一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构制造技术

本发明专利技术公开了一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，该芯片结构包括：声表面波或横波激励体声波微波器件芯片电路和芯片基体，芯片基体上设置有第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽内填充有第一压电材料，第一压电材料上设置有第一电极，第一电极的一端和第一压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输入端相连；第二凹槽内填充有第二压电材料，第二压电材料上设置有第二电极，第二电极的一端和第二压电材料相连，另一端和芯片电路的信号输出端相连。本发明专利技术提供的一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，降低了器件的传输损耗及微波插入损耗，提高了器件的频率及品质因数等性能。

A novel chip structure for bulk acoustic wave microwave devices excited by surface acoustic wave or shear wave

The invention discloses a novel chip structure of surface acoustic wave or shear wave exciter acoustic wave microwave device. The chip structure includes: a chip circuit and a chip substrate of surface acoustic wave or shear wave exciter acoustic wave microwave device, a first groove and a second groove are arranged on the chip substrate, a first piezoelectric material is filled in the first groove, a first electrode is arranged on the first piezoelectric material, and a first electronics is arranged on the chip substrate. One end of the pole is connected with the first piezoelectric material, the other end is connected with the signal input end of the chip circuit; the second groove is filled with the second piezoelectric material, the second electrode is arranged on the second piezoelectric material, one end of the second electrode is connected with the second piezoelectric material, and the other end is connected with the signal output end of the chip circuit. The invention provides a novel chip structure of SAW or shear wave exciting bulk acoustic wave microwave device, which reduces the transmission loss and microwave insertion loss of the device, and improves the frequency and quality factor of the device.

【技术实现步骤摘要】
一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构
本专利技术涉及微波通讯设备
，特别是涉及一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构。
技术介绍
声表面波(SAW)及体声波器件(FBAR)在各种通信设备、系统、终端中都起着至关重要的作用，其技术指标和特性是通信设备性能的关键。其中若材料的声波传输损耗能够显著降低，对于通信设备的抗干扰能力和功耗都有极大提升。在不改变现有声表面波及体声波器件设计的情况下，通过新材料的应用实现传输损耗大幅降低对于现代通信设备至关重要。现今日趋紧张的频谱资源，设备小型化、高度集成、功耗低、发热小等技术的需求也越来越迫切，在声表面波及体声波器件中采用各种新材料，特别是其中的金刚石材料越来越受重视。金刚石材料纵波声速高达18000m/s，现有自然及人工合成材料中最高，较普通压电材料高3-10倍，制备的声表面波及体声波器件具有极高的品质因数(Q值)。声表面波及体声波微波器件已经被用于各种高频大功率通信设备、系统及终端，如延迟线、谐振器、滤波器、声光调制器、声光开关。然而大多声表面波及体声波器件采用普通压电材料为传输基体，声传输损耗严重，响应频率受压电材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括：声表面波或横波激励体声波微波器件芯片电路和芯片基体；所述芯片基体上设置有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽内填充有第一压电材料，所述第一压电材料上设置有第一电极，所述第一电极的一端和所述第一压电材料相连，所述第一电极的另一端和所述芯片电路的信号输入端相连；所述第二凹槽内填充有第二压电材料，所述第二压电材料上设置有第二电极，所述第二电极的一端和所述第二压电材料相连，所述第二电极的另一端和所述芯片电路的信号输出端相连。

【技术特征摘要】
1.一种新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，其特征在于，所述芯片结构包括：声表面波或横波激励体声波微波器件芯片电路和芯片基体；所述芯片基体上设置有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽内填充有第一压电材料，所述第一压电材料上设置有第一电极，所述第一电极的一端和所述第一压电材料相连，所述第一电极的另一端和所述芯片电路的信号输入端相连；所述第二凹槽内填充有第二压电材料，所述第二压电材料上设置有第二电极，所述第二电极的一端和所述第二压电材料相连，所述第二电极的另一端和所述芯片电路的信号输出端相连。2.根据权利要求1所述的新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，其特征在于，所述芯片基体材料为金刚石材料或沉积金刚石薄膜的硅材料。3.根据权利要求1所述的新型声表面波或横波激励体声波微波器件芯片结构，其特征在于，所述第一凹槽和所述第二凹槽均含有多个凹槽。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢波玮，丁发柱，古宏伟，商红静，董泽斌，黄大兴，许文娟，苏广辉，
申请(专利权)人：中国科学院电工研究所，郑州科之诚机床工具有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11