具有腔室及滤波器芯片的多芯片集成封装模块结构制造技术

本实用新型专利技术揭示了一种具有腔室及滤波器芯片的多芯片集成封装模块结构，封装模块结构包括：封装基板，其具有若干腔室；至少一滤波器芯片及至少一放大器芯片，分别设置于若干腔室中；RF开关芯片，设置于封装基板的上方；若干互连结构，用于导通滤波器芯片、放大器芯片及RF开关芯片。本实用新型专利技术利用封装技术将多个不同的芯片封装于同一封装基板，可以实现多芯片的高度集成，提高封装基板的利用率；滤波器芯片、放大器芯片及RF开关芯片呈上下分布，位于封装基板上方的RF开关芯片并不占用封装基板的空间，可以进一步提高封装基板的利用率，简化互连结构；滤波器芯片及放大器芯片内嵌设置于若干腔室中，使得封装模块结构更加轻薄。

【技术实现步骤摘要】
具有腔室及滤波器芯片的多芯片集成封装模块结构
本技术涉及半导体封装领域，尤其涉及一种具有腔室及滤波器芯片的多芯片集成封装模块结构。
技术介绍
为迎合电子产品日益轻薄短小的发展趋势，滤波器与射频发射组件、接收组件需要被高度集成在有限面积的封装结构中，形成系统级封装(SystemInPackage，SIP)结构，以减小硬件系统的尺寸。对于系统级封装结构中的滤波器与射频前端模块封装整合技术，业内仍存在相当多的技术问题亟需解决，例如，滤波器的保护结构、多个芯片之间的连接结构、多个芯片的布局等等。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种具有腔室及滤波器芯片的多芯片集成封装模块结构。为实现上述技术目的之一，本技术一实施方式提供一种具有腔室及滤波器芯片的多芯片集成封装模块结构，包括：封装基板，其具有若干腔室；至少一滤波器芯片及至少一放大器芯片，分别设置于若干腔室中；RF开关芯片，设置于所述封装基板的上方；若干互连结构，用于导通滤波器芯片、放大器芯片及RF开关芯片。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述封装基板具有相对设置的基板上表面及基板下表面，且所述封装基板具有间隔分布的第一腔室、第二腔室及第三腔室，所述多芯片集成封装模块结构包括位于所述第一腔室的第一滤波器芯片、位于所述第二腔室的第二滤波器芯片及位于所述第三腔室的放大器芯片，所述第一滤波器芯片具有相对设置的第一上表面及第一下表面，所述第一上表面与所述基板上表面位于同侧，且所述第一上表面具有若干第一电极，所述第二滤波器芯片具有相对设置的第二上表面及第二下表面，所述第二上表面与所述基板上表面位于同侧，且所述第二上表面具有若干第二电极，所述放大器芯片具有相对设置的第三上表面及第三下表面，所述第三上表面与所述基板上表面位于同侧，且所述第三上表面具有若干第三电极，所述RF开关芯片具有相对设置的第四上表面及第四下表面，所述第四下表面与所述基板上表面面对面设置，且所述第四下表面具有若干第四电极，若干互连结构用于导通若干第一电极、若干第二电极、若干第三电极及若干第四电极。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述基板下表面的一侧具有若干外部引脚，所述封装基板具有若干通孔，所述互连结构通过所述通孔而导通若干第一电极、若干第二电极、若干第三电极、若干第四电极及若干外部引脚。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述互连结构包括金属柱、焊锡及电镀层结构，所述金属柱连接于所述第四电极的下方，所述电镀层结构导通所述第一电极、所述第二电极及所述第三电极，且所述电镀层结构通过所述通孔延伸至所述封装基板的下方而导通所述外部引脚，所述焊锡用于导通所述金属柱及所述电镀层结构。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述电镀层结构包括相互导通的上重布线层、中间布线层及下重布线层，所述上重布线层位于所述封装基板的上方并导通所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极及所述焊锡，所述下重布线层位于所述封装基板的下方并导通所述外部引脚，所述中间布线层包括相连的位于所述通孔上端开口处的第一电镀层、位于所述通孔内壁的第二电镀层及位于所述基板下表面下方的第三电镀层，所述第一电镀层连接所述上重布线层，所述第三电镀层连接所述下重布线层。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述多芯片集成封装模块结构包括第一绝缘层及第二绝缘层，所述第一绝缘层位于所述第三电镀层及基板下表面、第一下表面、第二下表面、第三下表面下方，且所述第一绝缘层填充所述通孔，所述下重布线层经过所述第一绝缘层上的孔洞导通所述第三电镀层并往所述第一绝缘层的下表面方向延伸，所述外部引脚连接所述下重布线层，所述第二绝缘层包覆所述第一绝缘层及所述下重布线层，且所述第二绝缘层暴露所述外部引脚。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述多芯片集成封装模块结构包括第三绝缘层及第四绝缘层，所述第三绝缘层位于所述基板上表面、第一上表面、第二上表面、第三上表面的上方，所述上重布线层经过所述第三绝缘层上的孔洞导通所述第一电镀层、所述第一电极、所述第二电极及所述第三电极，所述第四绝缘层连接所述第三绝缘层及所述第四下表面，所述第四绝缘层具有暴露出所述上重布线层并容纳焊锡的开槽。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述第三绝缘层及所述第四绝缘层配合形成围堰，所述围堰与所述第四下表面及所述第一上表面配合而围设形成第一空腔，且所述围堰与所述第四下表面及所述第二上表面配合而围设形成第二空腔。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述围堰包括位于所述若干第一电极内侧且形成所述第一空腔外轮廓的第一围堰、位于若干第一电极外侧的第二围堰、位于若干第二电极内侧且形成所述第二空腔外轮廓的第三围堰及位于若干第二电极外侧的第四围堰，且所述围堰的外侧缘与所述基板外侧缘齐平。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述多芯片集成封装模块结构还包括位于所述封装基板远离所述基板下表面的一侧的第一塑封层，所述第一塑封层同时包覆所述围堰暴露在外的上表面区域及所述RF开关芯片。作为本技术一实施方式的进一步改进，所述多芯片集成封装模块结构还包括第二塑封层，所述第二塑封层填充所述第一滤波器与所述第一腔室的间隙、所述第二滤波器与所述第二腔室的间隙及所述放大器芯片与所述第三腔室的间隙，且所述第二塑封层覆盖所述基板下表面、所述第一下表面、所述第二下表面及所述第三下表面，所述第一上表面、所述第二上表面、所述第三上表面及所述基板上表面齐平。与现有技术相比，本技术的有益效果在于：本技术一实施方式利用封装技术将多个不同的芯片封装于同一封装基板，可以实现多芯片的高度集成，提高封装基板的利用率，进而实现多芯片集成封装模块结构的小型化；另外，滤波器芯片、放大器芯片及RF开关芯片呈上下分布，位于封装基板上方的RF开关芯片并不占用封装基板的空间，可以进一步提高封装基板的利用率，且RF开关芯片与滤波器芯片、放大器芯片之间的间距变小，便于实现滤波器芯片、放大器芯片及RF开关芯片之间的互连，简化互连结构；而且，滤波器芯片及放大器芯片内嵌设置于若干腔室中，使得多芯片集成封装模块结构更加轻薄。附图说明图1是本技术一示例的射频前端模块；图2是本技术另一示例的射频前端模块；图3是本技术一实施方式的多芯片集成封装模块结构的剖视图；图4是本技术一实施方式的基板上表面的围堰、电极、空腔、通孔、开槽之间的配合俯视示意图；图5是本技术一实施方式的多芯片集成封装模块结构的制作方法的步骤图；图6a至图6z-14是本技术一实施方式的多芯片集成封装模块结构的制作方法的流程图。具体实施方式以下将结合附图所示的具体实施方式对本技术进行详细描述。但这些实施方式并不限制本技术，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本技术的保护范围内。在本申请的各个图示中，为了便于图示，结构或部分的某些尺寸会相对于其它结构或部分夸大，因此，仅用于图示本申请的主题的基本结构。另外，本文使用的例如“上”、“上方”、“下”、“下方”等表示空间相对位置的术语是出于便于说明的目的来描述如附图中所示的一个单元或特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以旨在包括设备在使用或工作中除了图中所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有腔室及滤波器芯片的多芯片集成封装模块结构，其特征在于，包括:封装基板，其具有若干腔室；至少一滤波器芯片及至少一放大器芯片，分别设置于若干腔室中；RF开关芯片，设置于所述封装基板的上方；若干互连结构，用于导通滤波器芯片、放大器芯片及RF开关芯片。

【技术特征摘要】
1.一种具有腔室及滤波器芯片的多芯片集成封装模块结构，其特征在于，包括:封装基板，其具有若干腔室；至少一滤波器芯片及至少一放大器芯片，分别设置于若干腔室中；RF开关芯片，设置于所述封装基板的上方；若干互连结构，用于导通滤波器芯片、放大器芯片及RF开关芯片。2.根据权利要求1所述的多芯片集成封装模块结构，其特征在于，所述封装基板具有相对设置的基板上表面及基板下表面，且所述封装基板具有间隔分布的第一腔室、第二腔室及第三腔室，所述多芯片集成封装模块结构包括位于所述第一腔室的第一滤波器芯片、位于所述第二腔室的第二滤波器芯片及位于所述第三腔室的放大器芯片，所述第一滤波器芯片具有相对设置的第一上表面及第一下表面，所述第一上表面与所述基板上表面位于同侧，且所述第一上表面具有若干第一电极，所述第二滤波器芯片具有相对设置的第二上表面及第二下表面，所述第二上表面与所述基板上表面位于同侧，且所述第二上表面具有若干第二电极，所述放大器芯片具有相对设置的第三上表面及第三下表面，所述第三上表面与所述基板上表面位于同侧，且所述第三上表面具有若干第三电极，所述RF开关芯片具有相对设置的第四上表面及第四下表面，所述第四下表面与所述基板上表面面对面设置，且所述第四下表面具有若干第四电极，若干互连结构用于导通若干第一电极、若干第二电极、若干第三电极及若干第四电极。3.根据权利要求2所述的多芯片集成封装模块结构，其特征在于，所述基板下表面的一侧具有若干外部引脚，所述封装基板具有若干通孔，所述互连结构通过所述通孔而导通若干第一电极、若干第二电极、若干第三电极、若干第四电极及若干外部引脚。4.根据权利要求3所述的多芯片集成封装模块结构，其特征在于，所述互连结构包括金属柱、焊锡及电镀层结构，所述金属柱连接于所述第四电极的下方，所述电镀层结构导通所述第一电极、所述第二电极及所述第三电极，且所述电镀层结构通过所述通孔延伸至所述封装基板的下方而导通所述外部引脚，所述焊锡用于导通所述金属柱及所述电镀层结构。5.根据权利要求4所述的多芯片集成封装模块结构，其特征在于，所述电镀层结构包括相互导通的上重布线层、中间布线层及下重布线层，所述上重布线层位于所述封装基板的上方并导通所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极及所述焊锡，所述下重布线层位于所述封装基板的下方并导通所述外部引脚，所述中间布线层包括相连的位于所述通孔上端开口处的第一电镀层、位于所述通孔内壁的第二电镀层及位于所述基板...

【专利技术属性】
技术研发人员：付伟，
申请(专利权)人：付伟，
类型：新型
国别省市：江苏,32