一种主板的保护电路及服务器制造技术

本申请公开了一种主板的保护电路，所述电路包括芯片、第一分压电阻、第二分压电阻、温度敏感元件以及金属氧化物半导体场效应管，第一分压电阻、第二分压电阻以及温度敏感元件连接在芯片和金属氧化物半导体场效应管之间，基于第一分压电阻、第二分压电阻、温度敏感元件以及芯片栅极电压，可以实现金属氧化物半导体场效应管的栅极电压控制，进而实现对金属氧化物半导体场效应管的通断状态的控制，当芯片异常导致发热时，由于温度敏感元件具有负温度系数，阻抗会显著减小，能够拉低金属氧化物半导体场效应管的栅极电压，关闭金属氧化物半导体场效应管，从而实现对主板的保护。本申请还公开了一种服务器。

【技术实现步骤摘要】
一种主板的保护电路及服务器
本申请涉及计算机通信
，尤其涉及一种主板的保护电路及服务器。
技术介绍
随着信息时代的发展，用户对信息获取的要求越来越高，因此，服务器生产设计厂商的一个研究趋势即为提高服务器的吞吐率。为了提高服务器的吞吐率，服务器的电源供应单元(Powersupplyunit，PSU)需要提高为服务器主板提供的功率，如此导致服务器主板电流愈来愈大，而电压电流在转换时存在耗损，可以使得主板温度上升。主板温度上升可以导致主板的性能降低，甚至可以导致主板损坏，进而影响主板正常工作。目前，针对服务器主板，其保护机制主要包括利用芯片(IntergratedCircuit，IC)自身的过电压保护(OverVoltageProtection，OVP)机制和过电流保护(OverCurrentProtection，OCP)机制实现对服务器主板的保护，并未提供基于温度保护服务器主板的机制，如此导致服务器主板常常因温度上升而损坏。因此，业界亟需提供一种基于温度对服务器主板进行保护的机制。
技术实现思路
有鉴于此，本申请提供了一种主板的保护电路。通过在金属氧化物半导体场效应管上连接温度敏感元件，当芯片发生异常时，温度敏感元件能够将金属氧化物半导体场效应管栅极电压拉低，关闭金属氧化物半导体场效应管，切断金属氧化物半导体场效应管与主板的电连接，实现基于温度对主板的保护。对应地，本申请还提供了一种服务器。本申请第一方面提供了一种主板的保护电路，所述电路包括芯片、第一分压电阻、第二分压电阻、温度敏感元件以及金属氧化物半导体场效应管，所述温度敏感元件具有负温度系数，其中：所述第一分压电阻的第一端连接至所述金属氧化物半导体场效应管的栅极；所述第一分压电阻的第二端与所述第二分压电阻的第一端连接；所述第二分压电阻的第二端接地；所述温度敏感元件的第一端连接至所述金属氧化物半导体场效应管的栅极，所述温度敏感元件的的第二端接地；所述芯片的栅极与所述第一分压电阻的第二端连接，以便根据所述第一分压电阻、所述第二分压电阻以及所述温度敏感元件控制所述金属氧化物半导体场效应管的开关状态，实现对主板的保护。可选的，所述温度敏感元件具体用于：所述芯片的电路发生异常时，将所述金属氧化物半导体场效应管的栅极电压拉低；则所述金属氧化物半导体场效应管具体用于：若所述栅极电压小于阈值电压，则关闭所述金属氧化物半导体场效应管。可选的，所述温度敏感元件具体用于：所述芯片的电路处于正常工作状态时，将所述金属氧化物半导体场效应管的栅极电压维持在高电位；则所述金属氧化物半导体场效应管具体用于：保持开启状态。可选的，所述温度敏感元件包括热敏电阻。可选的，所述金属氧化物半导体场效应管包括N型金属氧化物半导体场效应管。可选的，所述芯片包括热插拔芯片。可选的，所述电路还包括滤波电容；所述第二分压电阻的第二端通过所述滤波电容接地。可选的，所述电路还包括电流检测单元，所述电流检测单元分别与主板和所述金属氧化物半导体场效应管连接，具体用于：检测所述芯片的电流，并在所述电流达到预设电流时，关闭所述金属氧化物半导体场效应管。可选的，所述电路还包括电压检测单元，所述电压检测单元分别与主板和所述金属氧化物半导体场效应管连接，具体用于：检测所述芯片的电压，并在所述电压达到预设电压时，关闭所述金属氧化物半导体场效应管。本申请第二方面提供了一种服务器，所述服务器包括电源供应单元和服务器主板，其中：所述服务器主板设置有本申请第一方面所述的主板的保护电路；所述电源供应单元为主板的保护主板的保护电路提供电源。从以上技术方案可以看出，本申请实施例具有以下优点：本申请实施例中提供了一种主板的保护电路，所述电路包括芯片、第一分压电阻、第二分压电阻、温度敏感元件以及金属氧化物半导体场效应管，第一分压电阻、第二分压电阻以及温度敏感元件连接在芯片和金属氧化物半导体场效应管之间，基于第一分压电阻、第二分压电阻、温度敏感元件以及芯片栅极电压，可以实现金属氧化物半导体场效应管的栅极电压控制，进而实现对金属氧化物半导体场效应管的通断状态的控制，当芯片异常导致发热时，由于温度敏感元件具有负温度系数，阻抗会显著减小，能够拉低金属氧化物半导体场效应管的栅极电压，关闭金属氧化物半导体场效应管，切断金属氧化物半导体场效应管与主板的电连接，从而实现对主板的保护。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请实施例中一种主板的保护电路的结构示意图；图2为本申请实施例中一种主板的保护电路的结构示意图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。针对现有技术中仅基于芯片自身的OVP机制和OCP机制对主板进行保护，导致主板常常因温度上升而损坏的技术问题，本申请提供了一种主板的保护电路，该电路包括芯片、第一分压电阻、第二分压电阻、温度敏感元件以及金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET)，第一分压电阻、第二分压电阻以及温度敏感元件连接在芯片和金属氧化物半导体场效应管之间，基于第一分压电阻、第二分压电阻、温度敏感元件以及芯片栅极电压，可以实现金属氧化物半导体场效应管的栅极电压控制，进而实现对金属氧化物半导体场效应管的通断状态的控制，当芯片异常导致发热时，由于温度敏感元件具有负温度系数，阻抗会显著减小，能够拉低金属氧化物半导体场效应管的栅极电压，关闭金属氧化物半导体场效应管，切断金属氧化物半导体场效应管与主板的电连接，从而实现对主板的保护。为了使得本申请的技术方案更加清楚、易于理解，下面将结合附图对本申请实施例提供的主板的保护电路进行介绍。参见图1所示的主板的保护电路的结构示意图，该主板的保护电路包括芯片10、第一分压电阻20、第二分压电阻30、温度敏感元件40以及金属氧化物半导体场效应管50，所述温度敏感元件50具有负温度系数，其中：所述第一分压电阻20的第一端连接至所述金属氧化物半导体场效应管50的栅极；所述第一分压电阻20的第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种主板的保护电路，其特征在于，所述电路包括芯片、第一分压电阻、第二分压电阻、温度敏感元件以及金属氧化物半导体场效应管，所述温度敏感元件具有负温度系数，其中：所述第一分压电阻的第一端连接至所述金属氧化物半导体场效应管的栅极；所述第一分压电阻的第二端与所述第二分压电阻的第一端连接；所述第二分压电阻的第二端接地；所述温度敏感元件的第一端连接至所述金属氧化物半导体场效应管的栅极，所述温度敏感元件的的第二端接地；所述芯片的栅极与所述第一分压电阻的第二端连接，以便根据所述第一分压电阻、所述第二分压电阻以及所述温度敏感元件控制所述金属氧化物半导体场效应管的开关状态，实现对主板的保护。

【技术特征摘要】
1.一种主板的保护电路，其特征在于，所述电路包括芯片、第一分压电阻、第二分压电阻、温度敏感元件以及金属氧化物半导体场效应管，所述温度敏感元件具有负温度系数，其中：所述第一分压电阻的第一端连接至所述金属氧化物半导体场效应管的栅极；所述第一分压电阻的第二端与所述第二分压电阻的第一端连接；所述第二分压电阻的第二端接地；所述温度敏感元件的第一端连接至所述金属氧化物半导体场效应管的栅极，所述温度敏感元件的的第二端接地；所述芯片的栅极与所述第一分压电阻的第二端连接，以便根据所述第一分压电阻、所述第二分压电阻以及所述温度敏感元件控制所述金属氧化物半导体场效应管的开关状态，实现对主板的保护。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述温度敏感元件具体用于：所述芯片的电路发生异常时，将所述金属氧化物半导体场效应管的栅极电压拉低；则所述金属氧化物半导体场效应管具体用于：若所述栅极电压小于阈值电压，则关闭所述金属氧化物半导体场效应管。3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述温度敏感元件具体用于：所述芯片的电路处于正常工作状态时，将所述金属氧化物半导体场效应管的栅极电压维持在高电位；则所述金属氧化物半导体场效应管具体用于：保持开启...

【专利技术属性】
技术研发人员：林天祥，
申请(专利权)人：郑州云海信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：河南,41