覆盖除草的魔芋种植方法技术

本发明专利技术公开了一种覆盖除草的魔芋种植方法，选择土层深厚、土质疏松、土壤肥沃、排灌方便的地块，深耕30～40cm、耙细后开沟起垄，开沟宽度1.0～1.5m，垄面宽度大于等于0.7m且小于1.2m；清明节至谷雨节，在垄面上开沟条播或穴播，播种间距30cm×40cm，同时以有机肥或农家肥为主、氮磷钾复合肥为辅施基肥，有机肥亩施200～300kg，农家肥亩施2000～3000kg，复合肥亩施40～50kg；种植完成后立即采用厚度为5～10cm的松针/秸秆/干草或1～1.5cm草席覆盖整个垄面；7月上旬，魔芋出苗整齐后每隔10天喷施一次叶面肥，喷施3～4次。魔芋出苗率达95％以上，可控制住90％的杂草。

Planting Method of Konjac Covered with Weeds

The invention discloses a planting method of konjac covered with weeds, which chooses plots with deep soil layer, loose soil, fertile soil and convenient irrigation and drainage, deep tillage 30-40 cm, rake fine and then furrow and ridge, furrow width 1.0-1.5 m, ridge width greater than or equal to 0.7 m and less than 1.2 m; from Qingming Festival to Valley and Rain Festival, furrow or hole sowing is carried out on the ridge surface, and the sowing spacing is 30 cm x 40 cm, while organic fertilizer is used. Or farm manure as the main fertilizer, nitrogen, phosphorus and potassium compound fertilizer as supplementary basic fertilizer, organic fertilizer 200-300 kg per mu, farm fertilizer 2000-3000 kg per mu, compound fertilizer 40-50 kg per mu; after planting, pine needle/straw/hay or 1-1.5 cm straw mat with thickness of 5-10 cm should be used immediately to cover the whole ridge; in early July, after the emergence of konjac seedlings, leaf fertilizer should be sprayed once every 10 days and sprayed 3-4 times. The emergence rate of Amorphophallus konjac was over 95%, and 90% of weeds could be controlled.

【技术实现步骤摘要】
覆盖除草的魔芋种植方法
本专利技术属于魔芋种植
，特别是涉及一种覆盖除草的魔芋种植方法。
技术介绍
魔芋是天南星科(Araceae)魔芋属(AmorphophallusBlume)的总称，古代叫磨芋或蒟蒻，英文名Elephantfootyam或Elephantfoottaro，现在一般用最广泛种植的花魔芋(Konjac)代表魔芋。据中国魔芋协会统计，2017年中国种植魔芋200多万亩，主要种植在云南、贵州、四川、湖北、陕西等省，栽培的品种主要是花魔芋，云南种植有少量白魔芋和黄魔芋。在魔芋种植业中由于病虫草害难以防治导致魔芋种植业发展缓慢，特别是杂草的危害给魔芋生产带来的损失更是难以计算。据调查魔芋地发生的杂草一般有30多科100多种，其中一年生杂草有80多种，多年生杂草有20多种。不同的杂草生长期不一致，因此每一个魔芋生长期内，杂草会生长3～4拨，在魔芋种植区一般都是靠人工拔除或铲锄除草，每年投入控制杂草的劳动力成本每亩高达1600多元，由杂草造成的损失达1000多元。除了直接危害外，还由于地里杂草丛生，就必须额外地进行各种各样的工作，而且增加了耕作，清除，收割的难度。杂草对魔芋的危害主要表现在三个方面：恶化生长环境，传播病虫害，与作物竞争；恶化环境：杂草是无孔不在的，从土壤表层到深层、从农田到渠道，充斥着一切场所，使土壤、水域、魔芋等受到严重的污染，使魔芋生长环境恶化；传播病虫害：杂草可称为魔芋病原菌的传染源和中间寄主，作为杂食性害虫的食物或成为病虫害的传播媒介；与作物竞争：杂草和病虫不一样，除一些寄生性杂草外，它们与魔芋是直接的竞争，由于魔芋所必需的养分、水分和光线被严重的消耗和阻碍，使魔芋生长发育受到抑制，使之造成危害。目前魔芋培育中，除草主要有人工除草、除草剂除草和地膜覆盖除草；对于魔芋地上适用的除草剂研制和生产我国还处于引用试验阶段，品种、数量应用技术均不能满足魔芋生产的需要，除了常见的草甘膦异丙铵盐、草胺磷、精喹禾灵外，没有专用的魔芋除草剂。草甘膦异丙铵盐、草铵磷主要是在魔芋播种后魔芋还未出苗但杂草已出的条件下喷雾处理，精喹禾灵用于魔芋出苗后作喷雾处理，这些除草剂对魔芋都会造成伤害。使用除草剂除草虽然省时省力，但对魔芋的伤害最大，且除草剂的残留还会影响到下一茬作物的生长，魔芋除草剂还要求使用者必须掌握科学的施药技术，稍有失误将造成魔芋绝收。人工除草用工量大、费用高，地膜覆盖的魔芋出苗时必须人工破膜，且地膜不透气，容易导致病害高发。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种覆盖除草的魔芋种植方法，以解决魔芋培育中用化学药剂除草药害严重、人工除草用工量大、地膜覆盖除草病害高发的问题。本专利技术所采用的技术方案是，覆盖除草的魔芋种植方法，具体步骤如下：步骤1、整地理墒：选择土层深厚、土质疏松、土壤肥沃、排灌方便的地块，将选好的土地深耕、耙细后开沟起垄；步骤2、播种：清明节至谷雨节，在垄面上开沟条播或穴播，同时施基肥；步骤3、覆盖除草：种植完成后立即采用松针、秸秆、干草或草席覆盖整个垄面；步骤4、追肥：7月上旬，魔芋出苗整齐后喷施叶面肥。种植完成后立即采用松针、秸秆或草席覆盖整个垄面，保证土壤疏松性、透气性、温度和湿度，利于出苗，防止病虫害发生，抑制杂草生长。进一步的，所述步骤1耕地深度为30～40cm，开沟宽度为1.0～1.5m，垄面宽度大于等于0.7m且小于1.2m。深耕30～40cm，可以有效增加土壤保水保肥能力，增加土壤疏松度、透气性，消除部分病虫和杂草。设置开沟宽度在1.0～1.5m，便于种植人员站在沟里从垄的两边进行除草、施肥、喷洒农药等农事操作，而不必站在垄面踩伤魔芋。进一步的，所述步骤2播种间距为30cm×40cm。株行距过小，魔芋密度太大，不利于魔芋生长，株行距过大，产量低。进一步的，所述步骤2的基肥以有机肥或农家肥为主，氮磷钾复合肥为辅。进一步的，所述步骤3覆盖的松针、秸秆或干草厚度为5～10cm、草席厚度为1～1.5cm，秸秆长度为10～15cm，因为秸秆太长，覆盖物容易互相支撑，造成较大空隙，杂草容易从空隙中冒出，除草效果不好；秸秆太短，导致覆盖物密度大，魔芋不容易出苗，覆盖物的长度在这个范围内可以不等，秸秆长度为10～15cm，使得除草效果与出苗率达到了很好的平衡。覆盖松针、秸秆、干草或草席的厚度过小未完全覆盖杂草，杂草会钻出覆盖物，起不到除草作用；厚度过大魔芋出苗困难，影响魔芋的出苗率和生长，本专利技术覆盖的秸秆或干草厚度为5～10cm、草席厚度为1～1.5cm除草效果佳、出苗率高。进一步的，所述步骤4喷施叶面肥，每隔10天喷施一次，喷施3～4次。隔10天喷施一次，喷施3～4次，有利于魔芋吸收营养，使得魔芋生长茂盛。叶面肥种类较多，可任选其一，并依照说明书使用即可。进一步的，所述开沟宽度为1.0m时，垄面宽度为0.7m；开沟宽度为1.5m时，垄面宽度小于1.2m。进一步的，所述有机肥亩施200～300kg，所述农家肥亩施2000～3000kg；所述氮磷钾复合肥亩施40～50kg。依据魔芋的需肥特性，基肥以有机肥或农家肥为主，以氮磷钾复合肥为辅，有机肥亩施200～300kg，农家肥亩施2000～3000kg；氮磷钾复合肥亩施40kg～50kg，所得魔芋质量高。进一步的，所述步骤3的秸秆为水稻秸秆、小麦秸秆、油菜秸秆、苕子秸秆和荞秸秆中的至少一种。进一步的，所述步骤3的干草为落叶或干杂草，草席采用稻草编织，松针为云南松松针和华山松松针的至少一种。本专利技术的有益效果是，覆盖除草的魔芋种植方法，通过覆盖适当厚度的松针、秸秆、干草或草席，保证土壤疏松性、透气性、温度和湿度，魔芋出苗率达95％以上，除草效果显著，可控制住90％的杂草，且有利于魔芋球茎的膨大；降低病虫害的交叉感染，病虫害发病率降低10％，保证魔芋健康生长；不使用化学除草剂，不会造成药害，不会造成农药残留，保证了食品安全，保护了生态环境；比人工铲除节约成本，覆盖成本低、经济效益高。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1步骤1、整地理墒：选择土层深厚、土质疏松、土壤肥沃、排灌方便的地块，将选好的土地深耕30cm，耙细，按1.5m的开沟宽度、1.1m的起垄宽度开沟起垄；步骤2、播种：清明节至谷雨节，在垄面上开沟条播，种植间距为30cm×40cm；同时施基肥，基肥以农家肥为主，亩施2000kg，以氮磷钾复合肥为辅，亩施40kg；步骤3、覆盖除草：种植完成后立即采用10cm厚的云南松和华山松的松针混合覆盖整个垄面，保证土壤疏松性、透气性、温度和湿度；步骤4、追肥：7月上旬，魔芋出苗整齐后喷施叶面肥魔芋灵，每隔10天喷施一次，喷施3～4次。实施例2步骤1、整地理墒：选择土层深厚、土质疏松、土壤肥沃、排灌方便的地块，将选好的土地深耕33cm，耙细，按1.3m的开沟宽度、0.9m的起垄宽度开沟起垄；步骤2、播种：清明节至谷雨节，在垄面上开沟条播，种植间距为30cm×40cm；同时施基肥，基肥以农家肥为主本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.覆盖除草的魔芋种植方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤1、整地理墒：选择土层深厚、土质疏松、土壤肥沃、排灌方便的地块，将选好的土地深耕、耙细后开沟起垄；步骤2、播种：清明节至谷雨节，在垄面上开沟条播或穴播，同时施基肥；步骤3、覆盖除草：种植完成后立即采用松针、秸秆、干草或草席覆盖整个垄面；步骤4、追肥：7月上旬，魔芋出苗整齐后喷施叶面肥。

【技术特征摘要】
1.覆盖除草的魔芋种植方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤1、整地理墒：选择土层深厚、土质疏松、土壤肥沃、排灌方便的地块，将选好的土地深耕、耙细后开沟起垄；步骤2、播种：清明节至谷雨节，在垄面上开沟条播或穴播，同时施基肥；步骤3、覆盖除草：种植完成后立即采用松针、秸秆、干草或草席覆盖整个垄面；步骤4、追肥：7月上旬，魔芋出苗整齐后喷施叶面肥。2.根据权利要求1所述的覆盖除草的魔芋种植方法，其特征在于，所述步骤1耕地深度为30～40cm，开沟宽度为1.0～1.5m，垄面宽度大于等于0.7m且小于1.2m。3.根据权利要求1所述的覆盖除草的魔芋种植方法，其特征在于，所述步骤2播种间距为30cm×40cm。4.根据权利要求1所述的覆盖除草的魔芋种植方法，其特征在于，所述步骤2的基肥以有机肥或农家肥为主，氮磷钾复合肥为辅。5.根据权利要求1所述的覆盖除草的魔芋种植方法，其特征在于，所述步骤3覆盖的松针、秸秆或干草...

【专利技术属性】
技术研发人员：董坤，卢俊，李成云，董加红，李云飞，
申请(专利权)人：富源县金地魔芋种业有限公司，
类型：发明
国别省市：云南,53