一种荧光材料的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种荧光材料的制备方法。二硫化钨分子层薄膜能够发射红色荧光，但存在发光性能低、稳定性差的问题，影响到二硫化钨单分子层薄膜光电器件的应用，制备荧光高发射性能的二硫化钨单分子层薄膜尤为重要。本方法采用化学气相沉积法生长了二硫化钨单分子层薄膜，在二硫化钨单分子层薄膜表面制备具有驻极体性能的薄膜材料，后经过电晕放电电荷注入获得了发光性能增强的荧光材料。该方法制备的荧光发光材料具有发光性能好、性能稳定的优点。

A preparation method of fluorescent material

The invention relates to a preparation method of a fluorescent material. Tungsten disulfide monolayer thin films can emit red fluorescence, but there are some problems such as low luminescence performance and poor stability, which affect the application of tungsten disulfide monolayer thin film optoelectronic devices. It is particularly important to prepare tungsten disulfide monolayer thin films with high fluorescence emission performance. In this method, tungsten disulfide monolayer thin films were grown by chemical vapor deposition. The electret-like materials were prepared on the surface of tungsten disulfide monolayer thin films. The fluorescent materials with enhanced luminescent properties were obtained by corona discharge charge injection. The fluorescent materials prepared by this method have the advantages of good luminescence performance and stable performance.

【技术实现步骤摘要】
一种荧光材料的制备方法
本专利技术属于材料
，具体涉及一种红色荧光材料的制备方法。
技术介绍
二硫化钨(WS2)单分子层厚度的薄膜是直接带隙半导体材料，它的荧光量子产率在二维过渡金属硫族化合物中是较高的，因此在外场激发下它的红光发射较强。通过适当的方法，可以进一步提高二硫化钨单分子层薄膜材料的发光性能，使其更具有实际应用价值。荧光增强后的二硫化钨单分子层薄膜有利于制备高性能的低维度、纳米光学器件。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的不足，提出了一种荧光材料的制备方法。本专利技术以二硫化钨单分子层薄膜为基底，在其表面沉积介电薄膜材料，然后通过在介电薄膜中注入电荷，获得高荧光量子产率的荧光材料，荧光为红色荧光，荧光发射波长位于620纳米附近。本专利技术一种荧光材料的制备方法的具体步骤是：一、WS2二维薄膜的制备。步骤(1).取WS2源0.1～5g放入石英舟中，之后将装有WS2源的石英舟放入电炉中的石英管(直径1英寸)内。石英舟放置在石英管的中间位置。步骤(2).将基底(尺寸为2.5～3.5cm×1.5～2.0cm)，用去离子水清洗后氮气吹干，放入石英管中，位置在载气流向下游方向距石本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种荧光材料的制备方法，其特征在于，该方法具体步骤是：步骤(1).取WS2源0.1～5g放入石英舟中，之后将装有WS2源的石英舟放入电炉中的石英管内；石英舟放置在石英管的中间位置；步骤(2).将基底用去离子水清洗后氮气吹干，放入石英管中，位置在载气流向下游方向距石英舟20～25cm处；步骤(3).开启机械泵抽真空，同时向石英管中输入载气氩氢混合气，其中H2的体积占5％，载气流量为300sccm，抽气2～4min后，关闭机械泵停止抽真空，并同时关闭载气气流停止输入载气；步骤(4).将石英管升温至700～1200℃，升温速率为20～30℃/min；温度升至700～1200℃后保温，保温时间为2...

【技术特征摘要】
1.一种荧光材料的制备方法，其特征在于，该方法具体步骤是：步骤(1).取WS2源0.1～5g放入石英舟中，之后将装有WS2源的石英舟放入电炉中的石英管内；石英舟放置在石英管的中间位置；步骤(2).将基底用去离子水清洗后氮气吹干，放入石英管中，位置在载气流向下游方向距石英舟20～25cm处；步骤(3).开启机械泵抽真空，同时向石英管中输入载气氩氢混合气，其中H2的体积占5％，载气流量为300sccm，抽气2～4min后，关闭机械泵停止抽真空，并同时关闭载气气流停止输入载气；步骤(4).将石英管升温至700～1200℃，升温速率为20～30℃/min；温度升至700～1200℃后保温，保温时间为2～180min；步骤(5).石英管停止加热，将石英管冷却到常温，冷却速率为20～100℃/min，然后取出基底，在基底上获得WS2二维薄膜；步骤(6).在表面生长有硫化钨的基底表面旋涂PMMA溶液，PMMA溶液在空气中干燥5～30分钟形成PMMA薄膜涂覆在硫化钨表面，获得PMMA/硫化钨单分子层复合薄膜材料；步骤(7)：将PMMA/硫化钨单分子层复合薄膜置于电晕放电极化装置中...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕燕飞，黄锋，翁嘉鑫，赵士超，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33