MEMS装置封装及其制造方法制造方法及图纸

一种微机电系统MEMS装置封装包含第一电路层、分隔壁、MEMS组件、第二电路层和聚合性电介质层。所述分隔壁安置在所述第一电路层上。所述MEMS组件安置于所述分隔壁上，且电连接到所述第一电路层。所述第一电路层、所述分隔壁和所述MEMS组件围封一空间。所述第二电路层安置于所述第一电路层之上，且电连接到所述第一电路层。所述聚合性电介质层安置于所述第一电路层与所述第二电路层之间。

Packaging and Manufacturing Method of MEMS Device

The package of a microelectromechanical system (MEMS) device includes a first circuit layer, a partition wall, a MEMS component, a second circuit layer and a polymeric dielectric layer. The partition wall is arranged on the first circuit layer. The MEMS module is arranged on the partition wall and electrically connected to the first circuit layer. The first circuit layer, the partition wall and the MEMS module enclose a space. The second circuit layer is arranged on the first circuit layer and electrically connected to the first circuit layer. The polymeric dielectric layer is arranged between the first circuit layer and the second circuit layer.

【技术实现步骤摘要】
MEMS装置封装及其制造方法
本专利技术涉及一种微机电系统(MEMS)装置封装及其制造方法，且更确切地说，涉及一种具有供MEMS组件操作的空间的MEMS装置封装及其制造方法。
技术介绍
例如表面声波(SAW)滤波器组件等MEMS组件指定密封空间来减少来自环境的声波干扰。然而，密封空间的形成是复杂且昂贵的。
技术实现思路
在一些实施例中，一种MEMS装置封装包含第一电路层、分隔壁、MEMS组件、第二电路层和聚合性电介质层。分隔壁安置于第一电路层之上。MEMS组件安置在分隔壁之上，且电连接到第一电路层。第一电路层、分隔壁和MEMS组件围封一空间。第二电路层安置在第一电路层之上，且电连接到第一电路层。聚合性电介质层安置于第一电路层与第二电路层之间。在一些实施例中，MEMS装置封装包含第一电路层、MEMS组件、分隔壁和聚合性电介质层。MEMS组件安置在第一电路层之上。第一电路层和MEMS组件在两者之间限定一空间。分隔壁安置在第一电路层之上，且邻近于MEMS组件。聚合性电介质层安置在第一电路层之上，且通过分隔壁与所述空间分开。在一些实施例中，一种用于制造MEMS装置封装的方法包含以下操作。第一电路层形成于载体之上。分隔壁和多个导电支柱形成于第一电路层之上。MEMS组件安置在分隔壁和导电支柱之上，其中MEMS组件的外围由分隔壁支撑，以便限定MEMS组件与第一电路层之间的空间。MEMS组件通过导电支柱电连接到第一电路层。聚合性电介质层形成于第一电路层之上，其中通过分隔壁来限制所述聚合性电介质层进入所述空间。将载体从第一电路层释放。附图说明当结合附图阅读时，从以下具体实施方式最好地理解本专利技术的一些实施例的方面。应注意，各种结构可能未按比例绘制，且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。图1说明根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装的横截面视图；图2A说明根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段；图2B说明根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段；图2C说明根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段；图2D说明根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段；图3说明根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装的横截面视图；图4A说明根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段；图4B说明根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段；图4C说明根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段；图4D说明根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段；图5说明根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装的横截面视图；图6A说明根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段；图6B说明根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段；图6C说明根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段；图6D说明根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段；图7说明根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装的横截面视图；图8A说明根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段；图8B说明根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段；图8C说明根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段；以及图8D说明根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装的制造方法的实例的一或多个阶段。具体实施方式贯穿图式和详细描述使用共同参考数字来指示相同或类似组件。本专利技术的实施例将容易从结合附图进行的以下详细描述理解。以下揭示内容提供用于实施所提供的标的物的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的具体实例来阐释本专利技术的某些方面。当然，这些组件以及布置仅为实例且无意进行限制。举例来说，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或第二特征上的形成可包含第一特征和第二特征直接接触地形成或安置的实施例，并且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成或安置，使得第一特征和第二特征可不直接接触的实施例。此外，本专利技术可在各种实例中重复参考数字和/或字母。此重复是出于简单和清楚的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。除非另外规定，否则例如“上方”、“下方”、“向上”、“左边”、“右边”、“向下”、“顶部”、“底部”、“垂直”、“水平”、“侧”、“较高”、“下部”、“上部”、“上面”、“下面”等空间描述相对于图中所展示的定向加以指示。应理解，本文中所使用的空间描述仅是出于说明的目的，且本文中所描述的结构的实际实施方案可以任何定向或方式在空间上布置，其限制条件为本专利技术的实施例的优点是不因此布置而有偏差。本专利技术的至少一些实施例是针对MEMS装置封装。在一些实施例中，MEMS装置封装界定形成于两个电路层之间的空间。所述空间可由分隔壁限定并密封。所述分隔壁可与MEMS装置封装的感应支柱或电路层的制造一体地形成。因此，MEMS装置封装可省略额外的衬底。因此，MEMS装置封装的厚度可减小，且制造成本可降低。图1是根据本专利技术的一些实施例的MEMS装置封装1的横截面视图。如图1中所示，MEMS装置封装1包含第一电路层20、分隔壁30、组件40、第二电路层50和聚合性电介质层32。在一些实施例中，第一电路层20可包含再分布层(RDL)，其经配置以再分布电路布局。举例来说，第一电路层20可包含彼此堆叠的至少一个绝缘层(或多个绝缘层)201和至少一个导电层(或多个导电层)202。在一些实施例中，分隔壁30安置在第一电路层20之上。在一些实施例中，分隔壁30可包含(但不限于)由导电材料(例如金属或合金或两种或更多种金属的其它组合)形成的导电分隔壁。在一些实施例中，MEMS组件40安置在分隔壁30之上，且电连接到第一电路层20。第二电路层50安置于第一电路层20之上，且电连接到所述第一电路层。在一些实施例中，第二电路层50可包含另一RDL，其经配置以再分布电路布局。聚合性电介质层32安置于第一电路层20与第二电路层50之间。在一些实施例中，聚合性电介质层32可包含模制化合物层。举例来说，聚合性电介质层32的材料可包含但不限于聚酰亚胺(PI)、聚苯并噁唑(PBO)或其它合适的材料。在一些实施例中，MEMS组件40安置在聚合性电介质层32之上，且从所述聚合性电介质层暴露。MEMS装置封装1界定由第一电路层20、分隔壁30和MEMS组件40包封的空间70。在一些实施例中，分隔壁30侧向环绕空间70，第一电路层20在空间70的底部，且MEMS组件40覆盖空间70的顶部。在一些实施例中，空间70由第一电路层20、分隔壁30和MEMS组件40密封；且聚合性电介质层32通过分隔壁30与空间70分离。在一些实施例中，分隔壁30大体上沿空间70的外围安置，且环绕空间70。在一些实施例中，MEMS组件40可进一步包含作用中结构42，其电连接到第一电路层20。作用中结构42暴露于空间70，其允许MEMS组件40的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微机电系统MEMS装置封装，其包括：第一电路层；分隔壁，其安置在所述第一电路层上；MEMS组件，其安置在所述分隔壁之上，且电连接到所述第一电路层，其中所述第一电路层、所述分隔壁和所述MEMS组件围封一空间；第二电路层，其安置于所述第一电路层之上，且电连接到所述第一电路层；以及聚合性电介质层，其安置于所述第一电路层与所述第二电路层之间。

【技术特征摘要】
2017.08.17 US 15/680,0561.一种微机电系统MEMS装置封装，其包括：第一电路层；分隔壁，其安置在所述第一电路层上；MEMS组件，其安置在所述分隔壁之上，且电连接到所述第一电路层，其中所述第一电路层、所述分隔壁和所述MEMS组件围封一空间；第二电路层，其安置于所述第一电路层之上，且电连接到所述第一电路层；以及聚合性电介质层，其安置于所述第一电路层与所述第二电路层之间。2.根据权利要求1所述的MEMS装置封装，其中所述聚合性电介质层环绕所述分隔壁，且所述分隔壁包括导电分隔壁。3.根据权利要求1所述的MEMS装置封装，其进一步包括电子组件，所述电子组件安置于所述第一电路层与所述第二电路层之间，且电连接到所述MEMS组件。4.根据权利要求3所述的MEMS装置封装，其进一步包括安置于所述第一电路层与所述聚合性电介质层之间的多个第一导电件，以及安置于所述第二电路层中的多个第二导电件，其中所述电子组件包括多个感应支柱，其延伸穿过所述聚合性电介质层，且电连接到所述第一导电件和所述第二导电件。5.根据权利要求4所述的MEMS装置封装，其进一步包括安置于所述空间中的多个导电支柱，其中所述MEMS组件通过所述多个导电支柱电连接到所述第一电路层，且所述多个导电支柱由所述分隔壁环绕。6.根据权利要求5所述的MEMS装置封装，其进一步包括：多个连接垫，其安置在所述第一电路层之上，且分别电连接到所述导电支柱；以及着陆垫，其安置在所述第一电路层之上且连接到所述分隔壁，其中所述着陆垫沿所述空间的外围安置且环绕所述连接垫。7.根据权利要求5所述的MEMS装置封装，其中所述分隔壁的高度、所述导电支柱中的至少一者的高度以及所述感应支柱中的至少一者的高度大体上相同。8.根据权利要求7所述的MEMS装置封装，其中所述MEMS组件安置在所述聚合性电介质层之上，且从所述聚合性电介质层暴露。9.根据权利要求5所述的MEMS装置封装，其中所述分隔壁的高度和所述导电支柱中的至少一者的高度大体上相同，且所述分隔壁的所述高度和所述导电支柱中的所述至少一者的所述高度低于所述感应支柱中的至少一者的高度。10.根据权利要求9所述的MEMS装置封装，其中所述MEMS组...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建桦，孔政渊，黄哲豪，郭进成，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71