【技术实现步骤摘要】
一种NAND闪存数据管理方法和装置
本申请涉及计算机
,尤其涉及一种NAND闪存数据管理的方法和装置。
技术介绍
随着信息科学技术的发展,在实际应用中经常使用固态硬盘(英文:SolidStateDrives,缩写:SSD),在进行SSD中NAND闪存的存储周期内,各种各样的因素都可能使得数据发生错误,因此,SSD增加了错误检查和纠正(英文:ErrorCheckingandCorrecting,缩写:ECC)功能,用于在读取NAND闪存数据,检测数据的正确性并纠正部分错误,以降低数据比特错误率(英文:BitErrorRatio,缩写:BER)。基于对SSD中NAND闪存数据的研究可知,当进行一次NAND闪存数据读操作后,NAND闪存数据的数据BER会逐渐降低,一段时间后再逐渐升高,也就是说,若长时间不进行NAND闪存数据读操作,NAND闪存数据的数据BER会逐渐升高,当后续再次进行NAND闪存数据读操作时,数据BER较高。专利技术人经过研究发现,若长时间不读取NAND闪存数据,当再次读取NAND闪存数据时,仅仅使用ECC技术进行数据错误检查和纠正,已经无法有效 ...
【技术保护点】
1.一种NAND闪存数据管理的方法,其特征在于,包括:每隔预设周期触发目标NAND闪存数据的读操作,所述预设周期是根据所述目标NAND闪存数据长时间未进行读操作从第一次读操作执行后数据比特错误率由高下降至最低所经过的时间确定的;响应于所述目标NAND闪存数据的读操作,在所述预设周期内读取所述目标NAND闪存各个平面plane中的各个块block。
【技术特征摘要】
1.一种NAND闪存数据管理的方法,其特征在于,包括:每隔预设周期触发目标NAND闪存数据的读操作,所述预设周期是根据所述目标NAND闪存数据长时间未进行读操作从第一次读操作执行后数据比特错误率由高下降至最低所经过的时间确定的;响应于所述目标NAND闪存数据的读操作,在所述预设周期内读取所述目标NAND闪存各个平面plane中的各个块block。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述响应于所述目标NAND闪存数据的读操作,在所述预设周期内读取所述目标NAND闪存各个平面plane中的各个块block,包括:响应于所述目标NAND闪存数据的读操作,并行执行所述目标NAND闪存各个plane的读操作;对于每个plane,在预设周期内串行读取plane中各个block。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述对于每个plane,在预设周期内串行读取plane中各个block,具体为:对于每个plane,在预设周期内串行读取plane中各个block对应的预设页page,所述预设page是指每个block中各个page读操作执行后数据比特错误率下降最多的page。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述目标NAND闪存数据的读操作具体为读取所述目标NAND闪存数据至缓存的读操作。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述plane中各个block之间的间隔读取时间相同,且所述各个block之间的...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕玉彬,戚勇,
申请(专利权)人:郑州云海信息技术有限公司,
类型:发明
国别省市:河南,41
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