一种核电厂堆本体屏蔽插塞制造技术

技术编号:20450144 阅读:59 留言:0更新日期:2019-02-27 03:41
本发明专利技术属于反应堆辐射屏蔽技术领域,具体涉及一种核电厂堆本体屏蔽插塞,设置在核电厂堆腔底部测量腔中,用于对所述堆腔的辐射进行屏蔽,所述核电厂堆本体屏蔽插塞是分为上下两层的圆柱体,上层由若干块上层砌块(1)组成,下层由若干块下层砌块(2)组成,所述上层砌块(1)和所述下层砌块(2)能够屏蔽中子射线和光子辐射且耐高温,组装后的所述上层砌块(1)形成的第一缝隙(3)与组装后的所述下层砌块(2)形成的第二缝隙(4)错开或交叉设置。核电厂堆本体屏蔽插塞能够降低核电厂堆腔底部测量腔外周围区域的辐射水平,很好地吸收中子和光子,同时具有方便检修与更换、成本低廉的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种核电厂堆本体屏蔽插塞
本专利技术属于反应堆辐射屏蔽
,具体涉及一种核电厂堆本体屏蔽插塞。
技术介绍
中子吸收插塞位于堆腔底部构架中的测量孔中,主要作用是屏蔽堆腔辐射。反应堆功率运行期间,中子吸收插塞处于强辐射场及较高温度的环境条件下,因此插塞材料除具有较好的中子和光子屏蔽性能外,应具备一定的耐辐照、耐高温、防火等性能,还应满足相应的机械性能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,针对核电厂堆腔底部测量腔的填充材料功能需求,提出一种能够有效屏蔽中子和光子辐射,具备一定的耐辐照、耐高温、防火等性能,满足相应的机械性能,同时易于加工、便于拆装的中子屏蔽插塞。为达到以上目的,本专利技术采用的技术方案是一种核电厂堆本体屏蔽插塞,设置在核电厂堆腔底部测量腔中,用于对所述堆腔的辐射进行屏蔽,其中,所述核电厂堆本体屏蔽插塞是分为上下两层的圆柱体,上层由若干块上层砌块组成,下层由若干块下层砌块组成,所述上层砌块和所述下层砌块能够屏蔽中子射线和光子辐射且耐高温,组装后的所述上层砌块形成的第一缝隙与组装后的所述下层砌块形成的第二缝隙错开或交叉设置。进一步,所述上层砌块、下层砌块均为3-6块,为轴对称本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种核电厂堆本体屏蔽插塞,设置在核电厂堆腔底部测量腔中,用于对所述堆腔的辐射进行屏蔽,其特征是:所述核电厂堆本体屏蔽插塞是分为上下两层的圆柱体,上层由若干块上层砌块(1)组成,下层由若干块下层砌块(2)组成,所述上层砌块(1)和所述下层砌块(2)能够屏蔽中子射线和光子辐射且耐高温,组装后的所述上层砌块(1)形成的第一缝隙(3)与组装后的所述下层砌块(2)形成的第二缝隙(4)错开或交叉设置。

【技术特征摘要】
1.一种核电厂堆本体屏蔽插塞,设置在核电厂堆腔底部测量腔中,用于对所述堆腔的辐射进行屏蔽,其特征是:所述核电厂堆本体屏蔽插塞是分为上下两层的圆柱体,上层由若干块上层砌块(1)组成,下层由若干块下层砌块(2)组成,所述上层砌块(1)和所述下层砌块(2)能够屏蔽中子射线和光子辐射且耐高温,组装后的所述上层砌块(1)形成的第一缝隙(3)与组装后的所述下层砌块(2)形成的第二缝隙(4)错开或交叉设置。2.如权利要求1所述的核电厂堆本体屏蔽插塞,其特征是:所述上层砌块(1)、下层砌块(2)均为3-6块,为轴对称几何造型,部分所述上层砌块(1)、下层砌块(2)上设有与所述测量腔形状相适应的凹槽(5)。3.如权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:王雅霄毛亚蔚米爱军杨德锋王晓霞李晓静李广慧房柯刘天斌李海涛
申请(专利权)人:中国核电工程有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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