多晶硅锭的质量检验方法技术

多晶硅锭的质量检验方法，涉及多晶硅锭的质量检验方法，依次进行以下步骤：a.在多晶硅锭铸锭完成后，待硅锭冷却；b.在进行开方工序前，在完整的硅锭上数出结晶点个数；c.对每一个结晶点，测量结晶点周围电阻率小于选定值的范围；d.对每一个结晶点，以结晶点为圆心，根据其周围电阻率小于选定值的范围的大小画圆，量取圆的直径；e.在所得到的电阻率小于选定值的范围的圆的直径中，选取最大的直径数值。f.对比每个硅锭的结晶点个数和最大直径数值的大小，作为判断依据。本发明专利技术的有益效果是：可得到精确的判断硅锭质量优劣的数据，提高了硅锭质量控制的精确度，降低了劣质品带来的风险，提高了产成品的整体质量降低成本。

【技术实现步骤摘要】
多晶硅锭的质量检验方法
本专利技术涉及太阳能级硅片的制造
，特别涉及多晶硅锭的质量检验方法。
技术介绍
目前多晶硅锭的质量检验方法为：在开方之后进行小方锭的电阻率和少子寿命测试，但仅有这种方法很难准确的判断出硅锭的质量。多晶硅锭的质量主要体现在晶体缺陷和杂质浓度量方面，杂质浓度的多少能够通过对电阻率的考量得到，而现有的开方后电阻率测试法并不能很好的显示出硅锭整体的品质。本方法通过对整锭的结晶点个数及结晶点附近的电阻率的测量可以更加清晰的判断出硅锭整锭的质量优劣，其数据对于质量控制和铸锭工艺改进都有重要意义。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种多晶硅锭的质量检验方法，使用它可得到精确的判断硅锭质量优劣的数据，从而实现硅锭质量检验。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用如下技术方案：多晶硅锭的质量主要表现为晶体缺陷和杂质浓度，而通过电阻率的测量可以判断硅锭杂质浓度的优劣，本方法通过对硅锭最后结晶点周围电阻率的测量来判断硅锭质量优劣。具体是：多晶硅锭的质量检验方法，其特征在于依次进行以下步骤：a在多晶硅锭铸锭完成后，待硅锭冷却；b在进行开方工序前，在完整的硅锭上数出结晶点个数；c对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.多晶硅锭的质量检验方法，其特征在于依次进行以下步骤：a在多晶硅锭铸锭完成后，待硅锭冷却；b在进行开方工序前，在完整的硅锭上数出结晶点个数；c对每一个结晶点，测量结晶点周围电阻率小于选定值的范围；d对每一个结晶点，以结晶点为圆心，根据其周围电阻率小于选定值的范围的大小画圆，量取圆的直径；e在所得到的电阻率小于选定值的范围的圆的直径中，选取最大的直径数值；f对比每个硅锭的结晶点个数和最大直径数值的大小，作为判断依据。

【技术特征摘要】
1.多晶硅锭的质量检验方法，其特征在于依次进行以下步骤：a在多晶硅锭铸锭完成后，待硅锭冷却；b在进行开方工序前，在完整的硅锭上数出结晶点个数；c对每一个结晶点，测量结晶点周围电阻率小于选定值的范围；d对每一个结晶点，以结晶点为圆心，根据其周围电阻率小于选定值的范围的大小画圆，量取圆的直径；e在所得到的电阻率小于选定值的范围的圆的直径中，选取最大的直径数值；f对比每个硅锭的结晶点个数和最大直径数值的大小，作为判断依据。2.根据权利要求1所述的多晶硅锭的质量检验...

【专利技术属性】
技术研发人员：田旭芳，
申请(专利权)人：遵义市精科信检测有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州,52