激光发射电路以及激光雷达制造技术

本申请涉及激光发射电路以及激光雷达，一种激光发射电路包括：发射模块，用于发射激光；供能模块，与所述发射模块电连接，用于为所述发射模块供能；控制模块，分别与所述发射模块以及所述供能模块电连接，用于控制所述供能模块充电以及控制所述发射模块的激光发射；其中，所述控制模块为集成电路器件。上述激光发射电路，通过集成电路器件控制电路供能以及激光发射，优化了线路布局，减小了激光发射电路的体积，利于散热，并且减小了电路板走线的寄生参数。

【技术实现步骤摘要】
激光发射电路以及激光雷达
本专利技术涉及半导体领域，特别是涉及一种激光发射电路以及激光雷达。
技术介绍
在激光雷达中，传统的激光发射系统部分一般由分立电路组成，结构较为复杂，器件离散性大，从而可能导致激光雷达的成本较高、体积较大以及不利于散热等问题。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种激光发射电路，结构较为简单，可以有效减小电路的体积，具有更好的电路参数。一种激光发射电路，包括：发射模块，用于发射激光；供能模块，与所述发射模块电连接，用于为所述发射模块供能；控制模块，分别与所述发射模块以及所述供能模块电连接，用于控制所述供能模块充电以及控制所述发射模块的激光发射；其中，所述控制模块为集成电路器件。上述激光发射电路，通过集成电路器件控制电路供能以及激光发射，优化了线路布局，减小了激光发射电路的体积，利于散热，并且减小了电路板走线的寄生参数。在其中一个实施例中，所述控制模块包括：第一MOS管，与所述供能模块电连接，用于控制所述供能模块充电；第一驱动器，与所述第一MOS管电连接，用于驱动所述第一MOS管。在其中一个实施例中，所述第一MOS管为氮化镓MOS管。在其中一个实施例中，所述控制模块还包括：第二MOS管，与所述发射模块电连接，用于控制激光的发射；第二驱动器，与所述第二MOS管电连接，用于驱动所述第二MOS管。在其中一个实施例中，所述第二MOS管为氮化镓MOS管。在其中一个实施例中，所述供能模块包括电感及电容，所述电感与所述控制模块电连接，所述电容的一端接地，一端与所述控制模块电连接。在其中一个实施例中，所述发射模块包括激光二极管，所述激光二极管的正极与所述供能模块电连接，所述激光二极管的负极与所述控制模块电连接。在一个实施例中，所述激光发射电路还包括：保护模块，连接在所述供能模块与所述发射模块之间。在其中一个实施例中，所述保护模块包括稳压二极管，所述稳压二极管的正极接地，所述稳压二极管的负极连接在所述供能模块与所述发射模块之间。一种激光雷达装置，包括上述的激光发射电路。上述激光雷达装置，通过集成电路器件控制电路供能以及激光发射，优化了线路布局，减小了激光发射电路的体积，利于散热，并且减小了电路板走线的寄生参数。附图说明图1为一个实施例中激光发射电路的模块示意图；图2为一个实施例中控制模块的结构示意图；图3为另一个实施例中激光发射电路的模块示意图；图4为另一个实施例中激光发射电路的结构示意图。具体实施方式为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。图1为一个实施例中激光发射电路的模块示意图，如图1所示，在一个实施例中，一种激光发射电路100，包括：发射模块120，用于发射激光；供能模块140，与发射模块120电连接，用于为发射模块120供能；控制模块160，分别与发射模块120以及供能模块140电连接，用于控制供能模块140充电以及控制发射模块120的激光发射；其中，控制模块160为集成电路器件。具体地，在激光发射电路100中，通过发射模块120发射激光信号，发射模块120一般可以为激光二极管等激光器。发射模块120发射激光信号的能量由供能模块140提供，供能模块140可以为升压电路，充电后为发射模块120提供能量。控制模块160为一集成电路器件，例如可以为一集成芯片，控制模块160种可以包括供能控制单元和发射控制单元两部分，其中，供能控制单元与供能模块140电连接，可以通过脉冲控制为供能模块140充电，从而为激光发射提供能量。发射控制单元与发射模块120电连接，从而实现对发射模块120激光发射的控制。进一步地，激光发射电路100中的激光供能的控制部分和激光发射的控制部分集成到到控制模块160这一器件中，优化了激光发射电路的布局，使得激光发射电路的体积得到减小，器件的离散性较小，减小了电路走线的寄生参数。并且还可以通过优化控制模块160中元件的选用，降低激光发射电路的整体功耗，从而使得激光发射电路的散热也得到改善。上述激光发射电路100，通过集成电路器件控制电路供能以及激光发射，优化了线路布局，减小了激光发射电路的体积，利于散热，并且减小了电路板走线的寄生参数。图2为一个实施例中控制模块160的结构示意图，如图2所示，在一个实施例中，在一个实施例中，控制模块160包括：第一MOS管Q1，与供能模块140电连接，用于控制供能模块140充电；第一驱动器U1，与第一MOS管Q1电连接，用于驱动第一MOS管Q1。具体地，在控制模块160中，供能控制单元可以包括第一MOS管Q1以及第一驱动器U1，其中，第一驱动器U1的输入端与外界连接，用于接收充能控制信号，第一驱动器U1的输出端与第一MOS管Q1的栅极电连接，从而驱动第一MOS管Q1工作。第一MOS管Q1的源极接地，第一MOS管Q1的漏极与供能模块140电连接，第一驱动器U1驱动第一MOS管Q1为供能模块中140的电感和电容充电。可以理解的是，第一MOS管Q1和第一驱动器U1的种类和型号可以根据实际激光发射电路的需求确定。在一个优选的实施例中，上述第一MOS管Q1为氮化镓(GaN)MOS管，第一驱动器为氮化镓MOS管驱动器。通过使用氮化镓(GaN)MOS管及驱动器，可以提高为供能模块充电的效率，进一步减小激光发射电路的功耗，改善激光发射电路的散热。在一个实施例中，控制模块160还包括：第二MOS管Q2，与发射模块120电连接，用于控制激光的发射；第二驱动器U2，与第二MOS管Q2电连接，用于驱动第二MOS管Q2。具体地，在控制模块160中，发射控制单元可以包括第二MOS管Q2以及第二驱动器U2，其中，第二驱动器U2的输入端与外界连接，用于接收发射控制信号，第二驱动器U2的输出端与第二MOS管Q2的栅极电连接，从而驱动第二MOS管Q2工作，第二MOS管Q2的源极接地，第二MOS管Q2的漏极与发射模块120电连接，控制发射模块120中发射器的激光发射。可以理解的是，第二MOS管Q2和第二驱动器U2的种类和型号可以根据实际激光发射电路的需求确定。在一个优选的实施例中，上述第二MOS管Q2为氮化镓(GaN)MOS管，第二驱动器为氮化镓MOS管驱动器。通过使用氮化镓(GaN)MOS管控制发射模块120，也可以减小激光发射电路的功耗，改善激光发射电路的散热。在一个实施例中，供能模块140包括电感及电容，电感与控制模块160电连接，电容的一端接地，一端与控制模块160电连接。具体地，在激光发射电路100中，供能模块140可以包括电感及电容，电感和电容可以分别与控制模块160中的第一MOS管电连接，供能模块140中的电感、电容以及控制模块中的第一MOS管、第一驱动器共同组成升压电路，第一驱动器驱动第一MOS管为电感电容充电，以为发射模块120中的发射器供能。其中，供能模块140中电容与电感的型号及数量可以根据激光发射电路的实际需求确定。在一个实施例中，发射模块120包括激光二极管，激光二极管的正极与供能模块140电连接，激光二极管的负极与控制模块160电连接。具体地，发射模块120中的发射器可以为激光二极管，激光二极管的正极与供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种激光发射电路，其特征在于，包括：发射模块，用于发射激光；供能模块，与所述发射模块电连接，用于为所述发射模块供能；控制模块，分别与所述发射模块以及所述供能模块电连接，用于控制所述供能模块充电以及控制所述发射模块的激光发射；其中，所述控制模块为集成电路器件。

【技术特征摘要】
1.一种激光发射电路，其特征在于，包括：发射模块，用于发射激光；供能模块，与所述发射模块电连接，用于为所述发射模块供能；控制模块，分别与所述发射模块以及所述供能模块电连接，用于控制所述供能模块充电以及控制所述发射模块的激光发射；其中，所述控制模块为集成电路器件。2.根据权利要求1所述的激光发射电路，其特征在于，所述控制模块包括：第一MOS管，与所述供能模块电连接，用于控制所述供能模块充电；第一驱动器，与所述第一MOS管电连接，用于驱动所述第一MOS管。3.根据权利要求2所述的激光发射电路，其特征在于，所述第一MOS管为氮化镓MOS管。4.根据权利要求1所述的激光发射电路，其特征在于，所述控制模块还包括：第二MOS管，与所述发射模块电连接，用于控制激光的发射；第二驱动器，与所述第二MOS管电连接，用于驱动所述第二MOS管。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱纯鑫，刘乐天，
申请(专利权)人：深圳市速腾聚创科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44