一种非晶态透明导电薄膜的晶化装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种非晶态透明导电薄膜的晶化装置，尤其涉及非晶态ITO透明导电薄膜的红外晶化装置。真空腔室分别与真空泵、真空度测量装置、气体流量计连接，并在腔室侧壁上安装进气管道；在真空腔室内放置红外加热灯管，红外灯管背部表面涂有一层反射层材料；红外灯管固定在灯架上，灯架安装在真空腔室内部的顶部，灯架上装有固定灯管的夹具，并在灯架顶端开槽，夹具位于槽内；在灯管下方放置一个样品支架，所述样品支架安装在真空腔室底面，样品支架的支架腿上设有滑轨，样品支架的样品托板固定在支架腿上，在样品托板中间区域开槽；样品支架上方安装测温装置，测温装置与红外灯管通过法兰盘与真空腔室外的温度反馈控制装置相连。

【技术实现步骤摘要】
一种非晶态透明导电薄膜的晶化装置
本技术涉及一种非晶态透明导电薄膜的晶化装置，尤其涉及非晶态ITO透明导电薄膜的红外晶化装置。
技术介绍
透明导电薄膜是一种重要的光电材料，既具有高导电性，又在可见光范围内有很高的透光性，在光电产业中有着广阔的应用前景。由于具有这些优异的光电特性，使其在太阳能电池、液晶显示器、气体传感器、飞机和汽车用导热窗玻璃(防雾和防结冰)等领域得到广泛应用。为制备出具有低电阻率和高可见光区透射率的透明导电薄膜，人们研究并开发了各种相应的薄膜制备、处理方法。以ITO薄膜为例，它由于具有透光率高、电阻大范围可调、化学稳定性好等特点，应用范围广泛。传统的获得低电阻ITO薄膜的途径一般有两个：第一，采用高温磁控溅射方法，直接制备低电阻ITO薄膜。磁控溅射的温度一般在300-500℃之间，时间1小时以上。第二，采用低温磁控溅射方法，制备非晶态ITO薄膜，然后将薄膜在真空中进行热处理，处理温度在300℃以上，时间为30min-2h。这两个途径的共同缺点是需要将基底材料长期放置在高温环境中。当基底材料为化学强化玻璃等不能长时间放置于高温环境中的材料时，就需要一种非晶态透明导电薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非晶态透明导电薄膜的晶化装置，其特征在于，真空腔室分别与真空泵、真空度测量装置、气体流量计连接，并在腔室侧壁上安装进气管道；在真空腔室内放置红外加热灯管，红外灯管背部表面涂有一层反射层材料；红外灯管固定在灯架上，灯架安装在真空腔室内部的顶部，灯架上装有固定灯管的夹具，并在灯架顶端开槽，夹具位于槽内；在灯管下方放置一个样品支架，所述样品支架安装在真空腔室底面，样品支架的支架腿上设有滑轨，样品支架的样品托板固定在支架腿上，在样品托板中间区域开槽；样品支架上方安装测温装置，测温装置与红外灯管通过法兰盘与真空腔室外的温度反馈控制装置相连。

【技术特征摘要】
1.一种非晶态透明导电薄膜的晶化装置，其特征在于，真空腔室分别与真空泵、真空度测量装置、气体流量计连接，并在腔室侧壁上安装进气管道；在真空腔室内放置红外加热灯管，红外灯管背部表面涂有一层反射层材料；红外灯管固定在灯架上，灯架安装在真空腔室内部的顶部，灯架上装有固定灯管的夹具，并在灯架顶端开槽，夹具位于槽内；在灯管下方放置一个样品支架，所述样品支架安装在真空腔室底面，样品支架的支架腿上设有滑轨，样品支架的样品托板固定在支架腿上，在样品托板中间区域开槽；样品支架上方安装测温装置，测温装置与红...

【专利技术属性】
技术研发人员：李佳明，颜悦，姜良宝，陈牧，李晓宇，马一博，雷沛，
申请(专利权)人：中国航发北京航空材料研究院，
类型：新型
国别省市：北京,11