曝光装置及其对位曝光方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种曝光装置及其对位曝光方法，对位曝光方法包含：提供基板至第一曝光机台、利用第一曝光机台对所有定位点执行对位工序以得到补偿信息、利用第一曝光机台根据补偿信息对基板的各第一区域进行曝光来执行第一曝光工序、传送基板至第二曝光机台以及利用第二曝光机台根据补偿信息及至少一基准点对基板的各第二区域进行曝光来执行第二曝光工序。于此，基板包括多个第一区域及多个第二区域，此些第一区域与此些第二区域未重叠，各第一区域的尺寸小于各第二区域的尺寸，各第一区域与各第二区域分别具有多个定位点，且其中至少一基准点为对应此些第二区域的此些定位点中的至少一者。

【技术实现步骤摘要】
曝光装置及其对位曝光方法
本专利技术涉及一种曝光技术，特别是涉及一种曝光装置及应用此曝光装置的对位曝光方法。
技术介绍
在半导体制造工序中，目前常见的对位曝光方法通常是通过曝光装置进行光掩模与基板的对位后，进行曝光工序。一般来说，基板具有多个曝光预定区适于用来制作一个或多个薄膜晶体管基板。对具有单一曝光装置的曝光系统来说，在曝光工序之前，需通过此一曝光装置对所有曝光预定区进行对位。而后，才能进行此些曝光预定区域曝光。于此，有相当一部分的时间会花费在光掩模的切换、及对位工序上。
技术实现思路
本专利技术一实施例提出一种曝光装置，其包括第一曝光机台以及第二曝光机台。第一曝光机台对基板所包括的多个第一区域的多个定位点及多个第二区域的多个定位点执行对位工序以得到补偿信息。第一曝光机台根据补偿信息对基板的各第一区域进行曝光来执行第一曝光工序。其中，各第一区域的尺寸小于各第二区域的尺寸。第二曝光机台根据补偿信息及至少一基准点对基板的各第二区域进行曝光来执行第二曝光工序，其中至少一基准点为对应此些第二区域的此些定位点中的至少一者。本专利技术一实施例提出一种对位曝光方法，其包含：提供基板至第一曝光机台、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种对位曝光方法，包括：提供基板至第一曝光机台，其中该基板包括多个第一区域及多个第二区域，该些第一区域与该些第二区域未重叠，各该第一区域的尺寸小于各该第二区域的尺寸，各该第一区域与各该第二区域分别具有多个定位点；利用该第一曝光机台对所有该定位点执行对位工序以得到补偿信息；利用该第一曝光机台根据该补偿信息对该基板的各该第一区域进行曝光来执行第一曝光工序；传送该基板至第二曝光机台；以及利用该第二曝光机台根据该补偿信息及至少一基准点对该基板的各该第二区域进行曝光来执行第二曝光工序，其中该至少一基准点为对应该些第二区域的该些定位点中的至少一者。

【技术特征摘要】
2018.10.02 TW 1071348611.一种对位曝光方法，包括：提供基板至第一曝光机台，其中该基板包括多个第一区域及多个第二区域，该些第一区域与该些第二区域未重叠，各该第一区域的尺寸小于各该第二区域的尺寸，各该第一区域与各该第二区域分别具有多个定位点；利用该第一曝光机台对所有该定位点执行对位工序以得到补偿信息；利用该第一曝光机台根据该补偿信息对该基板的各该第一区域进行曝光来执行第一曝光工序；传送该基板至第二曝光机台；以及利用该第二曝光机台根据该补偿信息及至少一基准点对该基板的各该第二区域进行曝光来执行第二曝光工序，其中该至少一基准点为对应该些第二区域的该些定位点中的至少一者。2.如权利要求1所述的对位曝光方法，其中执行该对位工序的步骤包括：将第一光掩模的多个第一光掩模定位点分别与该基板的各该第一区域的该些定位点对准；将第二光掩模的多个第二光掩模定位点分别与该基板的各该第二区域的该些定位点对准；以及根据该些第一光掩模定位点、该些第二光掩模定位点与该些定位点的一对准结果，以得到该补偿信息。3.如权利要求1所述的对位曝光方法，其中该利用该第一曝光机台根据该补偿信息对该基板的各该第一区域进行曝光来执行该第一曝光工序的步骤包括：依据该补偿信息得到第一曝光参数；以及利用该第一曝光机台依循各该第一曝光参数对该基板的各该第一区域进行曝光来执行该第一曝光工序。4.如权利要求1所述的对位曝光方法，其中该利用该第二曝光机台根据该补偿信息对该基板的各该第二区域进行曝光来执行该第二曝光工序的步骤包括：依据该补偿信息得到第二曝光参数；以及利用该第二曝光机台依循各该第二曝光参数对该基板的各该第二区域进行曝光来执行该第二曝光工序。5.如权利要求1所述的对位曝光方法，其中该些第一区域及该些第二区域分别具有相连的长边及短边，该些第一区域沿第一方...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建勋，林庆鸿，吴嘉训，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71