真空规连接组件和半导体设备制造技术

本发明专利技术公开了一种真空规连接组件和半导体设备。所述真空规连接组件用于将真空规和反应腔室密闭连通，包括依次连接的连接管、收集件和开关阀，所述连接管用于连通所述反应腔室和所述收集件，并向所述收集件引入所述反应腔室内的气流，所述收集件用于收集所述气流中的颗粒杂质，所述开关阀用于连接所述真空规和所述收集件，以控制所述真空规与所述反应腔室之间的通断。本发明专利技术的真空规连接组件，其在真空规和反应腔室之间设置有收集件，因此，工艺阶段所产生的气流中的颗粒杂质会通过连接管进入到收集件内，可以避免颗粒杂质进入到真空规内部，从而可以提高真空规测量反应腔室内的气体压力的准确度，进而可以提高各工艺阶段的产品制作良率。

Vacuum Gauge Connecting Components and Semiconductor Equipment

The invention discloses a vacuum gauge connecting component and a semiconductor device. The vacuum gauge connection assembly is used for sealing and connecting the vacuum gauge and the reaction chamber, including a connecting tube, a collector and a switching valve connected sequentially. The connecting tube is used to connect the reaction chamber and the collector, and to introduce the gas flow into the reaction chamber, the collector is used to collect the particulate impurities in the gas flow, and the switch valve is used to connect the reactor chamber. The vacuum gauge and the collector are described to control the interruption between the vacuum gauge and the reaction chamber. The vacuum gauge connecting component of the present invention is provided with a collector between the vacuum gauge and the reaction chamber. Therefore, the particle impurities in the airflow generated in the process stage will enter the collector through the connecting tube, thus avoiding the particle impurities from entering the vacuum gauge, thereby improving the accuracy of measuring the gas pressure in the reaction chamber by the vacuum gauge, and thereby improving the processes. The production yield of stage products.

【技术实现步骤摘要】
真空规连接组件和半导体设备
本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种真空规连接组件和一种包括该真空规连接组件的半导体设备。
技术介绍
一般的，在刻蚀、沉积以及离子注入等典型的半导体工艺制程中，均需要在接近真空的条件下进行，这类半导体设备都有一个真空反应腔室来进行工艺反应。为了准确监测和控制反应腔室内的压力，需要在反应腔室上连接真空规来实时测量气体压力。目前在半导体设备中，最为常用的是电容式薄膜真空规，这种真空规的内部设置有感受压力的薄膜，其检测原理是：利用薄膜两边压力不同而使薄膜变形偏移，从而改变了薄膜与电极间之距离，进而使电容改变，最终可以求得压力变化。电容真空规内部的感压薄膜对颗粒沉积比较敏感，如果薄膜上沉积颗粒较多就会导致薄膜的变形发生变化(通常是变形减小)，从而导致测量结果不准。图1为现有技术一中真空规与反应腔室的连接结构的示意图。其中真空规200通过卡箍140与开关阀130(采用的为薄膜气动阀)连接，薄膜气动阀通过连接管110与反应腔室300连通，该薄膜气动阀用于控制真空规200与反应腔室300的通断。连接管110一般为直径0.5英寸的不锈钢管。但是，薄膜气动阀的通径比连接管110的内径要小的多，容易造成颗粒堵塞薄膜造成气动阀开闭失效，因此，这种连接结构只能用于颗粒较少的工艺。其次，由于连接管110和薄膜气动阀的通径小，使得气体压力损失较大，压力传递慢，对真空规200的测量精度和响应速度造成不利影响。为了避免上述情况，图2为现有技术二中真空规与反应腔室的连接结构的示意图。与现有技术一不同的是：真空规200具备加热功能，开关阀130所采用的是角阀，其中，角阀的通径比较大，与连接管110的内径基本相当，且该角阀还具备加热功能。因此，能够有效扩大真空规200与反应腔室300之间的连接结构的有效通经。由于真空规200和角阀具有加热功能，因此，可以使得气流中的颗粒杂质受热气化不再沉积，能够减少颗粒杂质的沉积，同时也改善了真空规200的测量精度和响应速度。但是，上述一般加热温度都在130℃以下，对于颗粒杂质较多而且该部分颗粒杂质气化温度较高的半导体制程，例如金属刻蚀、PSS刻蚀、沉积工艺等，单纯的真空规200加热效果不佳，经常会因为颗粒杂质沉积到真空规200内部而造成真空规零点漂移(测量不准)，甚至造成真空规损坏。因此，如何减少颗粒杂质在真空规内部的沉积成为本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种真空规连接组件和一种包括该真空规连接组件的半导体设备。为了实现上述目的，本专利技术的第一方面，提供一种真空规连接组件，用于将真空规和反应腔室密闭连通，所述真空规连接组件包括依次连接的连接管、收集件和开关阀，所述连接管用于连通所述反应腔室和所述收集件，并向所述收集件引入所述反应腔室内的气流，所述收集件用于收集所述气流中的颗粒杂质，所述开关阀用于连接所述真空规和所述收集件，以控制所述真空规与所述反应腔室之间的通断。优选地，所述收集件包括本体和设置在所述本体内的收集腔。优选地，所述收集腔的内径与所述连接管的内径之比为8:1～10:1。优选地，所述收集件的容积与所述连接管的容积之比为10:1～15:1。优选地，所述开关阀的与所述收集腔的连接位置位于所述本体的顶壁，所述连接管的与所述收集腔的连接位置位于所述本体的侧壁上，且远离所述本体的顶壁。优选地，所述收集件包括收集部和止挡部，所述收集部呈筒状，所述收集部的顶部开口与所述开关阀连通，所述收集部的底部开口设置有所述止挡部，且所述止挡部与所述收集部可拆卸连接。优选地，所述真空规连接组件还包括卡箍，所述卡箍套设在所述止挡部和所述收集部的外侧，以连接所述止挡部和所述收集部。优选地，所述开关阀包括角阀。优选地，所述真空规连接组件还包括加热件，所述加热件套设在所述连接管的外部。本专利技术的第二方面，提供一种半导体设备，包括反应腔室、真空规连接组件和真空规，所述真空规连接组件包括前文记载的所述真空规连接组件。本专利技术的真空规连接组件，其在真空规和反应腔室之间设置有上述结构的收集件，因此，工艺阶段所产生的气流中的颗粒杂质会通过连接管进入到收集件内，以在该收集件内发生沉积，避免该些颗粒杂质进入到真空规内部，从而可以提高真空规测量反应腔室内的气体压力的准确度，进而可以提高各工艺阶段的产品制作良率。本专利技术的半导体设备，具有前文记载的真空规连接组件，其在真空规和反应腔室之间设置有上述结构的收集件，因此，工艺阶段所产生的气流中的些颗粒杂质会通过连接管进入到收集件内，以在该收集件内发生沉积，避免该些颗粒杂质进入到真空规内部，从而可以提高真空规测量反应腔室内的气体压力的准确度，进而可以提高各工艺阶段的产品制作良率。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为现有技术一中真空规与反应腔室的连接结构的示意图；图2为现有技术二中真空规与反应腔室的连接结构的示意图；图3为本专利技术中真空规与反应腔室的连接结构的示意图；图4为本专利技术中真空规连接组件的剖视图。附图标记说明110：连接管；120：收集件；121：本体；122：收集腔；123：收集部；124：止挡部；130：开关阀；140：卡箍；150：加热件；160：密封件；200：真空规；300：反应腔室。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。如图3和图4所示，本专利技术的第一方面，涉及一种真空规连接组件，该真空规连接组件用于将真空规200和反应腔室300密闭连通。其中，该真空规连接组件包括依次连接的连接管110、收集件120和开关阀130，其中，该连接管110用于连通反应腔室300和收集件120，并向收集件120引入反应腔室300内的气流。该收集件120用于收集气流中的颗粒杂质。该开关阀130用于连接真空规200和收集件120，以控制真空规200和反应腔室300之间的通断。具体地，当需要测量反应腔室300内的初始气体压力时，利用连接管110连通反应腔室300和收集件120，开关阀130连接真空规200和收集件120，且控制该开关阀130处于开启状态，此时，真空规200与反应腔室300之间便通过该真空规连接组件密闭连通，也就是说，反应腔室300内的气流能够进入到真空规200内，因此，可以利用真空规200对反应腔室300内的实时气体压力进行测量。另外，在反应腔室300的工艺阶段，为了保证工艺质量的可靠性，一般也需要对反应腔室300内的气体压力进行实时测量。但是，在反应腔室300的工艺阶段，其产生的气流中，往往掺杂有副产物，该副产物往往包括少量或较多的颗粒杂质，该些颗粒杂质一旦进入到真空规200内部，会影响真空规200所测量的反应腔室300内的实际气体的压力值，造成测量误差，进而导致工艺不良等现象发生。为此，采用本实施例结构的真空规连接组件，其在真空规200和反应腔室300之间设置有上述结构的收集件120，该收集件120可以对气流中的颗粒杂质进行收集，也就是说，相当于对反应腔室300的气流进行过滤，滤除掉本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空规连接组件，用于将真空规与反应腔室密闭连通，其特征在于，所述真空规连接组件包括依次连接的连接管、收集件和开关阀，所述连接管用于连通所述反应腔室和所述收集件，并向所述收集件引入所述反应腔室内的气流，所述收集件用于收集所述气流中的颗粒杂质，所述开关阀用于连接所述真空规和所述收集件，以控制所述真空规与所述反应腔室之间的通断。

【技术特征摘要】
1.一种真空规连接组件，用于将真空规与反应腔室密闭连通，其特征在于，所述真空规连接组件包括依次连接的连接管、收集件和开关阀，所述连接管用于连通所述反应腔室和所述收集件，并向所述收集件引入所述反应腔室内的气流，所述收集件用于收集所述气流中的颗粒杂质，所述开关阀用于连接所述真空规和所述收集件，以控制所述真空规与所述反应腔室之间的通断。2.根据权利要求1所述的真空规连接组件，其特征在于，所述收集件包括本体和设置在所述本体内的收集腔。3.根据权利要求2所述的真空规连接组件，其特征在于，所述收集腔的内径与所述连接管的内径之比为8:1～10:1。4.根据权利要求2所述的真空规连接组件，其特征在于，所述收集件的容积与所述连接管的容积之比为10:1～15:1。5.根据权利要求2所述的真空规连接组件，其特征在于，所述开关阀的与所述收集腔的连接位置位于所述本体的顶壁，所述连接管的与所述收...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11