一种解决PERC电池EL黑斑黑点的方法技术

技术编号:20330651 阅读:73 留言:0更新日期:2019-02-13 06:42
本发明专利技术属于太阳能电池制造领域,尤其涉及一种解决PERC电池EL黑斑黑点的方法,本发明专利技术方法中水膜喷淋针的孔径尺寸为0.8mm,水膜装置可以缓慢覆盖硅片,缓解了水膜覆盖硅片的喷水压力,铺盖硅片的压力减小,可以在保证水流量一致的前提下,有效减少了水膜四处喷溅而污染周围硅片的不良状况,能够有效解决PERC电池EL黑斑黑点问题,既能够缓解水膜装置压力,也能有效解决水膜喷淋针脱落,既不会出现长时间导致针孔堵塞问题,也不会造成水量不足导致的过刻,设备人员需要不定期的进行更换维护,省时省力,同时也解决了因为水膜功率过大,压力较大造成水膜飞溅而污染皮带和硅片,造成刻蚀污染的问题,提高了高效单晶的良率和效率,具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种解决PERC电池EL黑斑黑点的方法
本专利技术属于太阳能电池制造领域,尤其涉及一种解决PERC电池EL黑斑黑点的方法。
技术介绍
2017年高效单晶电池争先恐后占据光伏电池片的主流市场,成为了太阳电池新一代常规技术,PERC电池通过在电池背面实行钝化技术,增强光线在硅基的内背反射,降低了背面复合,从而使PERC电池的效率能够有效提升,低成本高效率的PERC电池在量产优势显著情况下,同所有技术一样,新产品的问世,也伴随一些挑战和一些待解决的问题,高效单晶电池片成品的EL问题更为突出。EL是电致发光(英文electroluminescent)的简称,是通过加在两电极的电压产生电场,被电场激发的电子碰击发光中心,而引致电子解级的跃进、变化、复合导致发光的一种物理现象。高效单晶电池片成品的EL问题比常规单晶的良率更加难以控制,所以PERC电池要比普通单晶对制成过程更为严格,例如超高的洁净度,严格的传输装置和工装夹具,都有严格的要求。电池片EL下的黑斑黑点,在背钝化工艺下,显示更为明显,电池片的黑斑缺陷区域含有高浓度的有害杂质,其中的S元素,金属Ca、Zn、Sr、和Co含量超表,这些杂质在晶硅电池中产生复合中心,降低扩散长度以及少子寿命,在EL下形成黑斑,所以提高生成过程中的洁净度和腐蚀清洗质量是减少黑斑的关键所在,而湿法是导致黑斑形成的主要工序,水膜的飞溅,落在上设备上料传送皮带上,导致皮带潮湿,硅片传输过程中,导致硅片污染形成硅片体内缺陷,最终形成EL黑斑,由于高效单晶太阳能高效电池酸抛光工艺是太阳能高效电池制造工艺中至关重要的一步,对成品电池片的EL良率以及电性能有着重大的影响,高效单晶电池占据光伏电池主流市场前提下,EL黑斑是刻蚀酸抛经常会出现的问题,酸抛要求高反射率和高减重,背面在浓酸条件下剧烈反应,极易造成刻蚀过刻,水膜在进刻蚀槽前的覆盖情况至关重要,这就对水膜要求较高,要保证足够的水流量,就需要设备有足够的压力,做成成品电池片后EL黑斑严重,降低了成品的合格率。
技术实现思路
本专利技术的目的是解决上述现有技术的不足,提供一种能够有效解决PERC电池EL黑斑黑点、提高产品合格率的方法。本专利技术解决上述现有技术的不足所采用的技术方案是:一种解决PERC电池EL黑斑黑点的方法,将PERC电池依次经过上料、水膜、酸抛、水洗、碱洗、水洗、酸洗、水洗、烘干、下料处理,其特征在于,所述水膜设有水膜喷淋针,所述水膜喷淋针的孔径尺寸为0.8mm。优选的,本专利技术中所述水膜喷淋针为倒圆锥形。本专利技术的有益效果是,由于本专利技术方法中水膜喷淋针的孔径尺寸为0.8mm,水膜装置可以缓慢覆盖硅片,缓解了水膜覆盖硅片的喷水压力,铺盖硅片的压力减小,可以在保证水流量一致的前提下,有效减少了水膜四处喷溅而污染周围硅片的不良状况,因而本专利技术方法能够有效解决PERC电池EL黑斑黑点问题,既能够缓解水膜装置压力,也能有效解决水膜喷淋针脱落,既不会出现长时间导致针孔堵塞问题,也不会造成水量不足导致的过刻,设备人员需要不定期的进行更换维护,省时省力,同时也解决了因为水膜功率过大,压力较大造成水膜飞溅而污染皮带和硅片,造成刻蚀污染的问题,也就解决了困扰企业的EL良率中最为重要的一个不良类型,提高了高效单晶的良率和效率,具有广阔的应用前景。附图说明图1为新型单晶刻蚀抛光的流程示意图。图2为新型单晶刻蚀抛光中水膜的结构示意图。图3为现有技术中水膜喷淋针的结构图。图4为本专利技术方法中水膜喷淋针的结构图。具体实施方式以下描述用于揭露本专利技术以使本领域技术人员能够实现本专利技术。以下描述中的优选实施例只作为举例,本领域技术人员可以想到其他显而易见的变型。在以下描述中界定的本专利技术的基本原理可以应用于其他实施方案、变形方案、改进方案、等同方案以及没有背离本专利技术的精神和范围的其他技术方案。在本专利技术的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。图1示出了新型单晶刻蚀抛光的流程示意图,如图1所示,作为太阳能高效电池制造工艺中至关重要的一步,刻蚀抛光步骤中需要将PERC电池依次经过上料、水膜、酸抛、水洗、碱洗、水洗、酸洗、水洗、烘干、下料处理。如图2所示,为刻蚀抛光流程中水膜的结构示意图,在本实施例中所述水膜设有水膜喷淋针1,水膜喷淋针下方设有硅片2,所述硅片2一侧设有传送皮带装置3,所述水膜喷淋针1上方设有设备保护盖4,其中,所述水膜喷淋针的孔径尺寸为0.8mm。硅片2在刻蚀设备里先经过传送皮带装置3上料,然后经过水膜装置覆盖水膜,进入刻蚀酸抛设备。高效单晶为提高背面反射率,所以提高减重,增加了酸的用量,背面在浓酸条件下剧烈反应,极易造成刻蚀过刻,而为了防止过刻,水膜在进刻蚀槽前的覆盖情况至关重要,这就对水膜要求较高,要保证足够的水流量,就需要设备有足够的压力,必须加大水膜保护硅片。传统中水膜喷淋针的孔径尺寸过小,导致大流量的水膜压力造成水滴飞溅,飞溅致上料皮带和周围硅片上,在车间环境潮湿,洁净度超标情况下,会连续污染硅片,在PERC制程中造成硅片体内缺陷,造成硅片少数载流子和多数载流子复合导致少子扩散长度减小,降低电池的转换效率,形成EL下的黑斑黑点。本专利技术通过将水膜喷淋针的孔径尺寸改进为0.8mm,缓解了水膜覆盖硅片的喷水压力,铺盖硅片的压力减小,可以在保证水流量一致的前提下,有效减少了水膜四处喷溅而污染周围硅片的不良状况,水膜装置可以毫无飞溅,缓慢覆盖硅片表面,既能够缓解水膜装置压力,也能有效解决水膜喷淋针脱落,既不会出现长时间导致针孔堵塞问题,也不会造成水量不足导致的过刻,设备人员需要不定期的进行更换维护,省时省力,同时也解决了因为水膜功率过大,压力较大造成水膜飞溅而污染皮带和硅片,造成刻蚀污染的问题,解决了困扰企业的EL良率中最为重要的一个不良类型,产品合格率大为提升。而且本专利技术不需要增加任何成本和任何技术要求即可轻松实现,制造成本低,结构简单易操作。作为影响水膜装置压力的关键因素,现有技术中水膜喷淋针的结构为正圆锥形类,如图3所示,而本专利技术中将水膜喷淋针的结构改进为倒圆锥形,如图4所示,倒圆锥形结构的水膜喷淋针可以进一步防止工作过程中的喷溅不良现象,避免产生刻蚀污染问题,产品合格率进一步提高。经诸多试验验证,本专利技术所述解决PERC电池EL黑斑黑点的方法相较于现有技术,PERC电池的不良比率大大降低,在同样条件下,传统孔径尺寸为0.4mm的水膜喷淋针的不良比率为4%,而本专利技术降低为2%,合格率翻倍提升,具有广阔的应用前景。本领域的技术人员应理解,上述描述及附图中所示的本专利技术的实施例只作为举例而并不限制本专利技术。本专利技术的目的已经完整并有效地实现。本专利技术的功能及结构原理已在实施例中展示和说明,在没有背离所述原理下,本专利技术的实施方式可以有任何变形或修改。本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种解决PERC电池EL黑斑黑点的方法,将PERC电池依次经过上料、水膜、酸抛、水洗、碱洗、水洗、酸洗、水洗、烘干、下料处理,其特征在于,所述水膜设有水膜喷淋针,所述水膜喷淋针的孔径尺寸为0.8mm。

【技术特征摘要】
1.一种解决PERC电池EL黑斑黑点的方法,将PERC电池依次经过上料、水膜、酸抛、水洗、碱洗、水洗、酸洗、水洗、烘干、下料处理,其特征在于,所述水膜...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘露露
申请(专利权)人:苏州润阳光伏科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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