中，所述第一突出部和所述第二突出部具有不同的宽度。8.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述突出部是倾斜的。9.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述突出部形成在所述上电极的边缘下方。10.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述突出部形成在所述下电极的边缘下方。11.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其中，所述下电极形成在所述压电层下方，并且所述下电极的侧表面暴露于所述腔。12.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：金泰润，韩源，林昶贤，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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