【技术实现步骤摘要】
一种硫化镉薄膜比色装置及制备硫化镉薄膜的方法
本专利技术涉及薄膜太阳能电池制备
,特别是涉及一种硫化镉薄膜比色装置及制备硫化镉薄膜的方法。
技术介绍
硫化镉(CdS)属于一种Ⅱ-Ⅵ族的化合物,禁带宽度为2.42eV的n型半导体材料,并且能透过绝大部分的太阳光,因此,硫化镉被广泛地用作薄膜电池的缓冲层,要得到高效率的太阳电池,作为缓冲层的硫化镉必须要致密均匀并且厚度适宜。制备硫化镉薄膜的方法有许多种,比如:化学水浴沉积法、磁控溅射法、近空间升华法、真空蒸发法等。化学水浴沉积法因其所需材料少、制备要求低、无污染和简化制备工艺等优点而被广泛利用;通过化学水浴法得到的硫化镉薄膜较为致密均匀,成膜的条件简易且成本低,适合大面积制备薄膜。但化学水浴法制备的硫化镉薄膜需用台阶仪测得硫化镉薄膜的厚度,实验过程中不能快速的确定硫化镉薄膜的厚度,而硫化镉的厚度对于电池的性能有着非常大的影响:硫化镉过薄则不能完全覆盖吸收层,不能与吸收层形成良好的界面接触,甚至造成电池短路等。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种硫化镉薄膜比色装置及制备硫化镉薄膜的方法,能够在实验过程中快速判断硫 ...
【技术保护点】
1.一种硫化镉薄膜比色装置,包括多个不同颜色的硫化镉薄膜样品和采样板(1),其特征在于,所述采样板(1)为矩形结构板体,采样板(1)上平面沿长度方向均匀开设有多个带底的腔体(12),所述腔体(12)内部由上至下依次设置有样品室、推杆(8)和弹簧(7);所述样品室包括支撑板(10)和压片(9),所述支撑板(10)呈“[”形结构,所述压片(9)呈“]”形结构,支撑板(10)与压片(9)底部铰接,上部平齐,支撑板(10)与压片(9)相对设置于腔体(12)内部,支撑板(10)与压片(9)的凹陷处形成腔室,硫化镉薄膜样品设置于腔室内;压片(9)中部开设有通孔(13),采样板(1)与通 ...
【技术特征摘要】
1.一种硫化镉薄膜比色装置,包括多个不同颜色的硫化镉薄膜样品和采样板(1),其特征在于,所述采样板(1)为矩形结构板体,采样板(1)上平面沿长度方向均匀开设有多个带底的腔体(12),所述腔体(12)内部由上至下依次设置有样品室、推杆(8)和弹簧(7);所述样品室包括支撑板(10)和压片(9),所述支撑板(10)呈“[”形结构,所述压片(9)呈“]”形结构,支撑板(10)与压片(9)底部铰接,上部平齐,支撑板(10)与压片(9)相对设置于腔体(12)内部,支撑板(10)与压片(9)的凹陷处形成腔室,硫化镉薄膜样品设置于腔室内;压片(9)中部开设有通孔(13),采样板(1)与通孔(13)对应处开设有观察孔(3);压片(9)上端设置有锁扣(4),采样板(1)上平面侧边设置有多个连接块(11),所述连接块(11)设置于锁扣(4)内所述弹簧(7)固定于腔体(12)底部,所述推杆(8)一端与弹簧(7)固定,另一端与样品室固定。2.根据权利要求1所述一种硫化镉薄膜比色装置,其特征在于,所述采样板(1)底部铰接有盖体(2),所述盖体(2)为矩形板体,所述盖体(2)的宽度大于采样板(1)的宽度,盖体(2)后侧开设有弧形槽,盖体(2)前侧开设有矩形槽,矩形槽内铰接有连接片(5),所述连接片(5)呈矩形,连接片(5)与连接块(11)磁力吸附连接。3.根据权利要求2所述一种硫化镉薄膜比色装置,其特征在于,所述采样板(1)与盖体(2)的铰接端分别设置有磁铁(6),所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:肖振宇,曹阳,冯旭莹,高梦格,刘文元,孙书杰,赵志强,孙柱柱,李彦磊,程念,房良,訾威,刘江峰,涂友超,耿晓菊,
申请(专利权)人:信阳师范学院,
类型:发明
国别省市:河南,41
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